電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>行業(yè)新聞>硅外延片近期價(jià)格出現(xiàn)兩極化

硅外延片近期價(jià)格出現(xiàn)兩極化

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

背散SEM中那些位置是的顆粒?

如下與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM,圓圈標(biāo)的地方是嗎?如果不是還請大佬指點(diǎn)一下,那些位置是?
2024-03-12 08:53:37

半導(dǎo)體襯底和外延有什么區(qū)別?

襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41155

普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延片產(chǎn)線

預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣,將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:01216

碳負(fù)極滿充極滿充拆解問題

想問下碳/石墨復(fù)配負(fù)極300cls滿充拆解中間黑色的區(qū)域是什么?是什么原因?qū)е缕湫纬傻?
2024-02-29 13:48:15

半導(dǎo)體硅外延片制造商上海合晶上市

上海合晶硅材料股份有限公司(簡稱“上海合晶”,股票代碼:688584)近期在科創(chuàng)板成功上市,成為半導(dǎo)體行業(yè)的新星。該公司專注于半導(dǎo)體硅外延片的研發(fā)與生產(chǎn),以其卓越的產(chǎn)品質(zhì)量和創(chuàng)新的工藝技術(shù)在市場上樹立了良好的口碑。
2024-02-26 11:20:08310

外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性

只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此,1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術(shù)到底對材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢?
2024-02-23 11:43:59300

分子束外延(MBE)工藝及設(shè)備原理介紹

分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下,進(jìn)行材料外延技術(shù),下圖為分子束外延的核心組成,包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10958

SiC外延層的缺陷控制研究

探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制,揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 09:35:41623

中電化合物榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”

近日,華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號,其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523

AWMF-0159 37-40 GHz 雙極化四路 4x2 波束形成器 IC

是一款高度集成的四核雙極化 IC,適用于 5G 相控陣應(yīng)用。該 IC 具有八個(gè)天線端口,可連接到四個(gè)雙極化天線元件,以支持相控陣中的水平和垂直極化。個(gè)公共端口(每
2024-01-02 13:37:24

AWMF-0200 是一款高度集成的四核雙極化 IC

AWMF-0200  26-30 GHz 雙極化四路 4x2 波束形成器 IC?如有需求歡迎聯(lián)系 AWMF-0200 是一款高度集成的四核雙極化 IC,適用于 5G 相控陣
2024-01-02 13:34:59

天線極化的基礎(chǔ)知識

平面波的極化被定義為在一個(gè)固定點(diǎn)處瞬時(shí)電場的軌跡圖,是描述天線輻射電磁波矢量空間指向的參數(shù)。雷達(dá)和通信中最常遇到的極化方式有:線極化(垂直/水平),圓極化(左旋/右旋)和橢圓極化(左旋/右旋)。天線在給定方向處的極化定義為天線在那個(gè)方向上所輻射的波的極化
2023-12-22 10:34:36794

采用兩片AD2S1210分別對旋變的粗機(jī)和精機(jī)進(jìn)行解碼,存在數(shù)據(jù)跳變的問題怎么解決?

最近在搞一個(gè)項(xiàng)目,采用兩片AD2S1210對雙通道旋變器進(jìn)行解碼,遇到一個(gè)很奇特的問題,請各位大神幫忙看下 問題描述: 1、 采用兩片AD2S1210解碼芯片分別對旋變的粗機(jī)和精機(jī)進(jìn)行解碼,發(fā)現(xiàn)
2023-12-21 06:42:05

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ),外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53605

請問兩片AD5755-1能否共用SYNC這個(gè)引腳?

我目前的方案中用到兩片AD5755-1,現(xiàn)在在設(shè)計(jì)電路時(shí)我關(guān)于器件的地址有個(gè)疑問,AD0和AD1手冊中說是器件的地址,但是SPI接口器件不是有片選引腳(SYNC)嗎?請問兩片AD5755-1能否共用SYNC這個(gè)引腳?
2023-12-15 08:14:12

兩片AD9613需要同時(shí)采樣,怎么使用SYNC管腳?

