英飛凌近日在2013應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)(APEC)中宣布推出DrBlade:全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件,它集成了DC/DC 驅(qū)動(dòng)器及MOSFET VR功率級(jí)。
2013-03-27 15:08:031216 本文提供了來(lái)自英飛凌的兩個(gè)文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin,其中在OptiMOS_n.sin這個(gè)單個(gè)模板中文件中包含了286個(gè)模型。
2023-12-06 11:32:46505 本應(yīng)用筆記介紹了通過(guò)利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。
2011-12-06 11:33:287366 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過(guò)專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn),來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。源極底置是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批
2020-02-18 17:50:081494 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371482 【 2023 年 5 月 12 日,德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容,此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案,在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431205 :IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù),據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù),相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181486 特色10V to 32V in, output 25V @ 1AAchieving efficiency of 90% across entire operation range, 96% peak
2018-09-21 08:47:08
描述此參考設(shè)計(jì)提供 20V 至 25V 的可調(diào)輸出電壓和 10V 至 14V 的輸入電壓范圍。它還具有將轉(zhuǎn)換器輸入電流限制在 70mA 至 135mA 之間的功能??烧{(diào)值取決于 VID 接口,此接口可以是分立的,也可以是集成的。主要特色可調(diào)輸出電壓可調(diào)輸入電流限制
2018-08-19 06:48:52
3~25V與10安3~15V電壓可調(diào)電壓電路原理圖詳解
2020-04-16 20:47:01
多種輸入源提供高達(dá) 600mA 連續(xù)輸出電流,輸入源包括單節(jié)或多節(jié)電池以及太陽(yáng)能電池板和超級(jí)電容器。其 2.4V 至 25V 輸入電壓范圍和 1V 至 25V 輸出范圍 (LTC3130 是可調(diào)
2018-10-10 17:31:43
散熱性能。結(jié)論通過(guò)推出適用于200 V和250 V電壓級(jí)的OptiMOS 3器件,如今,英飛凌科技的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋從25V至250V的整個(gè)電壓范圍。無(wú)論任何電壓等級(jí),OptiMOS 3都具備一流的靜態(tài)
2018-12-07 10:21:41
,英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較,結(jié)果表明,新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on),還可大幅改進(jìn)開關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機(jī)家族
2012-08-17 13:27:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機(jī)家族2
2012-08-17 13:29:28
1.DC 3~60V ,限制輸出在3~25v之內(nèi),就是大于25V的輸入限制輸出到25v左右,如何設(shè)計(jì)電路,謝謝了?。?!用簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓二極管發(fā)熱太大了吧,有沒有別的方法 ,謝謝了2.或者有其他更好的方法,DC 3~60V 轉(zhuǎn)成5v給后面的單片機(jī)數(shù)碼管供電,如何設(shè)計(jì)電路,謝謝了??!
2016-11-17 09:42:15
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡(jiǎn)稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET(尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN)此款
2012-04-28 10:21:32
LT3462,高轉(zhuǎn)換比,3.3V至25V反相轉(zhuǎn)換器,功耗低至55mm2,效率高于70%
2019-08-16 06:55:39
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-2-28 10:52 編輯
Taiyo Yuden C0G 01005 25V MLCCs特征:箱體尺寸:0.4mm×0.2mm×0.2mm
2019-02-28 09:32:19
/DC開關(guān)電源的設(shè)計(jì)開發(fā)。2009年加入英飛凌科技(中國(guó))有限公司。任系統(tǒng)應(yīng)用工程師,負(fù)責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和方案推廣。演講內(nèi)容介紹:英飛凌新的OptiMOS產(chǎn)品為MOSFET分離器件設(shè)立了一個(gè)
2012-07-13 10:50:22
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動(dòng)器
2018-09-01 09:53:17
低成本可調(diào)數(shù)顯穩(wěn)壓電源(1.3V~25V)proteus仿真資料
2012-08-20 11:10:08
供電為9V電池,是否可以通過(guò)兩個(gè)MAX668實(shí)現(xiàn)正、負(fù)25V電源系統(tǒng)?或者還有其它解決方案?
2015-12-02 14:49:46
DN268- 微型降壓穩(wěn)壓器可接受3.6V至25V的輸入并消除散熱器
2019-07-31 07:35:41
求幫忙推薦一款升壓電路芯片,要求輸入不超過(guò)15V,輸出7V~25V可調(diào),謝謝!
