外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講，外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:47
10447 和高質(zhì)量的晶體管，它們都需要用到外延晶片。在本文中，我們將介紹這種在晶圓之上由超純硅構(gòu)成的超高純層(也被稱(chēng)為“外延層)的形成過(guò)程、用途和特征。
2023-06-26 10:05:29417 
在microLED顯示器和功率器件的驅(qū)動(dòng)下，外延設(shè)備的出貨量在未來(lái)五年將增長(zhǎng)三倍以上。 外延在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置 化合物半導(dǎo)體外延片正大舉進(jìn)軍超越摩爾領(lǐng)域 據(jù)麥姆斯咨詢(xún)介紹，目前，外延生長(zhǎng)用于
2020-01-30 09:58:584545 Asterion DC ASM系列電源可通過(guò)直觀(guān)易用的觸摸屏或數(shù)字通信接口進(jìn)行控制，其標(biāo)配LXI LAN，USB和RS232接口且可選配GPIB接口。
2021-11-23 09:57:363179 
本書(shū)主要內(nèi)容包括：電源技術(shù)概述及通信電源系統(tǒng)組成、相位控制型電源、基準(zhǔn)電源與程控電源、開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源、物理電源與化學(xué)電源、不間斷電源、通信電源集中監(jiān)控系統(tǒng)以及開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)等。
2013-02-19 15:14:35
擾動(dòng)的來(lái)源是多個(gè)負(fù)載連接到同一網(wǎng)絡(luò)，引起擾動(dòng)穿越鄰近設(shè)施和建筑物。為了克服電源質(zhì)量挑戰(zhàn)，有必要監(jiān)控輸入以及負(fù)載產(chǎn)生的擾動(dòng)。電源質(zhì)量監(jiān)控可為設(shè)備提供適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)，并且?guī)椭_定合適的管控技術(shù)來(lái)提高電源質(zhì)量。如果利益相關(guān)方充分利用這些技術(shù)，其昂貴的基礎(chǔ)設(shè)施將受益于干凈的電源并獲得更長(zhǎng)的使用壽命。
2019-07-16 08:24:22
大家好，我正在研究PIC16F68上的一個(gè)舊的ASM軟件。在某些情況下，會(huì)發(fā)生設(shè)備復(fù)位，我試圖找出原因。我不能把ICD3作為調(diào)試器，因?yàn)槌绦騼?nèi)存已滿(mǎn)（2個(gè)單詞空閑）。我試過(guò)：-禁用配置位=>中
2020-03-31 09:55:07
工作，拉動(dòng)輸出引腳高。我只是在中斷中使用PIN啟用和禁用功能來(lái)切換從發(fā)送到接收。我似乎找不到代碼或啟用PIN。有沒(méi)有人知道API在哪里，或者它是硬件功能嗎？謝謝
2019-08-16 07:33:57
嗨，我繞了一圈想弄清楚RN4871上如何啟用不同的電源模式，以及它們對(duì)于設(shè)備行為的意義，所以我在下面列出了電源模式的參考資料。特別是，我試圖進(jìn)入最低功率模式，根據(jù)數(shù)據(jù)表繪制1至1.7uA。注意，在
2020-04-17 07:48:38
你好，我們的設(shè)備將進(jìn)入非常嘈雜的危險(xiǎn)環(huán)境行業(yè)，我們希望確保設(shè)備在任何情況下都能正常工作，STM32WLE5CC 是具有 Lorawan 和多種應(yīng)用功能（如 RTC、顯示等）的終端節(jié)點(diǎn)。 在這種環(huán)境下
2022-12-27 06:36:42
Verilog設(shè)計(jì)內(nèi)外延時(shí)
2012-08-15 16:31:14
ch9328的USB端可以外延帶屏蔽的標(biāo)準(zhǔn)USB線(xiàn)嗎，有線(xiàn)長(zhǎng)要求嗎？
2022-07-07 06:08:49
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
嗨，在研究谷歌之后，在XC32指南上，我放棄并問(wèn)：ASM（“…”）和ASM易失性（“…”）之間的區(qū)別是什么？而且，ASM和γ-ASMY之間有什么區(qū)別嗎？謝謝你，M.R. 以上來(lái)自于百度翻譯 以下
2018-09-26 16:32:30
我正在 Linux 中開(kāi)發(fā) ASM330LH。在內(nèi)核中啟用 ASM 驅(qū)動(dòng)程序、IIO 驅(qū)動(dòng)程序并在設(shè)備樹(shù)中添加 asm 節(jié)點(diǎn)條目后，設(shè)備就會(huì)被檢測(cè)到。目標(biāo)：/sys/bus/iio/devices
2023-01-13 08:14:53
在電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，電力電子技術(shù)越來(lái)越受到人們的重視，而其中電源技術(shù)的更新?lián)Q代更加推動(dòng)了相關(guān)電子設(shè)備及元器件的發(fā)展。不論是人們的日常生活還是現(xiàn)代電子戰(zhàn)爭(zhēng)，電源系統(tǒng)作為其動(dòng)力源，其地位