您好, 我們有兩片AD9613需要同時(shí)采樣,怎么使用SYNC管腳? 如果給兩片ADC一個(gè)同步信號,兩片ADC的DCO相位是否是一樣的? 謝謝!
2023-12-15 06:14:14

使用兩片AD9739做同步,按照datasheet page48方式配置,上電兩片的輸出相位不固定是為什么?

現(xiàn)使用兩片AD9739做同步,按照datasheet(rev.c)page48方式配置,寄存器回讀值都正常,但是每次上電兩片的輸出相位不固定,請問是什么原因造成的? 現(xiàn)在嘗試的方法: 1. 兩片
2023-12-13 06:16:36

晶圓代工成熟制程出現(xiàn)降價(jià)?

近期市場傳出為緩解產(chǎn)能利用率下滑,多家晶圓代工廠商下調(diào)價(jià)格的消息。
2023-12-08 10:16:36240

需要使用兩片AD9765同步輸出4個(gè)電流,兩片AD9765的WRT和CLK信號可共用嗎?

1.現(xiàn)在我需要使用兩片AD9765同步輸出4個(gè)電流。兩片AD9765的WRT和CLK信號可共用嗎?即兩片的WRT1/CLK1和WRT2/CLK2 共同使用配置信號WRT/CLK,而不是分別接WRT1
2023-12-08 06:37:39

比特幣價(jià)格突破42000美元 比特幣價(jià)格創(chuàng)下年內(nèi)新高

概念股同步大漲,有分析師認(rèn)為繼比特幣價(jià)格刷新紀(jì)錄后勁頭不減,市場再次躍動著活力四溢的氣息。投資者近期對美國可能實(shí)施降息的預(yù)期強(qiáng)烈,交易者更是看好美國股市上可能出現(xiàn)的比特幣交易產(chǎn)品。 同時(shí)也有交易商押注美國股市交易型比特幣基金即將獲批。這
2023-12-05 09:24:002426

ad9361的同一路接收的相位差每次上電后都不同如何解決?

ad9361的同一路接收的相位差每次上電后都不同.請問如何解決?
2023-12-04 07:07:46

求助,關(guān)于多AD7606的參考電壓問題

,跳線帽斷開,這樣第一ADC的基準(zhǔn)電壓可以輸入到第二中; 2. 兩片都禁用內(nèi)部基準(zhǔn),跳線帽連接,這樣兩片ADC都使用外部基準(zhǔn)。 我想問的是,如果這時(shí)候?qū)?b class="flag-6" style="color: red">兩片7606都設(shè)置成啟用內(nèi)部基準(zhǔn),那么會出現(xiàn)故障嗎?(由于他們的REFIN/REFOUT依舊連在一起)。 謝謝
2023-12-04 06:10:08

什么是外延工藝?什么是單晶與多晶?哪些地方會涉及到外延工藝?

外延工藝的介紹,單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16877

請問AD9747內(nèi)部的個(gè)輔助偏置DAC輸出到外的用途是什么呢?

請問AD9747內(nèi)部的個(gè)輔助偏置DAC輸出到外的用途是什么呢?謝謝!
2023-11-30 06:16:03

天線的圓極化概念 八木天線如何實(shí)現(xiàn)圓極化

天線的圓極化概念 八木天線如何實(shí)現(xiàn)圓極化? 天線的極化是指電磁波的電場矢量或者磁場矢量的方向。常見的天線極化有水平極化、垂直極化以及圓極化。在無線通信中,圓極化有著廣泛的應(yīng)用,因?yàn)樗軌蛱峁└?/div>
2023-11-28 15:45:16780

高壓放大器應(yīng)用領(lǐng)域分享:關(guān)于電磁波的極化,看這篇文章就夠了!

