電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>行業(yè)新聞>DRAM記憶體晶片主流 朝2GB發(fā)展

DRAM記憶體晶片主流 朝2GB發(fā)展

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

三星、海力士推出GDDR7顯存,最高時速48Gbps、64Gb

值得關(guān)注的是,新型GDDR7內(nèi)存提供的容量選項亦更加多樣化,本次展出的版本即包含16Gb與24Gb兩種款式,分別匹配2GB和3GB顯存容量。據(jù)JEDEC公布的數(shù)據(jù)顯示,未來GDDR7內(nèi)存的運行速度有望提高到48Gbps
2024-03-21 15:35:4153

1043501

存儲卡 閃存 2GB
2024-03-14 23:16:25

SQF-SMSU1-2G-S9C

SSD 2GB MSATA UMLC
2024-03-14 20:16:33

英偉達(dá)、AMD新款顯卡或仍配備2GB GDDR7顯存

據(jù)悉,現(xiàn)行GDDR6顯存每模塊采用8GB顯存容量,對此,@kopite7kimi援引內(nèi)部消息稱,英偉達(dá)即將發(fā)布的GeForce RTX 5090顯卡并無內(nèi)存翻倍的可能性。
2024-03-08 14:54:02118

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄,不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:42145

美光科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會上,美光詳細(xì)闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24190

全球DRAM產(chǎn)業(yè)量價雙升,三大原廠獲益

三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者,在本季度DRAM營收達(dá)到79.5億美元,環(huán)比增長近50%,主要受益于1αnm DDR5的出貨提速,服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60%。
2024-03-05 15:40:57162

美光新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達(dá)H200

美光在該領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位。這一消息推動美光股價在當(dāng)天上漲4%,27日美股早盤繼續(xù)上漲逾2.5%。 HBM3E是第五代高頻寬記憶體,目前提供的容量為24GB,每腳位傳輸速率超過每秒9.2 Gb,記憶體
2024-02-28 14:17:10151

美光預(yù)計2025年車均搭載16GB DRAM和204GB NAND

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲解決方案提供商美光科技發(fā)布了《車用存儲大趨勢白皮書》。該白皮書深入探討了未來五年內(nèi)車用存儲市場的增長趨勢和預(yù)測。根據(jù)預(yù)測,到2025年,每輛汽車將搭載高達(dá)16GBDRAM
2024-02-02 15:41:13241

記憶黑板與存儲空間:探討其限制與可能性

記憶黑板與存儲空間:探討其限制與可能性 在當(dāng)今的數(shù)字化時代,信息的存儲和管理已經(jīng)成為一項重要的任務(wù)。記憶黑板作為一種信息存儲和展示工具,其存儲空間是否有限制,成為了許多用戶關(guān)心的問題。記憶黑板廠家
2024-01-17 19:16:57107

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展
2024-01-12 14:42:03282

AMD發(fā)布Radeon RX 7600 XT 16GB顯卡,推薦售價329美元

AMD指出,Radeon RX 7600 XT 16GB顯卡尤其針對1080p游戲玩家,并針對1080p高畫質(zhì)游戲進行了優(yōu)化。憑借其16GB記憶體,該顯卡甚至能夠處理一些1440p的游戲。此外
2024-01-09 14:47:34333

為什么低端獨立顯卡通常都標(biāo)配2GB的顯存?

為什么低端獨立顯卡通常都標(biāo)配2GB的顯存? 低端獨立顯卡通常都標(biāo)配2GB的顯存,這是因為在低端市場中,2GB的顯存已經(jīng)能夠滿足絕大多數(shù)用戶的需求。下面詳細(xì)解釋一下為什么低端獨立顯卡通常都標(biāo)配2GB
2024-01-09 14:14:45150

DRAM漲價啟動!Q1漲幅高達(dá)20%

有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價,但預(yù)計NAND價格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%,大幅提升DRAM價格,但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466

DRAM合約價一季度漲幅預(yù)計13~18%,移動設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場

據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預(yù)期DDR4價格將進一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對于DDR4采購量增幅不定。預(yù)計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195

晶片推拉力測試機設(shè)備焊接強度推拉力測試儀#晶片推力測試 #焊接強度 #推拉力

晶片推拉力測試機
博森源推拉力機發(fā)布于 2024-01-05 16:47:36

NAND芯片價格止跌回升,供應(yīng)商尋求更大利潤

全球儲存型快閃記憶體市場排名中,三星以34.3%的市占率居于領(lǐng)先地位。為達(dá)到盈利目標(biāo),NAND芯片供應(yīng)商將持續(xù)拉抬報價。
2024-01-02 17:08:09606