2019-07-24 06:06:07
);}所以這些是啟用調(diào)節(jié)器和啟用功能：void Enable_regulator(ADC_TypeDef * adc){adc->CR &= ~(ADC_CR_ADVERGEN_CLEAR
2022-12-02 07:41:30
` 有誰(shuí)用過(guò)SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測(cè)試儀，關(guān)于測(cè)試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
是否有必要為車(chē)載設(shè)備編程提供XRE引腳的訪(fǎng)問(wèn)？或者設(shè)備可以像PSOC 1設(shè)備那樣使用功率復(fù)位編程嗎？編程規(guī)范說(shuō)明XRES方法是推薦的方法，但是可選地使用功率序列，但是必須使用技術(shù)參考手冊(cè)XRE。有人讓電源重新編程工作嗎？我寧愿在板上沒(méi)有XRE的冗余連接器引腳。
2019-09-17 14:31:51
型號(hào)。今天中港揚(yáng)盛技術(shù)員就跟大家聊聊使用功率FET應(yīng)該注意的問(wèn)題有哪些。電路的綜合成本超過(guò)雙極型晶體管,尤其是在開(kāi)關(guān)頻率提高的情況下,功率FET是不可缺少的元件。功率FET用于開(kāi)關(guān)電源時(shí),若使用雙極型晶體...
2021-11-12 07:10:09
組件可以通過(guò)創(chuàng)建和獲取電源管理鎖來(lái)控制功耗編譯時(shí)可使用CONFIG_PM_ENABLE選項(xiàng)啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網(wǎng)）啟用電源管理功能將會(huì)增加中斷延遲。額外延遲與多個(gè)因素有關(guān)，例如CPU頻率
2021-12-27 06:11:35
通信電源設(shè)備的防雷技術(shù)要求和測(cè)試方法通信電源設(shè)備的防雷是個(gè)系統(tǒng)工程，必須從市電交流電力網(wǎng)超高壓開(kāi)始逐級(jí)采取措施.在對(duì)電力線(xiàn)入局前電力變壓器的低壓側(cè),電力網(wǎng)的配電系統(tǒng),引入通信局(站)的電力電纜及其
2009-12-02 10:51:21
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣(mài)銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
描述TIDA-00761 是在小外形設(shè)計(jì)中采用 bq25120 IC 的電源管理解決方案，適用于低功耗可穿戴設(shè)備。它集成了用于可穿戴設(shè)備的最常用功能：線(xiàn)性充電器、穩(wěn)壓輸出、負(fù)載開(kāi)關(guān)、帶計(jì)時(shí)器的手動(dòng)
2018-08-24 09:35:48
通信電源新技術(shù)與新設(shè)備:本書(shū)為郵電部通信電源專(zhuān)業(yè)情報(bào)網(wǎng)組織編寫(xiě)的“通信電源新技術(shù)與新設(shè)備叢書(shū)”中的一種。全書(shū)共分七章：第一章論述了蓄電池的類(lèi)型、基本性能、行業(yè)標(biāo)
2009-03-19 17:23:10
46 和渦輪分子泵, 檢漏儀 ASM 392 內(nèi)置2臺(tái)渦輪分子泵, 可以加速檢漏流程, 降低生產(chǎn)設(shè)備的停機(jī)時(shí)間, ASM 390, ASM 392 對(duì)氦氣的快速抽空能力
2022-07-28 09:19:53
如何導(dǎo)入ASM文件到工程(視頻教程)
2009-07-25 09:54:1539 NPN 硅外延三極管型號(hào)
2009-11-12 14:28:4121 Marki Microwave 的 MEQ3-14ASM 是一款增益均衡器，頻率為 DC 至 14 GHz，增益均衡為 3 dB。標(biāo)簽：表面貼裝，正
2023-05-12 13:42:37
Marki Microwave 的 MEQ6-20ASM 是一款增益均衡器，頻率為 DC 至 20 GHz，增益均衡為 6 dB。標(biāo)簽
2023-05-12 13:51:17
電氣設(shè)備-電源設(shè)備技術(shù)和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)成就軌道交通電源行業(yè)強(qiáng)者
2010-11-10 23:55:4018 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 硅單晶外延層的質(zhì)量檢測(cè)與分析
表征外延層片質(zhì)量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯(cuò)及位錯(cuò)密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:402682 
IR收購(gòu)ATMI硅外延服務(wù)部