談到電磁波,除了頻率和幅度之外,還有一個(gè)比較重要的方面就是:極化。極化,就是指波振動的平面,電磁波的傳播是由相互垂直的電場和磁場產(chǎn)生的。因此存在電場和磁場兩個(gè)相互垂直的振蕩平面,所以呢,我們定義電場
2023-11-24 10:11:28208

中國光伏模塊價(jià)格連續(xù)四周下滑創(chuàng)新低

由于出口疲軟和不佳的市場氣氛,中國光伏模塊價(jià)格連續(xù)四周下跌,中國光伏模塊市場(CMM)價(jià)位及TOPCon模塊價(jià)格再度觸及歷史最低。其中,中國光伏模塊價(jià)位下跌幅度創(chuàng)下兩個(gè)多月以來的新高,下跌5.8%,預(yù)期價(jià)格還將持續(xù)走低。
2023-11-23 13:56:59170

半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢?外延層的存在有何意義?

半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢?外延層的存在有何意義? 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成,這兩個(gè)部分在制造過程中起著重要的作用,并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先,襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281504

半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別?

半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別? 半導(dǎo)體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料,它們之間有一些區(qū)別和聯(lián)系。在下面的文章中,我將詳細(xì)解釋這兩者之間的差異和相關(guān)信息。 首先,讓我們來了解一下
2023-11-22 17:21:252329

中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn),一期投資19.3億元

紫金山觀察消息顯示,該項(xiàng)目一期投資19.3億元,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)估新增年收入25億元,將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年,6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產(chǎn)能力,支撐開展大尺寸硅外延和化合物外延研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)化,擴(kuò)大在高端功率器件、集成電路等應(yīng)用領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢。
2023-11-14 15:44:12378

實(shí)現(xiàn)天線設(shè)計(jì)圓極化的常用方法

通常情況下為了更好的接收 GNSS 信號,導(dǎo)航定位天線需要設(shè)計(jì)成圓極化天線。天線要實(shí)現(xiàn)圓極化輻射特性,在輻射陣子、天線基材、饋電方式等方面有諸多嚴(yán)苛的要求,這也是導(dǎo)航定位天線尺寸很難做小的原因
2023-11-09 16:34:26730

請問單片機(jī)PWM控制可控調(diào)光出現(xiàn)噪音怎么解決?

使用PWM控制可控調(diào)光白熾燈,卻出現(xiàn)”吱吱“的響聲,怎么去除這種噪音,誰遇到過類似的問題,你們是如何解決的?
2023-11-08 06:32:17

LED外延芯片工藝流程及晶片分類

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:42:540

碳酸鋰價(jià)格回調(diào) 產(chǎn)業(yè)影響幾何?

近期,碳酸鋰價(jià)格再次出現(xiàn)回調(diào)。
2023-10-31 10:48:35369

一文了解分子束外延(MBE)技術(shù)

HVPE主要是利用生長過程中的化學(xué)反應(yīng),如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實(shí)現(xiàn)外延晶體薄膜的制備,具有生長溫度高、源爐通氣量大、生長速率大的特點(diǎn),一般用來制備厚膜以及自支撐襯底,如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:081211

一種工作于X波段的彈載寬帶圓極化四元陣設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種工作于X波段的彈載寬帶圓極化四元陣設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-19 11:50:010

基于透射型超表面的寬帶線圓極化轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

提出了一種工作在 S 波段和 C 波段的寬頻透射型線-圓極化波轉(zhuǎn)換器, 其由五層超表面級聯(lián)而成。
2023-10-18 10:05:59490

單饋多模圓極化天線的設(shè)計(jì)案例解析

通過改變饋電位置來控制模式權(quán)重系數(shù),進(jìn)而決定了天線帶寬和極化?;趩螌覷槽貼片的模式分析結(jié)果,將貼片劃分成5個(gè)饋電區(qū)域。
2023-09-29 07:20:00252

絕緣介質(zhì)及極化形式

”,而轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體。在未被擊穿之前,絕緣介質(zhì)也不是絕對不導(dǎo)電的物體。如果在絕緣介質(zhì)兩端施加電壓,材料中將會出現(xiàn)微弱的電流。絕緣介質(zhì)在電場作用下的物理現(xiàn)象主要有極化、電導(dǎo)、損耗和擊穿 3、作用 絕緣介質(zhì)在變壓器、電纜等其他設(shè)備
2023-09-28 11:37:08834

不合格的碳化硅外延片如何再生重利用?

