Vishay新推出的24 V XClampR? 瞬態(tài)電壓抑制器的性能達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平 ? 雙向器件高功耗和高脈沖電流結(jié)合高度溫度穩(wěn)定性適用于汽車、通信和工業(yè)應(yīng)用 ? 賓夕法尼亞、MALVERN
2022-07-01 10:12:23
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日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出免費(fèi)的在線工具PowerCAD Simulation，可以讓工程師又快又方便地對(duì)采用Vishay Siliconix穩(wěn)壓器IC的電路進(jìn)行測(cè)試和優(yōu)化。
2012-04-10 09:32:33623 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出免費(fèi)的在線工具PowerCAD Simulation，可以讓工程師又快又方便地對(duì)采用Vishay Siliconix穩(wěn)壓器IC的電路進(jìn)行測(cè)試和優(yōu)化。
2012-04-05 15:06:54655 --- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?。與前一代產(chǎn)品和在相同占位內(nèi)具有近似導(dǎo)通電阻的競(jìng)爭(zhēng)模擬開關(guān)相比，這些器件在關(guān)閉
2019-03-08 15:06:392213 Vishay 宣布，推出迄今體積最小的汽車級(jí)IHLP?超薄、大電流電感---IHLP-1212Ax系列之IHLP-1212AZ-A1和IHLP-1212AB-A1。
2019-07-25 09:29:561631 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
Vishay宣布，推出經(jīng)過AEC-Q200認(rèn)證、業(yè)界先進(jìn)的采用混合繞線技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸的新型充電電阻--- HRHA。
2022-03-16 11:21:34618 
V Hyperfast恢復(fù)整流器---12?A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15 A VS-E5TW1506FP-N3 和VS-E5TX1506FP-N3。該系列的整流器反向恢復(fù)性能達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平，提高中頻逆變器和軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。 ? Visha
2022-10-11 13:51:48519 
年 1 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT
2023-01-30 10:09:49529 
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 30A 30A P溝道 MOS管 30P03，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷30P03 參數(shù)： -30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌：HN
2021-03-30 14:33:48
，增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET?；靖拍?b class="flag-6" style="color: red">溝道由大多數(shù)電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，它采用先進(jìn)工藝，提供較低的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護(hù)，或PWM開關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
Si9241AEY是一個(gè)單片總線收發(fā)器提供汽車雙向串行通信診斷應(yīng)用程序。該裝置具有過電壓保護(hù)和VBAT短路。收發(fā)信管腳受到保護(hù)可以驅(qū)動(dòng)超過VBAT電壓。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
`威世利用其硅尼克斯 （Vishay Siliconix）配件，在開發(fā)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品方面居世界領(lǐng)先地位，這些產(chǎn)品提高了要求縮減空間的終端產(chǎn)品中電源管理電路的效率。作為世界排名第一的低壓功率
2021-02-23 18:00:56
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
汽車級(jí)電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車級(jí)高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用導(dǎo)電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工
2014-08-08 14:15:16
0.47m?，飽和電流的范圍介于15.5A～120A，在頻率至5MHz范圍內(nèi)其損耗相當(dāng)?shù)汀? Vishay此次推出的這四款器件具有5.6μH、6.8μH、8.2μH及10μH的電感值，容差為±20%。已獲
2018-10-24 11:33:47
MIS1011 是最先進(jìn)的130萬像素，數(shù)字CMOS圖像傳感器,兼容AR0130，特別在低照時(shí)要比APTINA的AR0130還要清晰。
2015-08-27 13:09:49
今年二月23日，Nordic在官網(wǎng)宣布，nRF52832進(jìn)入批量生產(chǎn)。并且說是最先進(jìn)的藍(lán)牙智能單芯片SOC。讓我們看看有什么地方突破的。1.首款通過Bluetooth v4.2認(rèn)證。通過了
2016-03-15 14:01:57
Hittite推出業(yè)界領(lǐng)先的商業(yè)DRO產(chǎn)品線
2019-09-11 06:01:58
/>【正文快照】：IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅
2010-05-06 08:55:20
的生產(chǎn)成本也更低，因此價(jià)格更低，性能高于 p 溝道 MOSFET。在P溝道MOSFET中，源極連接到正電壓，當(dāng)柵極上的電壓低于某個(gè)閾值（Vgs 0）時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。這意味著，如果您想使用 P 溝道
2023-02-02 16:26:45