記憶黑板與智能手機或平板電腦同步的可能性與實現(xiàn)

記憶黑板與智能手機或平板電腦同步的可能性與實現(xiàn) 隨著科技的不斷發(fā)展,人們對于信息傳遞和共享的方式也在不斷追求便捷和高效。記憶黑板作為一種傳統(tǒng)的信息展示和傳遞工具,在許多場合仍然發(fā)揮著重要作用。然而
2023-12-27 15:30:59201

兆易創(chuàng)新:NOR Flash和SLC Nand Flash價格已趨于平穩(wěn)

對于DRAM業(yè)務(wù),這個公司的主要是低端市場,如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品,且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā),以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM產(chǎn)品線,推動DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展,滿足客戶需求。
2023-12-27 13:58:31247

量子比特的“記憶力”——相干時間

通常來說,一個人記憶力越好,他能整合、處理的信息就越多。傳說魚的記憶力只有7秒!這可能是它們沒有統(tǒng)治世界的原因。在量子計算中,量子比特所能“記住”的量子狀態(tài)越久,其所能進行的計算次數(shù)也就越多。量子
2023-12-27 08:25:05301

NY8A050D是以EPROM作為記憶體的8位微控制器

NY8A050D是一款采用EPROM(Electrically Programmable Read-Only Memory)作為記憶體的8位微控制器。EPROM是一種
2023-12-16 20:40:58

理解倒裝芯片和晶片級封裝技術(shù)及其應(yīng)用

產(chǎn)品小型化和更輕、更薄發(fā)展趨勢的推動下, 制造商開發(fā)出更小的封裝類型。最小的封裝當(dāng)然是芯片本身, 圖 1 描述了 IC 從晶片到單個芯片的實現(xiàn)過程, 圖 2 為一個實際的晶片級封裝 (CSP) 。 晶片級封裝的概念起源于 1990 年, 在 1998 年定義的 CSP 分類中, 晶片級 CSP
2023-12-14 17:03:21201

dram和nand的區(qū)別

dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機存取存儲器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003894

中國長鑫存儲自主研發(fā) LPDDR5 完成

長鑫存儲最近在其官網(wǎng)上宣布,已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片,并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列
2023-12-03 11:30:00283

DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程

DRAM制造技術(shù)進入10nm世代(不到20nm世代)已經(jīng)過去五年了。過去五年,DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此,本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15536

美光率先為業(yè)界伙伴提供基于 32Gb 單裸片 DRAM 的高速率、低延遲 128GB 大容量 RDIMM 內(nèi)存

美光基于 1β 先進制程的 ?DRAM ?速率高達(dá) ?8,000 MT/s,為生成式 ?AI ?等內(nèi)存密集型應(yīng)用提供更出色的解決方案 2023 年 11 月 22 日,中國上海 —— Micron
2023-11-24 15:08:02663

世界上首次商用D1Beta一代DRAM的誕生

Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁壘,對提升電子設(shè)備性能至關(guān)重要,包括移動電話和其他邊緣設(shè)備。
2023-11-24 11:11:45167

三星目標(biāo)2025年主導(dǎo)汽車存儲市場 公布路線圖

根據(jù)三星公布的產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖,到2024年將推出2gb至24gb容量、最大68gb/s速度、每頻道帶寬為8.5gbps的561fbga形態(tài)的lpddr5x存儲器。此外,還將于2024年推出插拔車輛用ssd。容量512gb至4tb,最大速度6.5gb。
2023-11-23 15:03:11386

DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜?

芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也有成熟的工藝,而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476

光伏逆變器淺析及選型參考

及器件選型 圖-21:10~125kW儲能單元主流拓?fù)浼捌骷x型 圖-22:光儲一體機主流拓?fù)浼捌骷x型 參考1:百度百度 參考2: 《2023年光伏逆變器發(fā)展動態(tài)分析:行業(yè)市場景氣度延續(xù),市場規(guī)模有望持續(xù)擴張 》 作者:智研咨詢 來源:雪球
2023-11-21 16:07:04

AMD Radeon Pro W7700顯卡評測

GPU核心旁邊是8顆SK海力士GDDR6顯存,頻率18GHz,單顆容量2GB,8顆組成256Bit 16GB,顯存帶寬576GB/s。
2023-11-17 14:57:42204

芯片設(shè)計中DRAM類型如何選擇

DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非??欤鏗BM,但也很昂貴。其他類型速度較慢,但價格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,變化的是,在異構(gòu)架構(gòu)中,兩者都可以發(fā)揮重要作用,以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲器,如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243

三星與SK海力士DRAM繼續(xù)漲價

筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價,10 月也較9 月上漲11.5%,到每單位33 美元。智能手機DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預(yù)計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09958

智能車賽道記憶算法的研究

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《智能車賽道記憶算法的研究.pdf》資料免費下載
2023-11-02 09:42:550

旋轉(zhuǎn)拉力測試儀晶片推拉力測試機

測試儀晶片
力標(biāo)精密設(shè)備發(fā)布于 2023-10-31 17:50:46

GB32兼容STM32的代碼嗎?