此外,研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高,多片加工時(shí)對外延片的厚度的組合比較苛刻,并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行CMP處理,則需要較長的時(shí)間才能去除掉損傷層。并且由于襯底的厚度不同,外延的厚度也不同,因此每一片外延片的減薄要求也不同,整體加工效率較低。
2023-09-27 16:35:43430

PT333-3B介紹

紅外測量,傳感器,PT333-3B是一種高速高靈敏的NPN材料NPN外延平面光電晶體管在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的5毫米封裝成型。由于是黑色環(huán)氧樹脂,該設(shè)備對可見光和近可見光敏感紅外線輻射。
2023-09-27 06:45:30

天線極化的類別和應(yīng)用

在《天線基礎(chǔ)理論》一文中,我們詳細(xì)介紹了天線的基本理論,里面提到了天線極化的這個(gè)概念。關(guān)于電磁波的極化,我們在《電磁波極化》一文中詳細(xì)進(jìn)行了描述,并且整理了一些生動形象的圖片說明。在實(shí)際應(yīng)用中,電磁波是由天線發(fā)出的,因此電磁波的極化也就是天線的極化
2023-09-19 15:37:021200

晶能光電首發(fā)12英寸硅襯底InGaN基三基色外延

近日,晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44737

雙曲聲子極化激元在不同傳播特性及多種維度調(diào)控下的近場成像分析

在實(shí)際應(yīng)用中,有效的操控極化激元給納米光子器件、亞波長成像、異常折射等領(lǐng)域帶來了巨大的發(fā)展前景而廣受關(guān)注,但傳統(tǒng)介質(zhì)材料中的極化激元的調(diào)控靈活度相對較低,不能滿足現(xiàn)實(shí)的廣闊需要成為具有挑戰(zhàn)性的難題
2023-08-28 09:14:26352

氮化鎵芯片未來會取代芯片嗎?

的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)晶體管有種類型的損耗:傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。 功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN 晶體管(取代舊的技術(shù))的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18

平面電磁波的三種極化

談到電磁波,除了頻率和幅度之外,還有一個(gè)比較重要的方面就是:極化極化,就是指波振動的平面,電磁波的傳播是由相互垂直的電場和磁場產(chǎn)生的。因此存在電場和磁場兩個(gè)相互垂直的振蕩平面,所以呢,我們定義電場
2023-08-18 10:38:001071

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341001

幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31663

液相外延碲鎘汞薄膜缺陷綜述

液相外延是碲鎘汞(MCT)薄膜生長領(lǐng)域最成熟的一種方法,被眾多紅外探測器研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:20733

SiC外延片測試需要哪些分析

對于摻雜的SiC外延片,紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率,因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。
2023-08-05 10:31:47913

DRAM價(jià)格觸底反彈,專家曝真實(shí)原因

的挑戰(zhàn)。 然而,近期出現(xiàn)了一些積極跡象。主要DRAM制造商,例如三星、SK海力士和美光相繼宣布減產(chǎn),有針對性地緩解了供應(yīng)過剩的問題。這一舉措使得DRAM市場出現(xiàn)了觸底反彈的跡象,報(bào)價(jià)連續(xù)兩個(gè)月保持持平,這在過去一年多以來尚屬首次。 根據(jù)《
2023-08-03 15:18:57841

SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎?

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286

【周評】終端觀望情緒走弱,光伏上下游價(jià)格集體反彈?

