國際整流器公司IR推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、電池充電器等。
2012-05-17 10:00:20
1085 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:001733 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282339 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111114 WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動器，具有高低邊兩路輸出，可以單獨驅(qū)動兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的輸入信號兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:451934 
Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15665 
線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844 描述這款簡單的隔離型反激式設計可在 200mA 的條件下將 50V 至 600V 的輸入電壓轉(zhuǎn)換成 15V。LM5021-1 控制器因其脈沖跳躍模式而適用于綠色環(huán)保模式轉(zhuǎn)換器。由于脈沖跳躍模式的最大
2018-12-14 15:37:05
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關電源600V/3A。整流后經(jīng)四個大容，四個場效應管組成的對管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關管，大功率場效應管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個項目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過電阻分壓的方式對其進行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的，所以分壓電路設計上難把握。請問板上大聲有沒有有經(jīng)驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
，ID隨VGS而變化。從VGS(th)的規(guī)格值的角度看，只要條件沒有確定，就無法保證VGS(th)的值，因此在MOSFET的技術規(guī)格中規(guī)定了條件。這個表是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET
2018-11-28 14:28:20
DC12V-AH8669內(nèi)部集成600V高壓MOSFET，以滿足高電壓沖擊的需求。不同于典型的PWM控制方式。220V轉(zhuǎn)換12產(chǎn)品開關
2021-11-17 06:18:33
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放電二極管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放電二極管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
1. 特性? 高端懸浮自舉電源設計，耐壓可達 600V? 適應 5V、3.3V 輸入電壓? 最高頻率支持 500KHZ? VCC 和 VB 端電源帶欠壓保護? 低端 VCC 電壓范圍 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
FAN7391MX是一款單片高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動 IC，可驅(qū)動工作在高達 +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級，所有 NMOS 晶體管設計用于實現(xiàn)高脈沖電流驅(qū)動
2022-01-18 10:43:31
GTO一般最高只能做到幾百Hz,但功率較大，已達到3000A、4500V的容量。GTR目前其額定值已達1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz
2012-10-24 08:02:09
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14:51
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56:04
。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調(diào)器逆變器以及馬達控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保護式600V三相柵極驅(qū)動器
2016-06-21 18:26:25
JFE 超級鐵芯 Super Core 高頻用硅鋼片，0.1mm硅鋼，10JNHF600、10JNEX900
2018-12-06 02:17:50
確保高壓側(cè)電源開關的正確驅(qū)動。驅(qū)動器使用2個獨立輸入。特性：高壓范圍：高達600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅(qū)動電源范圍為10 V至20 V高和低驅(qū)動輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?。漂浮的通道可用于?qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動電源
2021-05-11 19:40:19
IPW60R060P7先找出在此一測試條件下之Vcross、Icross與tp訊息，來描繪出新的SOA。利用上述訊息即可計算出>Pd = 600V x 24A = 14400W>(150
2019-09-17 09:05:05
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
的小型化?！ ×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
/11.5A/5KW62050H-600可程控直流電源 600V/8.5A/5KW62050H-600S可程控直流電源 600V/8.5A/5KW 具有太陽電池模擬功能62075H-30可程控直流電源
2020-04-13 17:00:36
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
BT136 600E，說是一樣的，可以直接代換，我回到家上網(wǎng)一查：BTA08-600B 電流:IT(RMS) = 8A ;耐壓:VDRM = 600V;而 BT136 600E 電流:IT(RMS
2015-05-20 07:27:22
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設計，配有高端和低端驅(qū)動器，可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
加深理解，最好還是參閱技術規(guī)格的標準值和特性圖表。【標準SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
供應SVSP24NF60FJDD2 24A,600V超級溝槽mos，可廣泛應用于適用于硬/軟開關拓撲，；驪微電子是士蘭微mos代理商，提供SVSP24NF60FJDD2 24A,600V超級溝槽mos產(chǎn)品詳細參數(shù)及樣品申請。>>
2022-07-13 14:31:40
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的應用。在介紹最新溝槽柵場終止技術的背景后，本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動態(tài)性能改進和175℃的
2009-11-20 14:30:27
88 輸入12V 5A輸出600V 100MA直流逆變器電源電路
2008-12-07 19:43:292428 
英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44594 IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211329 
超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:11953 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 IR推出汽車驅(qū)動應用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機驅(qū)動、微型逆變器驅(qū)動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411349 
IR上市600V耐壓的車載設備用柵極驅(qū)動IC
美國國際整流器公司（IR）上市了+600V耐壓的車載設備用柵極驅(qū)動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 關注點一：功率半導體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用"超級結(jié)"（Super-Junction）結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了
2010-12-14 12:06:40639 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43782 在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技600V逆導型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現(xiàn)最高達96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13744 羅姆開發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊，額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因為采用了溝
2011-10-12 09:48:461281 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:46847 本文介紹了直流600V輸人多路直流輸出高頻開關電源設計方案，主電路采用雙管反激功率變換電路，控制電路采用電流型PWM控制技術
2011-10-18 11:51:23128 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風險企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:441931 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40794 全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布擴充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421270 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認為LED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時候電路電壓會到340V，在有的時候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了
2017-05-22 15:12:104927 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時間的兩個輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗А］斎脒壿嬎脚c3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3756 關注點一：功率半導體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用超級結(jié)(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎
2017-12-02 08:14:26148 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅(qū) 動 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時間，旨在避免出現(xiàn)意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:0011 除此之外，華虹宏力還是全球領先的功率半導體代工廠，擁有10年以上功率器件產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)經(jīng)驗，累計出貨超過410萬片晶圓，可為客戶提供獨特的、富有競爭力的超級結(jié)MOSFET（Super Junction
2019-10-18 16:45:131578 商業(yè)化正處于起步階段，F(xiàn)S技術更是遠遠落后于發(fā)達國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法，并通過
2019-12-19 17:59:0025 在高溫下，溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時，溫度系數(shù)會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 LT1358/LT1359：雙路和四路25 MHz、600V/μs運算放大器數(shù)據(jù)表
2021-05-08 12:42:3510 LT1357：25MHz，600V/OP數(shù)據(jù)Sheet
2021-05-21 09:20:080 SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強型場效應管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 220V交流轉(zhuǎn)600V直流，沒有380的可以這樣接直流母線上
2022-06-06 10:07:2919 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復整流器。
2022-10-14 16:11:241100 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 AN-9085 智能電源模塊，600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:341 600V SPM? 2 系列熱性能（通過安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時，警報輸出（...
2023-02-08 13:43:21561 
600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21869 超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲等特征，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:06555 
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:07578 
20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動IC，在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中，用于控制功率器件，如MOS晶體管或IGBT。
2023-02-24 18:13:331589 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復時間和業(yè)界超低導通電阻，可進一步降低工業(yè)設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 逆變器、全橋驅(qū)動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35934 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243 
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
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