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)宣布收購(gòu)ATMIInc.(納斯達(dá)克：ATMI)的特殊硅外延服務(wù)部。目
2009-07-06 08:45:27934 ASM-51宏匯編使用手冊(cè)
ASM-51 宏匯編主要用來(lái)開(kāi)發(fā)Inter8051系列單片機(jī)，它具有宏處理，數(shù)據(jù)處理，列表處理和條件處理等多種功能。源程
2009-09-06 09:04:491460
外延型二極管 用外延面長(zhǎng)的過(guò)程制造PN結(jié)而形成的二極管。制造時(shí)需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度
2009-11-07 08:43:34686 啟用PowerFill外延硅工藝的電源設(shè)備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-23 08:35:54539 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-25 09:17:05525 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:291820 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張 外延片 隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。 半導(dǎo)體制造
2011-09-22 16:38:321188 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 ASM固晶培訓(xùn)資料.關(guān)于固晶和焊線(xiàn)的相關(guān)知識(shí)介紹
2015-11-10 15:07:430 利用功率元件簡(jiǎn)化1kW電源設(shè)計(jì) 的PDF。
2016-01-06 18:03:430 tms320f2x ASM GUIDE。
2016-01-19 11:27:4010 電源設(shè)計(jì)——利用功率元件簡(jiǎn)化1kW電源設(shè)計(jì)
2016-05-24 16:45:550 如何啟用USB主機(jī)到主機(jī)設(shè)備的API支持Android_英版。
2016-10-12 16:05:100 AT&T_ASM資料，匯編語(yǔ)言。
2016-11-23 11:52:461 對(duì)于禁用和啟用網(wǎng)卡，找到控制面板的網(wǎng)絡(luò)設(shè)置里面就可以搞定的，但他們偏偏不，就要用批處理實(shí)現(xiàn)，好吧，微軟的 DevCon 工具就可以命令行禁用或啟用網(wǎng)卡，下面是兩個(gè)批處理的例子。
2017-09-20 14:37:355 ARM Bootloader 的實(shí)現(xiàn)C 和 ASM 混合編程
2017-10-30 09:28:1615 人臉跟蹤和特征提取是人臉識(shí)別和機(jī)器視覺(jué)的關(guān)鍵技術(shù)。主動(dòng)形狀模型（Active Shape Model，ASM）是由Cootes等人于1995年提出的一種基于點(diǎn)分布模型算法，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于單幅人臉
2017-12-19 13:47:560 ASM絕對(duì)半導(dǎo)體后段工序設(shè)備同時(shí)也是蘋(píng)果華為小米背后的隱形大佬，近年來(lái)，ASMPT的后段工序設(shè)備和SMT業(yè)務(wù)市占率均已位居全球第一，身家400億，行業(yè)內(nèi)大名鼎鼎卻像個(gè)謎。近一年多來(lái)，ASMPT回購(gòu)和大股東減持，ASMI卻仍舊選擇高位減持。
2018-02-07 11:08:2130313 
80386asm匯編集合
2018-03-02 11:47:202 這個(gè)應(yīng)用筆記提供的例子展示了幾個(gè)可以在DSP/BIOS啟用的應(yīng)用程序中使用的電源管理技術(shù)。正如大多數(shù)軟件技術(shù)一樣，沒(méi)有一個(gè)適合所有人。你應(yīng)該決定哪些技術(shù)對(duì)你的應(yīng)用程序是有意義的。
2018-05-03 15:04:244 KEILC中.ASM文的導(dǎo)入和硬件仿真 第一大部分，如何把ASM格式文件導(dǎo)入KEIL中： 第1步,啟動(dòng)KEIL,新建工程 第2步,給新建工程起一個(gè)名字然后選擇保存 第3步,選擇要仿真的芯片種類(lèi)
2018-09-21 14:38:011555 據(jù)媒體報(bào)道，TCL正考慮競(jìng)購(gòu)ASMI公司所持有的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)ASM Pacific Technology Ltd. （ASM太平洋科技有限公司，以下簡(jiǎn)稱(chēng)ASMPT）的25%的股權(quán)。
2018-09-30 17:20:004169 近日，據(jù)報(bào)道，中國(guó)電子巨頭 TCL集團(tuán)（ 000100）考慮收購(gòu)半導(dǎo)體器材制造商ASM International NV(ASM國(guó)際00522，HK)旗下ASM Pacific Technology Limited(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ASM太平洋”)的25%股權(quán)。