小編在接到客戶咨詢關(guān)于MOS管的時(shí)候，總會(huì)被問到一個(gè)問題：怎么選擇合適的MOS管？關(guān)于這一個(gè)問題，昨天針對(duì)這個(gè)問題，在電壓、電流方面已經(jīng)做出了部分解釋，今天我們來看其他方面的影響。確定N、P溝道
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
更高的攝影相結(jié)合。我們相信，我們高性能的OV14810在這方面的發(fā)展有很大發(fā)展?jié)摿??！啊 ?gt;>OmniVision新的14.6百萬像素高清傳感器采用最先進(jìn)的1.4微米OmniBSITM像素
2018-11-14 16:40:29
今天，我們推出了TI-RTOS 2.12 —— 我們用來加快開發(fā)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用的軟件平臺(tái)。對(duì)許多IoT應(yīng)用而言，電池壽命均是一個(gè)關(guān)鍵的優(yōu)劣區(qū)分因素，因此，TI-RTOS的最先進(jìn)電源管理軟件使
2018-09-10 15:16:57
1、MSO的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極，不用說比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
各位好，有沒有2個(gè)N溝道和2個(gè)P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
安捷倫科技公司推出業(yè)界最先進(jìn)的固定配置邏輯分析儀
2019-09-29 10:20:17
ARM推出具備先進(jìn)安全特性的全新實(shí)時(shí)處理器，面向無人駕駛、醫(yī)療和工業(yè)機(jī)器人領(lǐng)域。ARMCortex-R52旨在幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功能安全，滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)中最嚴(yán)格的安全標(biāo)準(zhǔn)ISO 26262 ASIL
2016-10-08 17:10:36
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
2023年2月27日，中國(guó)上海 — 思特威（上海）電子科技股份有限公司，正式推出業(yè)界首顆5MP DSI－2技術(shù)全性能升級(jí)Pro系列安防應(yīng)用圖像傳感器新品SC5336P。新品擁有3K級(jí)的清晰畫質(zhì)，既是
2023-02-28 09:24:04
新品發(fā)布|業(yè)界首款！潤(rùn)開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的智能硬件開發(fā)平臺(tái)HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
擴(kuò)展了旗下 16 納米 (nm)Virtex? UltraScale+? 產(chǎn)品系列。VU19P擁有 350 億個(gè)晶體管，有史以來單顆芯片最高邏輯密度和最大I/O 數(shù)量，用以支持未來最先進(jìn) ASIC 和 SoC 技術(shù)的仿真與原型設(shè)計(jì)，同時(shí)，也將廣泛支持測(cè)試測(cè)量、計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、航空航天和國(guó)防等相關(guān)應(yīng)用。
2020-11-02 08:34:50
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向?qū)б齌O-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay 推出業(yè)界最小尺寸的超高精度Bulk Metal® Z箔卷型表面貼裝電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新型 VSMP0603 超高精度Bulk Metal&r
2008-08-18 10:04:09428 日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。
Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay推出業(yè)界最薄的表面貼裝瞬間電壓抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有業(yè)內(nèi)1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb®
2009-11-19 09:57:35381 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出Bulk Metal箔電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的
2010-01-09 09:44:18595 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出2010年的“Super 12”高性
2010-03-25 15:37:06660 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出Power Metal Strip分流電阻的流媒體視頻
Vishay推出為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(
2010-05-08 16:14:23629 日前，長(zhǎng)期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應(yīng)商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經(jīng)通過了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款具有0.035的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器 --
2010-09-28 09:24:12626 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用非接觸技術(shù)的多匝傳感器 --- 34 THE。10匝34 THE霍爾效應(yīng)傳感器可采用伺服或套管安裝，為在惡劣環(huán)境中
2010-12-16 09:26:36474 Vishay宣布，推出業(yè)界首款綠色、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（無任何例外）的厚膜矩形貼片電阻--- RCG e3
