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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源新聞>英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS

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英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

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2023-09-06 14:18:431205

英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

:IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
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英飛凌40V和60V MOSFET

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英飛凌科技推出XMC4000單片機(jī)家族1

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2012-08-17 13:27:22

英飛凌科技推出XMC4000單片機(jī)家族2

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯 英飛凌科技推出XMC4000單片機(jī)家族2
2012-08-17 13:29:28

DC 3~60V ,限制輸出在3~25v之內(nèi),后面還要轉(zhuǎn)成5v,給后面的單片機(jī)數(shù)碼管供電,如何設(shè)計(jì)電路,謝謝了?。?!

1.DC 3~60V ,限制輸出在3~25v之內(nèi),就是大于25V的輸入限制輸出到25v左右,如何設(shè)計(jì)電路,謝謝了?。?!用簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓二極管發(fā)熱太大了吧,有沒有別的方法 ,謝謝了2.或者有其他更好的方法,DC 3~60V 轉(zhuǎn)成5v給后面的單片機(jī)數(shù)碼管供電,如何設(shè)計(jì)電路,謝謝了??!
2016-11-17 09:42:15

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Taiyo Yuden C0G 01005 25V 微型MLCCs

` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-2-28 10:52 編輯 Taiyo Yuden C0G 01005 25V MLCCs特征:箱體尺寸:0.4mm×0.2mm×0.2mm
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/DC開關(guān)電源的設(shè)計(jì)開發(fā)。2009年加入英飛凌科技(中國(guó))有限公司。任系統(tǒng)應(yīng)用工程師,負(fù)責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和方案推廣。演講內(nèi)容介紹:英飛凌新的OptiMOS產(chǎn)品為MOSFET分離器件設(shè)立了一個(gè)
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2021-04-28 14:23:130

LT1076HV演示電路-降壓開關(guān)穩(wěn)壓器(25V至5V@1.5A)

LT1076HV演示電路-降壓開關(guān)穩(wěn)壓器(25V至5V@1.5A)
2021-06-16 18:40:1728

英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過(guò)技術(shù)革新,為高開關(guān)頻率應(yīng)用樹立全新行業(yè)標(biāo)桿

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念, 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
2021-12-03 10:50:381073

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡(jiǎn)稱SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:161650

什么是OptiMOS MOSFET?

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:53785

英飛凌推出PQFN封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn),以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì),英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET,電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56中的N溝道 25V,2.09 mΩ、179A 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25YLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、2.09 mΩ、179 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25YLD
2023-02-16 20:45:110

25V,N 溝道溝槽 MOSFET-PXN7R7-25QL

25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN7R7-25QL
2023-02-17 19:14:340

25V,N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R2-25QL

25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R2-25QL
2023-02-17 19:14:590

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56中的N溝道 25V,1.0 mΩ、240A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-25YLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.0 mΩ、240 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-25YLD
2023-02-17 20:02:200

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 25V,1.81 mΩ、150A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R5-25MLH

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、1.81 mΩ、150 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R5-25MLH
2023-02-20 19:33:440

LFPAK中的N溝道 25V,4.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-25YLC

LFPAK 中的 N 溝道 25 V、4.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-25YLC
2023-02-22 18:48:320

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56中的N溝道 25V,0.85 mΩ、300A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.85 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLD
2023-02-22 18:52:290

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 25V,2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD
2023-02-22 18:52:470

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 25V,3.72mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、3.72 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD
2023-02-22 18:53:180

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 25V,5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD
2023-02-22 18:54:380

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56中的N溝道 25V,5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56中的N溝道 25V,6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33中的N溝道 25V,6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD
2023-02-22 18:55:320

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC
2023-02-22 18:58:220

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLB

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLB
2023-02-22 18:58:530

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,3.15mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、3.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC
2023-02-22 19:01:280

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC
2023-02-22 19:01:590

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC
2023-02-22 19:03:140

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,1.15mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-25YLC
2023-02-22 19:03:250

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK中的N溝道 25V,0.99 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLC

采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、0.99 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLC
2023-02-22 19:03:390

單片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548

英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

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