2018-10-10 10:22:573182 LED的波長(zhǎng)、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為L(zhǎng)ED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:124524 ，且在采用國(guó)際業(yè)界嚴(yán)苛判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機(jī)械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢(shì)，能夠保障相關(guān)材料與技術(shù)在 5G 通訊、云計(jì)算、快充電源、無(wú)線(xiàn)充電等領(lǐng)域得到安全可靠的應(yīng)用。
2018-12-20 15:21:175524 重慶市大足區(qū)人民政府官網(wǎng)信息顯示，近日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚力成半導(dǎo)體”）一期廠(chǎng)房正式啟用，計(jì)劃10月開(kāi)始外延片的量產(chǎn)，生產(chǎn)線(xiàn)達(dá)21條，年產(chǎn)能達(dá)12萬(wàn)片。
2019-06-10 16:43:314390 ASM公司的引線(xiàn)框架事業(yè)部在全球引線(xiàn)框架領(lǐng)域排名前三，該事業(yè)部具有先進(jìn)的制造技術(shù)與長(zhǎng)遠(yuǎn)的產(chǎn)品路線(xiàn)規(guī)劃。
2020-07-29 16:09:01840 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是ASM源文件編譯器軟件免費(fèi)下載。適用于32位計(jì)算機(jī)，asm編譯器，將ASM51.exe放在同一目錄，在dos狀態(tài)編譯 如； d:asm51.exe ***.ASM{注意要空格}直接生成hex燒錄文件
2020-08-07 08:00:005 （ASM，architectedsoftmachine）。這個(gè)ASM將利用3D打印技術(shù)制造出真正的軟體機(jī)器人。
2020-08-14 10:16:15969 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2020-08-28 14:24:314757 
據(jù)外媒1月30日?qǐng)?bào)道，加拿大Micro LED技術(shù)開(kāi)發(fā)商VueReal宣布與ASM太平洋（ASMPT）達(dá)成合作關(guān)系，雙方將整合VueReal的墨盒Micro LED轉(zhuǎn)移技術(shù)與ASMPT的Micro LED巨量轉(zhuǎn)移接合技術(shù)。
2021-02-02 11:48:173304 本文檔將對(duì)嵌入式設(shè)備上的USB通用功能進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于希望有一個(gè)簡(jiǎn)單的接口可以經(jīng) USB 與主機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)讀 / 寫(xiě)的開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)，本文檔可用作編程指南。文中還說(shuō)明了如何把 Microchip 通用功能驅(qū)動(dòng)程序融入到開(kāi)發(fā)者自己的應(yīng)用中。
2021-04-02 15:08:0218 EE-32：語(yǔ)言擴(kuò)展：內(nèi)存存儲(chǔ)類(lèi)型、ASM和內(nèi)聯(lián)構(gòu)造
2021-04-25 09:32:227 最近做芯片和外延的研究，發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來(lái)的芯片性能差別很大，大到改變?cè)囼?yàn)設(shè)計(jì)的“世界觀(guān)”?；逡r底的質(zhì)量好壞很關(guān)鍵。
2021-08-12 10:55:584302 
開(kāi)關(guān)電源如何選用功率電感(通信電源技術(shù)雜志社電話(huà))-開(kāi)關(guān)電源如何選用電感，非常不錯(cuò)的技術(shù)資料！功率電感 – 怎樣選擇- 8個(gè)設(shè)計(jì)小貼士 -
2021-09-27 12:07:5127 Oracle如何實(shí)現(xiàn)外部調(diào)用功能講解(直流穩(wěn)壓電源技術(shù)參數(shù))-該文檔為Oracle如何實(shí)現(xiàn)外部調(diào)用功能講解文檔，是一份不錯(cuò)的參考文檔，感興趣的可以看看，，，，，，，，，
2021-09-28 13:46:5310 型號(hào)。今天中港揚(yáng)盛技術(shù)員就跟大家聊聊使用功率FET應(yīng)該注意的問(wèn)題有哪些。電路的綜合成本超過(guò)雙極型晶體管,尤其是在開(kāi)關(guān)頻率提高的情況下,功率FET是不可缺少的元件。功率FET用于開(kāi)關(guān)電源時(shí),若使用雙極型晶體...
