MIT提高用于LSI等的微細結(jié)構(gòu)的成形速度

　　MIT的研究小組首先在硅表面照射極弱的電子束，形成微細的柱狀結(jié)構(gòu)。然后在該結(jié)構(gòu)上添加由兩種聚合物構(gòu)成的共聚合物，這樣，共聚合物便會按照柱狀結(jié)構(gòu)聚合。隨后使用等離子除去其中一種聚合物，就可以獲得含有硅的另一種聚合物的構(gòu)造。

　　MIT表示，原來的自組織方法需要通過在硅表面雕刻溝槽等復雜的前處理來準備模板。而此次的新方法無需使用模板，提高了微細結(jié)構(gòu)的形成速度。如果改變兩種聚合物的配合比率、各自的長度、在硅表面形成的柱的形狀及配置的話，形成的構(gòu)造也會發(fā)生大幅變化。研究小組今后還將試制可實際工作的LSI,以及制作尺寸更小的構(gòu)造。

　　新方法的詳情已在英國科學雜志《Nature Nanotechnology》上刊載的論文“Complexself-assembled patterns using sparse commensurate templates withlocally varying motifs”中進行了介紹。

　　自組織是聚合物分子自然集結(jié)、形成規(guī)則性構(gòu)造的現(xiàn)象。在自然界，貝殼、雪的結(jié)晶以及牙齒的琺瑯質(zhì)等都是通過自組織現(xiàn)象形成的。利用自組織現(xiàn)象，與光刻等現(xiàn)有半導體制造方法相比，可制造出更精細、高密度且缺陷較少的元件。