2011-03-24 10:36:571265 Vishay宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141383 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 高效能類比與混合訊號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商芯科實(shí)驗(yàn)室(Silicon Laboratories)宣布推出業(yè)界最先進(jìn)的車用調(diào)諧器IC系列--Si476x，該系列晶片采用先進(jìn)的訊號(hào)處理技術(shù)提供最高的射頻(RF)效能，能夠降低汽
2011-11-25 10:01:361256 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 內(nèi)小蜂窩基站技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)indspeed科技有限公司(納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：MSPD)日前宣布：為雙模并發(fā)3G和長(zhǎng)期演進(jìn)計(jì)劃（LTE）運(yùn)營(yíng)推出最先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）解決方案。
2012-02-22 11:47:301283 Mouser Electronics開始供應(yīng)Vishay Siliconix第一款採(cǎi)用業(yè)界最小的晶片級(jí)封裝，并將導(dǎo)通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流， 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581089 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用2.4mm
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對(duì)稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個(gè)小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡(jiǎn)化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
2014-02-10 15:16:51890 voicor batmod最先進(jìn)的電池充電器
2016-06-02 15:41:0939 轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對(duì)稱封裝里，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171004 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將多個(gè)Vishay Siliconix模擬開關(guān)產(chǎn)品升級(jí)到了新工藝，大幅提升了器件性能和壽命。這種新工藝能夠替代漸趨過時(shí)的硅技術(shù)
2016-09-02 09:15:071699 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供
2017-02-10 15:10:111667 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴(kuò)充其microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節(jié)省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）推出世界上最先進(jìn)的6軸運(yùn)動(dòng)傳感器，全面支持智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)碼相機(jī)的光學(xué)圖像穩(wěn)定系統(tǒng)（image stabilization）。
2018-07-02 11:50:005359 關(guān)鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用
2019-01-01 16:29:01380 Allegro近日推出公司最先進(jìn)的變速箱速度傳感器系列產(chǎn)品A19520、A19530和A19570。
2019-01-23 14:07:593536 高通宣布推出第二代5G調(diào)制解調(diào)器驍龍X55，采用7納米工藝，號(hào)稱迄今最先進(jìn)的調(diào)制解調(diào)器，目前已有30多款5G手機(jī)在研發(fā)，預(yù)計(jì)今年年底前問世。
2019-02-21 15:19:244493 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出最新系列小型徑向引線高壓?jiǎn)螌哟善娙萜?--RoedersteinHVCC系列。Vishay
2019-05-16 09:22:534093 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 非對(duì)稱雙芯片封裝的業(yè)界首款此類器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在滿足汽車行業(yè)節(jié)省空間以及提高DC/DC開關(guān)模式電源效率的需求。
2020-12-15 16:09:501556 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級(jí)可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出六款新型 3.4 mm×3.4 mm 表面貼裝 850 nm 和 940 nm 高功率紅外(IR)發(fā)射器，輻照強(qiáng)度達(dá)到同類器件先進(jìn)水平，進(jìn)一步擴(kuò)充其光電產(chǎn)品組合。新款 Vishay
2022-02-21 13:31:351569 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 為滿足國(guó)防和航空航天應(yīng)用需求，Vishay 推出新款高能液鉭電容器，器件每款電壓等級(jí)和外形尺寸的容量均為業(yè)界先進(jìn)。
2022-05-26 17:23:531501 Vishay 推出新系列薄型符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)的 DC-Link 金屬化聚丙烯薄膜電容器。Vishay RoedersteinMKP1848Se DC-Link 是業(yè)界先進(jìn)器件，在額定電壓
2022-06-16 17:14:061160 N 溝道器件實(shí)現(xiàn)高功率密度，降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 中國(guó)目前最先進(jìn)的國(guó)產(chǎn)芯片是哪個(gè)呢？
2023-05-29 09:44:2218385 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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