2021-11-07 17:06:0013 組件可以通過(guò)創(chuàng)建和獲取電源管理鎖來(lái)控制功耗編譯時(shí)可使用CONFIG_PM_ENABLE選項(xiàng)啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網(wǎng)）啟用電源管理功能將會(huì)增加中斷延遲。額外延遲與多個(gè)因素有關(guān)，例如CPU頻率、單/雙核模式、是否需要進(jìn)行頻率切換等（CPU 頻率為 240 MHz 且未啟用頻率調(diào)節(jié)時(shí)，最小額外延遲
2022-01-05 14:38:443 完成接線(xiàn)并數(shù)據(jù)閃存之后，便可在特定軟件環(huán)境中對(duì)溫度信號(hào)進(jìn)行調(diào)。通過(guò)環(huán)境界面中的標(biāo)定變量 “ASM_Temp_facTGain_C” 和 “ASM_Temp_tOfst_C” 增大或減小ECU讀到的溫度值，達(dá)到終端客戶(hù)要求。
2022-07-14 16:07:45792 重組ASM存儲(chǔ)空間，從底層解析ASM磁盤(pán)，導(dǎo)出數(shù)據(jù)庫(kù)文件。從底層解析這些數(shù)據(jù)庫(kù)文件，按用戶(hù)將數(shù)據(jù)導(dǎo)入到新的數(shù)據(jù)庫(kù)中。
2022-09-26 11:15:231928 
固相外延，是指固體源在襯底上生長(zhǎng)一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過(guò)程。離于注入加工時(shí)，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210250 該外延片專(zhuān)為新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國(guó)產(chǎn)設(shè)備開(kāi)發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 10:08:54900 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:353012 碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車(chē)、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線(xiàn)和智能電站
2023-02-16 10:50:096935 晶體管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的測(cè)量工具和 技術(shù)，進(jìn)而呈現(xiàn)器件性能的優(yōu)劣。綜述了 GaN HEMT 外延材料的表征技術(shù)，詳細(xì)介紹了幾種表 征技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景和近年來(lái)國(guó)內(nèi)外的相關(guān)
2023-02-20 11:47:22876 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210569 數(shù)據(jù)庫(kù)故障：
Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)的ASM磁盤(pán)組掉線(xiàn)，ASM實(shí)例不能掛載。管理員嘗試修復(fù)數(shù)據(jù)庫(kù)但是沒(méi)有成功。
數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)恢復(fù)方案：
數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)恢復(fù)工程師通過(guò)分析組成ASM磁盤(pán)組的磁盤(pán)
2023-03-03 13:42:50571 
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462467 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱(chēng)外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092827 
如何計(jì)算啟用4個(gè)內(nèi)核的T4241的功率？ 要計(jì)算T4241啟用4個(gè)內(nèi)核的功率，需要知道以下信息： 1. T4241的額定電源電壓和電流 2. T4241啟用一個(gè)內(nèi)核的功耗 3. T4241啟用四個(gè)
2023-06-01 15:12:47278 TPS3431-Q1是標(biāo)準(zhǔn)的汽車(chē)帶啟用功能的可編程看門(mén)狗定時(shí)器用于汽車(chē)應(yīng)用?？撮T(mén)狗超時(shí)具有15%的精度，高精度計(jì)時(shí)（-40°C至+125°C），25oC時(shí)通常為2.5%。這個(gè)看門(mén)狗超時(shí)可以通過(guò)外部
2023-07-19 11:27:40408 
對(duì)于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。
2023-08-05 10:31:47914 
數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)恢復(fù)環(huán)境：
Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)ASM磁盤(pán)組有4塊成員盤(pán)。
數(shù)據(jù)庫(kù)故障&分析：
Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)ASM磁盤(pán)組掉線(xiàn) ，ASM實(shí)例無(wú)法掛載，用戶(hù)聯(lián)系我們要求恢復(fù)oracle數(shù)據(jù)庫(kù)。
2023-08-11 15:27:24851 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類(lèi)器件。
2023-08-15 14:43:341001 
asm預(yù)計(jì)兩年內(nèi)銷(xiāo)售額將從28億至34億歐元增加到30億至36億歐元。asm還重申了2023至2025年的總利潤(rùn)率為46%至50%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為26至31%的目標(biāo)。他還表示，將2026年至2027年設(shè)定了同樣的目標(biāo)，此后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率將呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。
2023-09-27 09:45:53449 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10963 
證監(jiān)會(huì)近日公告顯示，深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“納設(shè)智能”）已正式開(kāi)啟首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案程序。該公司專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）外延設(shè)備以及石墨烯等先進(jìn)材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和應(yīng)用推廣，是國(guó)產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備的領(lǐng)軍企業(yè)。
2024-02-26 17:28:02487 預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣，將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬(wàn)片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線(xiàn)。
2024-02-29 16:24:01217 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:2965
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