GB32兼容STM32的代碼嗎
2023-10-27 08:06:19

單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram,目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度?!绷硗猓钦跍?zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485

厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻有什么區(qū)別?

電阻器是電子電路中常見的被動元件,用于限制電流、調(diào)整電壓和執(zhí)行其他電阻性功能。在電阻器的制造中,有兩種常見的類型:厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻。這兩種類型的電阻器在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用方面都有一些顯著的區(qū)別。本文將介紹厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區(qū)別,以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17840

季漲約3~8%,DRAM合約價大幅回升!

據(jù)TrendForce的研究顯示,第4季DRAM與NAND Flash均價將開始全面上漲。特別是DRAM,預(yù)計第4季的合約價將季漲幅約在3%到8%之間。然而,這波上漲是否能持續(xù),取決于供應(yīng)商是否堅守減產(chǎn)策略以及實際需求的回升程度,尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:18376

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762

MRAM會取代DDR嗎?簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別

在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221687

倒裝晶片貼裝設(shè)備

倒裝晶片(Flip Chip)貼裝屬于先進半導(dǎo)體組裝(Advanced Semiconductor Assembly),常見的應(yīng)用有無線天線、藍(lán)牙、硬盤磁頭、元件封裝、智能傳感器和一些醫(yī)用高精密設(shè)備等。
2023-09-26 15:47:45334

DRAM的工作原理 DRAM存儲數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)過程說明

內(nèi)存應(yīng)該是每個硬件工程師都繞不開的話題,稍微復(fù)雜一點的系統(tǒng)都需要用到DRAM,并且DRAM是除CPU之外,最為復(fù)雜也最貴的核心部件了,其設(shè)計,仿真,調(diào)試,焊接,等等都非常復(fù)雜,且重要。對DRAM
2023-09-25 11:38:421900

晶片主要切割方式的原因、區(qū)別和應(yīng)用

晶片切割方式對晶振的性能和應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)生重要影響。不同的切割方式適用于不同的需求和環(huán)境條件,提供了多樣性的選擇。本文將深入探討主要的晶片切割方式,包括原因、區(qū)別以及主要的應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 12:08:371066

【開源硬件】全志芯片系列優(yōu)秀開源工程分享

。 YuzukiRuler Pro采用全志 D1-H為主控,最大支持2GB內(nèi)存,256GB儲存的全面屏Linux小尺子,RISCV64 指令集,板載UART和OTG,還將屏幕升級為一個3.2寸800x320屏幕
2023-09-14 09:49:58

DRAM的變數(shù)

2022年第四季度DRAM行業(yè)營收環(huán)比下降超過三成,跌幅超過2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內(nèi)存價格環(huán)比下降23-28%,DDR5內(nèi)存價格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758

三星發(fā)布容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組
2023-09-01 10:14:29559

內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程

內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285

nuc200如何使用IC內(nèi)的data flash memory作為斷電后儲存設(shè)定資料的記憶體?

我使用nuc200,想要使用IC內(nèi)的data flash memory作為斷電后儲存設(shè)定資料的記憶體。 請問有前輩有使用過嗎?
2023-08-25 08:24:01

關(guān)于使用NANO130KE3BN晶片USB_HID功能Window Tool的疑問

BSP_CMSIS_V3.02.000SampleCodeStdDriverUSBD_HID_TransferKEIL 裡頭的檔案燒錄進NANO130KE3BN晶片 并且想要使用內(nèi)附的Window Tool觀察資料的傳輸 但是我利用Visual C++ compile出Window
2023-08-24 06:13:50

3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非
2023-08-08 14:24:12744

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價 漲幅為15%

據(jù)《電子時報》報道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:24762

dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當(dāng)斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032201

介紹一種純記憶模式下的智能駕駛行車設(shè)計方法

記憶泊車類似,記憶行車這一功能主要實現(xiàn)簡單的面向服務(wù)的應(yīng)用服務(wù)。實現(xiàn)的典型應(yīng)用場景包括:上下班路線,接送兒童,商超采購等。
2023-07-12 10:07:50312

全面詳解CoWoS封裝技術(shù)特點及優(yōu)勢

CoWoS 技術(shù)概念,簡單來說是先將半導(dǎo)體芯片(像是處理器、記憶體等),一同放在硅中介層上,再透過Chip on Wafer(CoW)的封裝制程連接至底層基板上。
2023-07-11 10:06:113560

Arduino記憶游戲

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Arduino記憶游戲.zip》資料免費下載
2023-07-10 16:49:211

5G PA怎么還會有“記憶效應(yīng)”?