,多晶硅企業(yè)話語權(quán)加強(qiáng),部分優(yōu)質(zhì)料價(jià)格甚至出現(xiàn)反彈,市場預(yù)期價(jià)格小幅上升。 硅片 本周國內(nèi)單晶硅片182mm主流成交價(jià)格2.80-2.93元/片,單晶硅片210mm主流成交價(jià)格3.77-4.07元/片,國內(nèi)硅片價(jià)格小幅反彈。 主要原因在于國內(nèi)龍頭拉晶企業(yè)出現(xiàn)高于此前市
2023-07-14 16:15:57191

異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展

金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:23839

用RAPIDS生成用于加速短期價(jià)格預(yù)測的限價(jià)訂單簿數(shù)據(jù)集

用 RAPIDS 生成用于加速短期價(jià)格預(yù)測的限價(jià)訂單簿數(shù)據(jù)集
2023-07-05 16:30:29315

鐵電材料極化高壓放大器ATA-7025技術(shù)指標(biāo)及使用說明

鐵電材料是一類具有特殊電學(xué)性質(zhì)的材料,在現(xiàn)代電子技術(shù)和器件中具有廣泛的應(yīng)用。鐵電材料的極化是其重要的特征之一,極化測試是評估鐵電材料性能的關(guān)鍵方法之一。一般鐵電極化測試,是通過根據(jù)外電場施加的電壓
2023-06-30 17:15:25274

小型圓極化四臂螺旋天線案例分享

隨著衛(wèi)星導(dǎo)航的迅速發(fā)展,人們對天線的性能也提出了更高的要求,如接收圓極化信號并且滿足頻帶需求的特性。此外,根據(jù)不同的應(yīng)用場景,還需要考慮設(shè)計(jì)小型化、寬帶化的天線。本文主要一款寬波束左旋圓極化的印刷
2023-06-30 10:25:201802

成像雷達(dá)系統(tǒng)最常見的極化模式

成像雷達(dá)系統(tǒng)通常發(fā)射平面極化雷達(dá)脈沖。與這種脈沖相關(guān)的電場在垂直于波傳播方向的單一平面內(nèi)振蕩。最常見的極化模式是發(fā)射和接收水平極化信號(指定為HH模式,第一個(gè)字母表示發(fā)射的極化)。 有些系統(tǒng)發(fā)射
2023-06-27 11:25:402045

一文解析雷達(dá)極化圖像和多波段融合

當(dāng)極化雷達(dá)脈沖被土壤或巖石等材料的粗糙表面散射時(shí)(表面散射),返回天線的大部分散射能量與發(fā)射脈沖具有相同的極化。但是當(dāng)脈沖擊中植物時(shí),它會不同程度地穿透(取決于波長),并與樹葉、細(xì)枝和樹干分枝發(fā)生多次碰撞,產(chǎn)生許多散射活動。
2023-06-27 11:24:49696

在超純晶圓上堆疊超高純層的外延技術(shù)

和高質(zhì)量的晶體管,它們都需要用到外延晶片。在本文中,我們將介紹這種在晶圓之上由超純硅構(gòu)成的超高純層(也被稱為“外延層)的形成過程、用途和特征。
2023-06-26 10:05:29417

led顯示2023年競爭會更激烈???

一步促進(jìn)了市場競爭的激烈化。 LED直顯產(chǎn)品“價(jià)格兩極化” 目前,LED直顯產(chǎn)品中“大眾產(chǎn)品和J端產(chǎn)品的價(jià)格走勢正在加速分化”,呈現(xiàn)出市場發(fā)展的不平衡格局。 一方面,P1.2及其以上間距指標(biāo)的LED直顯產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)走低。P1.2 產(chǎn)品每平米價(jià)格已經(jīng)下降到
2023-06-26 09:24:12276

9.6 多晶薄膜材料

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:42:09

9.5 非晶薄膜材料(下)

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:41:04

關(guān)于圓極化天線的困擾

我就會這樣想啊,那既然圓極化可以由兩個(gè)有相位差的線極化疊加得到。那我就把圓極化分解成兩個(gè)線極化唄,一個(gè)水平極化,一個(gè)垂直極化。
2023-06-19 15:51:46679

極化天線怎么判定左旋和右旋

同樣,水平極化天線,就是指波的方向是水平的,也就是說其發(fā)射的波的電場方向,與大地平行。
2023-06-19 11:18:398029

國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長方法有多種,其中化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點(diǎn),是生長用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644