2017-09-25 15:53:04
要求輸入9V輸出25V,電流能達(dá)到2A以上,最好能恒壓和恒流之間可以切換
2014-10-06 22:30:10
手頭有一個(gè)項(xiàng)目汽車上用的12V系統(tǒng),在選擇電源端電解電容的時(shí)候懵逼了,因?yàn)楫a(chǎn)品尺寸的限制和電容容量的要求1000uf 只找到25V 1000UF 12.5*20 的電解電容,但是我看公司里的產(chǎn)品
2019-10-17 08:50:14
達(dá)100A的電流處理能力等特性,使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級(jí)的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹立了全新的標(biāo)準(zhǔn)。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng),應(yīng)用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
您好!目前使用ADP7182希望從-25V轉(zhuǎn)成-1.8V, 調(diào)整adj分壓電阻為60.4KOhm 與 110KOhm後僅能得到-2.5V. 請(qǐng)問(wèn)有其他的建議可以達(dá)到期望的輸出值嗎? 謝謝
2018-08-19 07:54:45
大家好:我的板子里現(xiàn)在需要一個(gè)±25V和±15V電源,且噪聲要求5mV以下,做精密測(cè)量噪聲越小越好。我現(xiàn)在的方案是利用DC POWER SUPPLY DF1731SL3A提供±25V,然后按(圖一
2018-10-16 06:28:07
大家好:
我的板子里現(xiàn)在需要一個(gè)±25V和±15V電源,且噪聲要求5mV以下,做精密測(cè)量噪聲越小越好。我現(xiàn)在的方案是利用DC POWER SUPPLY DF1731SL3A提供±25V,然后按(圖一
2024-01-08 11:26:17
輸入12V,輸出25V,6A的開關(guān)電源電路
2019-05-09 11:31:13
輸入12V,輸出25V,10A的開關(guān)電源電路
2019-05-10 08:24:16
輸入是25V,濾波電容耐壓值選擇35V 的鉭電容合適嗎,第一次好像就炸了,跪求回帖,不勝感激。
2018-01-31 08:31:45
驅(qū)動(dòng)25A/12V的mosfet,IR2103S需要多大的自舉電容
2021-01-28 12:07:56
2.5V至25V可調(diào)穩(wěn)壓輸出電源電路
2008-12-07 16:34:501894
10A,25V直流固體繼電器電路圖
2009-04-13 09:00:351730 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì),可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 瑞薩科技推出用于筆記本CPU電源、與DrMOS相兼容的DrMOS
株式會(huì)社瑞薩科技(以下簡(jiǎn)稱瑞薩)宣布推出R2J20653ANP,一款適用于筆記本電腦用CPU及存儲(chǔ)器等器件中穩(wěn)壓器(VR
2010-01-08 08:51:101087 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57827 符合DrMOS規(guī)定的新款器件
Vishay Intertechnology, Inc.推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK MLP 6x6的40腳封裝內(nèi),該器件集成了對(duì)PWM信號(hào)優(yōu)化的高邊和低
2010-02-23 16:09:19915 新功率器件讓服務(wù)器能效達(dá)到93%
為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上,推出OptiMOS 25V器件
2010-03-01 11:45:37514 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù),OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 Vishay宣布,推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141383 兆半導(dǎo)體公司開發(fā)出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驅(qū)動(dòng)器 + MOSFET) 器件,這些器件能夠提供高效率和高功率密度,可讓設(shè)計(jì)人員滿足不同應(yīng)用的特定設(shè)計(jì)需求
2011-05-27 08:51:061064 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41648 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。
2012-01-11 09:12:44774 Maxim Integrated Products推出±25V超擺幅模擬復(fù)用器(MAX14778)和模擬開關(guān)(MAX14759–MAX14764),能夠在3V至5.5V電源供電條件下切換/復(fù)用較寬范圍的信號(hào)。
2012-03-26 14:58:00962 e絡(luò)盟日前宣布新增來(lái)自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381390 2015年3月24日,德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族,它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是25v電壓表的驅(qū)動(dòng)程序免費(fèi)下載。
2019-05-06 11:42:457 英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一,在導(dǎo)通電阻的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗(yàn)以滿足高性能的需求;加入增強(qiáng)模式,可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513180 電容25V指的是該電容最高耐壓25V,使用該電容時(shí),加在電容兩端的電壓不允許超過(guò)25V。
2019-12-08 10:37:5015369 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 LT1938:25V、2.2A、2.8 MHz降壓開關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表
2021-04-28 14:23:130 LT1076HV演示電路-降壓開關(guān)穩(wěn)壓器(25V至5V@1.5A)
2021-06-16 18:40:1728 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念, 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
2021-12-03 10:50:381073 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡(jiǎn)稱SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:161650 OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:53785 未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn),以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì),英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET,電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、2.09 mΩ、179 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25YLD
2023-02-16 20:45:110 25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN7R7-25QL
2023-02-17 19:14:340 25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R2-25QL
2023-02-17 19:14:590 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.0 mΩ、240 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-25YLD
2023-02-17 20:02:200 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、1.81 mΩ、150 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R5-25MLH
2023-02-20 19:33:440 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、4.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-25YLC
2023-02-22 18:48:320 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.85 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLD
2023-02-22 18:52:290 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD
2023-02-22 18:52:470 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、3.72 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD
2023-02-22 18:53:180 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD
2023-02-22 18:54:380 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD
2023-02-22 18:55:320 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC
2023-02-22 18:58:220 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLB
2023-02-22 18:58:530 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、3.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC
2023-02-22 19:01:280 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC
2023-02-22 19:01:590 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC
2023-02-22 19:03:140 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-25YLC
2023-02-22 19:03:250 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、0.99 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLC
2023-02-22 19:03:390 本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548 英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363
評(píng)論
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