在5G PA設(shè)計和應(yīng)用中,有一個名詞經(jīng)常被大家提及:記憶效應(yīng)(Memory Effect)。
2023-07-04 17:27:34582

請問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD,單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價位?。?/a>

高品質(zhì)抗硫化汽車級晶片電阻器NS系列-阻容1號

高品質(zhì)抗硫化汽車級晶片電阻器NS系列-阻容1號
2023-06-10 11:14:31492

基于Rockchip RK3568的路由器開發(fā)方案

Banana Pi BPI-R2 Pro 開源路由器采用Rockchip RK3568芯片方案設(shè)計, 板載2GB LPDDR4內(nèi)存和16GB eMMC存儲,支持2個USB 3.0接口,5千兆網(wǎng)口
2023-06-07 09:17:38

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

在i.MX93 EVKCM上的EthosU NPU上推斷AI模型時遇到錯誤怎么解決?

內(nèi)部默認(rèn) 加速器時鐘 1000 MHz 設(shè)計峰值 SRAM 帶寬 16.00 GB/s 設(shè)計峰值 DRAM 帶寬 3.75 GB/s 使用的 SRAM 總量 370.91 KiB 使用的 DRAM
2023-06-05 11:36:22

存儲芯片拐點何時到來?DRAM價格已連續(xù)12個月下跌

市場上,DRAM價格已連續(xù)12個月下跌,4月份DDR4 8Gb批發(fā)價為每個1.48美元左右,環(huán)比下跌1%。
2023-06-01 17:59:111713

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗,探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響,并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062212

LED封裝晶片便攜式推拉力測試機

博森源LED封裝晶片便攜式推拉力測試機是一種非常實用的測試設(shè)備,可以方便地進行LED封裝晶片的推拉力測試,從而保證LED產(chǎn)品的質(zhì)量。該測試機具有便攜式設(shè)計、數(shù)字顯示屏、高精度、高穩(wěn)定性、高可靠性等特點,可以滿足各種LED封裝晶片的測試需求。
2023-05-31 10:05:25386

DRAM連接32位SDRAM時,sdram支持多大的容量?

DRAM 連接32位SDRAM時,最大支持64Mx32bit?
2023-05-26 07:27:07

led晶片推拉力機半導(dǎo)體推拉力測試儀

led晶片
力標(biāo)精密設(shè)備發(fā)布于 2023-05-24 17:40:04

00023 【亞博智能】Jetson nano 2GB,震撼發(fā)布。小姐姐帶你開箱評測 #英偉達(dá)

編程開源樹莓派
學(xué)習(xí)電子知識發(fā)布于 2023-05-22 19:43:48

NY8A053E是以EPROM作為記憶體的8位元微控制器

NY8A053E是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器,專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計,例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是游樂器周邊等等。採用CMOS製程并同時提供客戶低成本、高性能等顯著優(yōu)勢
2023-05-19 16:09:22500

汽車行業(yè)主要發(fā)展趨勢及其對內(nèi)存與存儲的影響

)。屆時汽車銷量預(yù)計將超過 9,700 萬輛,平均每輛汽車會搭載 16GBDRAM 與 204GB 的 NAND,較 2021 年一輛普通汽車所需的 DRAM 和 NAND 容量分別提高了 3 倍和 4 倍。
2023-05-17 09:33:18414

晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

厚聲晶片排列電阻器-阻容1號

晶片排列電阻器(Surface Mount Resistor Array)是一種常用的電阻器封裝方式,它采用集成電路工藝制造,將多個電阻器集成在一個小型封裝中。
2023-05-15 17:06:06459

三星電子研發(fā)首款DRAM 擴大CXL生態(tài)系統(tǒng)

基于先進CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn),加速下一代存儲器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179

請幫助檢查MCIMX8DXL是否可以支持2GB LPDDR4解決方案?

請幫助檢查MCIMX8DXL是否可以支持2GB LPDDR4解決方案?
2023-05-06 08:09:49

使用調(diào)試器將程序加載到DRAM中,為什么配置工具會出現(xiàn)此錯誤?