GaN外延生長方法及生長模式

由于GaN在高溫生長時(shí)N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究,并不斷嘗試?yán)貌煌?b class="flag-6" style="color: red">外延生長方法在Si
2023-06-10 09:43:44681

【周評】組件大幅走跌,光伏市場價(jià)格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價(jià)!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價(jià)格110-123元/千克,多晶硅價(jià)格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價(jià)格再度走跌,多晶硅庫存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關(guān),硅片價(jià)格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092818

碳酸鋰價(jià)格進(jìn)入深度博弈

近期,電池級碳酸鋰均報(bào)價(jià)沖破30萬元/噸,再次引發(fā)原材料價(jià)格上漲擔(dān)憂。
2023-05-30 09:38:14544

天線的極化是電磁波的極化嗎?

前幾天在知乎上回答了一個(gè)關(guān)于天線極化的問題,這些都是天線領(lǐng)域的最基本的概念,但是寫出來的時(shí)候,很多東西又是捉摸不透,天線的極化歸根到底是電磁波的極化
2023-05-29 10:50:39288

MIMO天線的隔離度和單極化天線的增益差異

  交叉極化:MIMO天線之間的交叉極化是指在多個(gè)天線同時(shí)工作時(shí),天線之間由于極化方向不同而產(chǎn)生的干擾。交叉極化通常用極化交叉損耗(Polarization Cross-Polarization Loss,XPOL)來描述,XPOL越大,交叉極化干擾越小。
2023-05-19 18:04:301218

半導(dǎo)體工藝之氣相外延介紹

在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462459

導(dǎo)致條形液晶屏價(jià)格出現(xiàn)變動的因素有哪些?

導(dǎo)致條形液晶屏價(jià)格出現(xiàn)變動的因素有哪些? 目前市場上條形液晶屏產(chǎn)品也種類繁多,不同廠家的產(chǎn)品有的價(jià)格差異還比較大,這對于消費(fèi)者非常頭痛,不知道如何分辨和挑選的。因?yàn)楦鱾€(gè)廠家在生產(chǎn)條形液晶屏價(jià)格定位
2023-05-18 18:28:07323

天線的極化是如何去定義的?

  前面的文章我們已經(jīng)討論了天線的個(gè)重要參數(shù):方向圖和饋電點(diǎn)阻抗。天線的第三個(gè)重要參數(shù)是極化。天線的極化是以天線輻射最大方向的電磁波中電場方向來定義的。   例如,一副水平架設(shè)在地面上方的半波偶極
2023-05-15 17:12:14

面對Micro LED外延量產(chǎn)難題,愛思強(qiáng)如何破解?

從保障外延片品質(zhì)入手,提升Micro LED生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本外,應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸,而Micro LED的生產(chǎn)工藝會擴(kuò)大到6乃至8英寸,更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:04542

FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,如果用個(gè)FPGA工作,應(yīng)該如何設(shè)計(jì)兩片之間的通信?

FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,如果用個(gè)FPGA工作,應(yīng)該如何設(shè)計(jì)兩片之間的通信?從的配置和時(shí)鐘輸入與主有何不同?一個(gè)做主用于數(shù)據(jù)處理和控制,一個(gè)做從用于IO擴(kuò)展。硬件和軟件上應(yīng)該如何設(shè)計(jì)兩片之間
2023-05-08 17:18:25

天線極化的方式有哪些?

個(gè)天線振子在一個(gè)單元內(nèi),形成個(gè)獨(dú)立波。      總的來說:   線極化:沿著電磁場傳播方向看,電場矢量始終沿著一條線不停地變化;舉一個(gè)例子,小時(shí)候玩的繩子,上下擺,繩子傳遞的波就是線極化
2023-05-08 17:02:50

一文詳解高隔離度雙極化天線技術(shù)