我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上開發(fā)應(yīng)用程序。 應(yīng)用程序代碼和數(shù)據(jù)在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一個可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14

存算一技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢

存算一
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-25 17:21:41

什么是DRAM?DRAM存儲單元電路讀寫原理

內(nèi)存芯片中每個單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例,每粒內(nèi)存芯片有4G個獨立地址。
2023-04-25 10:05:085444

AI訓(xùn)練不可或缺的存儲,HBM3 DRAM再升級

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶) SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002616

ICODE SLIX SL2S2602如何通過密碼保護用戶記憶?

我有一個新的(空的)SLIX2 標(biāo)簽,使用 clrc66303 訪問。我可以查詢和發(fā)出通用命令(如寫入和讀取塊、選擇、獲取隨機數(shù)……)。但我試圖發(fā)送 0xB3 來設(shè)置密碼。我得到返回代碼 0x0f。我的目標(biāo)是通過密碼保護用戶記憶。
2023-04-20 06:19:01

SD卡引導(dǎo)讀取簇錯誤是什么原因造成的?

(基于imx8mplus)內(nèi)存:MT53D512M32D2 (2GB)SD 卡:SP 16GB 和 SanDisk 16GB 為 imx8mplus 平臺構(gòu)建可啟動 SD 卡。在 srg-imx8mplus 平臺
2023-04-14 07:49:32

半導(dǎo)體記憶體行情惡化仍在持續(xù) 存儲芯片市場面臨洗牌

廣泛用于各種數(shù)字產(chǎn)品的半導(dǎo)體記憶體的行情容易出現(xiàn)暴漲暴跌。在過去的行情低迷期,隨著個人電腦、功能手機、智能手機、數(shù)據(jù)中心等新需求方的出現(xiàn),不斷走出最糟糕時期。
2023-04-13 12:55:18353

mcu具有什么功能?未來的創(chuàng)新發(fā)展趨勢是什么?

完成高速的外設(shè),所以32位MCU的執(zhí)行及運算速度會更快,程序記憶體更大,一般適用于高檔的產(chǎn)品,例如掃地機器人、高階智能鎖等。 二、MCU未來的創(chuàng)新發(fā)展趨勢是什么? 目前來看,國內(nèi)MCU“賽道”可算是
2023-04-10 15:07:42

ls1043a使用 (0-2GB) DDR 數(shù)據(jù)顯示不正確怎么解決?

社會:ls1043aDDR:MT40A2G8VA-062E:B,x5,4 個用于 8GB,1 個用于 ECC。我使用 CW 獲取配置文件: 我嘗試了兩個文件來生成 img他們都在 BL2 運行時遇到問題:使用 (0-2GB) DDR 數(shù)據(jù)顯示不正確:(寫入≠讀?。?我該如何解決?謝謝
2023-04-07 06:44:48

如何在SDK1.9中更改U-Boot for P2020中的2G DRAM大???

大家好,請問大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小嗎?我嘗試更改p1_p2_rdb_pc.h,但是uboot 無法運行,見日志如下。還有一個
2023-04-03 06:40:26

什么是DRAM、什么是NAND Flash

存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內(nèi)存儲器(簡稱內(nèi)存,港臺稱之為記憶體
2023-03-30 14:18:4815276

SMC02GBFK6E

MEMORY CARD COMPACTFLASH 2GB
2023-03-29 21:27:27

VL-F41-2EBN

2GB MICROSD CARD
2023-03-29 19:55:03

VL-F20-2SBN

2GB DISKONMODULE STD TEMP
2023-03-29 19:55:01

LGE-CTO使用OPTE的4G DRAM啟動失敗的原因?

0x40000000- #define phys_sdram_size 0xc0000000 / * 3gb ddr * / + #define phys_sdram_size size
2023-03-29 07:51:32

如何在BL2中配置DDR init?

你好 我們正在使用 4 * 2GB DDR4 芯片構(gòu)建我們的定制 ls1046a 板。(我們參考LS1046AFRWY,容量翻倍,去掉ECC)首先我生成了 BL2 二進制文件制作 PLAT
2023-03-24 08:50:43

UBOOT在硬件2GB RAM上顯示3GB RAM是怎么回事?

我使用 MSCale DDR 工具在基于 iMX8mq-evk 的定制板上進行 RAM 校準(zhǔn)。Mscale DDR Tool RAM 顯示 RAM 的大小為 2GB2GB 是正確的值)。然后我生成
2023-03-24 07:43:17

已全部加載完成