系統(tǒng)中。應(yīng)用雙極化天線可以減少基站所需的天線數(shù)量,節(jié)約天線設(shè)計(jì)所需的空間資源,并滿足人們?nèi)找嬖鲩L的流量需求。在評估雙極化天線性能時(shí),端口隔離是一個(gè)關(guān)鍵因素。然而,隨著新一代通信系統(tǒng)容量的增加、用戶數(shù)量的增多和耦合場景的復(fù)雜化等因素的出現(xiàn),傳統(tǒng)的雙極化天線設(shè)計(jì)難以滿足隔離度要求。
2023-05-04 18:00:532145

一文詳解交叉極化干擾技術(shù)

交叉極化干擾是一種自衛(wèi)技術(shù),包含交叉極化干擾信號的產(chǎn)生。這種干擾技術(shù)能夠使單脈沖雷達(dá)失去對目標(biāo)的角跟蹤。任何在天線中具有前向幾何結(jié)構(gòu)(如拋物面碟形反射器)的雷達(dá),其交叉極化波瓣的方向與雷達(dá)的視向相反,如圖1所示。
2023-04-26 15:03:561275

FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì)中應(yīng)該如何設(shè)計(jì)兩片之間的通信?

一個(gè)做主用于數(shù)據(jù)處理和控制,一個(gè)做從用于IO擴(kuò)展。硬件和軟件上應(yīng)該如何設(shè)計(jì)兩片之間的通信?從的配置和時(shí)鐘輸入與主有何不同?可以共用配置芯片么?還是需要獨(dú)立的配置?提供相關(guān)的論文名稱也可以
2023-04-23 11:31:45

極化繼電器原理

極化繼電器是指由極化磁場與控制電流通過控制線圈所產(chǎn)生的磁場的綜合作用而動作的繼電器。其極化磁場一般由磁鋼或通直流的極化線圈產(chǎn)生;繼電器銜鐵的吸動方向取決于控制繞組中流過的電流方向。在自動裝置、遙控
2023-04-21 14:49:470

定制觸摸屏的價(jià)格貴嗎?

隨著科技的不斷發(fā)展和創(chuàng)新,觸摸屏已經(jīng)成為人們?nèi)粘I詈凸ぷ髦斜夭豢缮俚囊徊糠帧Ec此同時(shí),越來越多的人開始了解和使用定制觸摸屏,以滿足不同場合和需求的個(gè)性化需求。那么,定制觸摸屏的價(jià)格究竟如何呢?首先
2023-04-11 11:23:35

光耦MOC3063驅(qū)動可控

如圖所示:1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通,是否可以認(rèn)為可控端的電壓為零,此時(shí)可控不導(dǎo)通,那如果是這樣請問這個(gè)電路可控是何時(shí)導(dǎo)通的,又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

可控的三個(gè)腳接了有何用啊?

npn管pnp管可控(晶閘管)的三個(gè)腳接了有何用啊我的意思是比如給pnp的n的腳加正電,那個(gè)p是段路還是干嘛。。。。交流電用4個(gè)二極管搞成直流再鋁解電容不就行了嗎??,要個(gè)3級管搞什么,那個(gè)是什么管啊呀
2023-04-04 11:30:22

鋰電池極化現(xiàn)象及原因

在鋰離子電池充放電過程中,其正負(fù)兩極都發(fā)生了電化學(xué)反應(yīng),使兩個(gè)極板之間的電位互相向?qū)Ψ狡?,這就是電化學(xué)極化現(xiàn)象。
2023-04-01 10:53:5712697

河套IT TALK 65:(原創(chuàng))讓人眼花繚亂的超高清視頻編解碼格式

、兩極化的 挑戰(zhàn), 了解到視頻從產(chǎn)生到播放,中間經(jīng)歷 的 復(fù)雜流程,也牽扯紛繁復(fù)雜的利益相關(guān)人,所以在視頻內(nèi)容編解碼方面,存在著各方利益的博弈。各大組織、企業(yè)都有在視頻編解碼上投入,致力于爭奪技術(shù)和專利上的制高點(diǎn)。 本期,我們就聊聊 超高清視頻編解碼的現(xiàn)狀。
2023-03-28 03:15:05793

已全部加載完成