設計推挽放大器的主要原因之一是防止過多噪聲并創(chuàng)建更高效的電路。 推挽放大器使用兩個極性相反的晶體管。當輸入波形處于周期的正半部分時，NPN晶體管將導通，PNP晶體管將關閉。如果輸入信號擺幅為負，PNP晶體管將導通，NPN晶體管將關閉。兩個輸出組合在一起以產生完整的放大信號。
2023-02-16 18:22:30
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎性的內容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據
2018-11-28 14:29:28
是"增幅"和"開關"。比如收音機。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
晶體管的基極電流發(fā)生變化時，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個較小的信號，則其集電極將會輸出一個較大的信號。 晶體管的基本工作條件是發(fā)射結（B、E極之間）要加上
2013-08-17 14:24:32
。 7．音頻功率放大互補對管的選用音頻功率放大器的低放電路和功率輸出電路，一般均采用互補推挽對管（通常由1只NPN型晶體管和1只PNP型晶體管組成）。選用時要求兩管配對，即性能參數要一致。 低放電路中
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
小型?共24種機型的產品陣容→使設計靈活性更高這些功能和特點是以1)高效率、2)低功耗、3)待機功耗小、4) 有助于小型化為目的的。關于第一點的高效率,內置的輸出晶體管為ROHM獨有的超級結
2019-07-11 04:20:12
射頻功率放大器被廣泛應用于各種無線通信設備中。在通訊基站中，線性功放占其成本比例約占1／3。高效率，低成本的解決功放的線性化問題顯得非常重要。因此高效率高線性的功放一直是功放研究的熱門課題。
2019-09-17 08:08:11
AP1684 Ac / Dc，高Pf，高效率LED驅動器控制器的典型應用。 AP1684是一款高性能AC / DC功率因數校正LED驅動器控制器，可驅動高壓雙極晶體管。該器件采用脈沖頻率調制（PFM
2019-10-18 08:46:36
提供高效率，高增益和寬帶功能使CGH40010非常適合線性和壓縮放大器電路。 晶體管有旋入式，法蘭式和焊錫藥丸包裝。高達6 GHz的運行2.0 GHz時16 dB小信號增益4.0 GHz時14 dB
2020-12-15 15:06:50
HEMT提供高效率，高增益和寬帶功能使CGH40010非常適合線性和壓縮放大器電路。 晶體管有旋入式，法蘭式和焊錫藥丸包裝。 高達6 GHz的運行2.0 GHz時16 dB小信號增益4.0 GHz時14
2020-12-03 11:51:58
本文將對AB類與D類放大器進行比較，討論D類放大器高效率實現原理，并解釋了輸出為脈寬調制（PWM）波形時還可通過揚聲器聽到正常聲音的原因。
2021-06-04 06:37:20
`產品型號：IB3042-5產品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達系統設計人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產品是采用
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達系統設計人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產品是采用我們獲得的新半導體
2019-05-14 11:00:13
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
2019-05-06 05:00:17
PCB加工如何實現高精度和高效率的鉆孔呢？有哪些方法和步驟呢？
2023-04-11 14:50:58
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PT1301 小尺寸,高效率,低啟動電壓的升壓 DC/DC 轉換器 概述 PT1301 是一款最低啟動電壓可低于 1V 的小尺寸高效率升壓 DC/DC 轉換
2012-07-12 11:25:05
概述：RF2132是RF Micro Devices生產的一款高效率線性放大器。它采用先進的砷化鎵異質結雙極型晶體管(HBT)處理，設計用于雙模式4節(jié)電池的CDMA／AMPS手持數字式蜂窩系統設備
2021-05-18 06:03:36
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:24:16
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標應用是高電壓的低
2021-03-30 11:32:19
%，這使得tgf2023-2-05適合高效率的應用。產品型號:TGF2023-2-05產品名稱：碳化硅晶體管TGF2023-2-05產品特性頻率范圍：直流至18GHz43 dBm的名義PSAT在3
2018-11-15 11:52:42
69.5%，這使得tgf2023-2-10適合高效率的應用。產品型號:TGF2023-2-10產品名稱：碳化硅晶體管TGF2023-2-10產品特性頻率范圍：直流至14千兆赫47.4 dBm的名義
2018-06-12 10:22:42
得tgf2023-2-10適合高效率的應用。產品型號:TGF2023-2-10產品名稱：碳化硅晶體管TGF2023-2-10產品特性頻率范圍：直流至14千兆赫47.4 dBm的名義PSAT在3
2018-11-15 11:59:01
率附加效率為70.5%，這使得tgf2023-2-20適合高效率的應用.產品型號:TGF2023-2-20產品名稱：碳化硅晶體管TGF2023-2-20產品特性頻率范圍：直流至14 GHz50.5
2018-06-22 11:09:47
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護級別。產品型號：TGF2040產品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
TGF2954碳化硅晶體管產品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應用電
2020-08-19 18:24:17
結合傳統類型的射頻功率放大器對開關E類射頻功率放大器進行了探討，并推導了具有并聯電容結構的E類功放的各元器件的理論計算公式，選用了M／ACOM公司的MRFl66C型號的功率晶體管，并結合理論計算
2021-12-16 19:31:39
系統的老化問題。但是作為電子系統設計師或芯片設計工程師，我們知道這些電子系統芯片中的晶體管是會逐漸老化的。跟人和汽車一樣，它們會慢慢變舊，反應變得遲緩，毛病越來越多，甚至突然崩潰死機?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管BTI
2017-06-15 11:41:33
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
有兩種主要類型：結型場效應管（JFET）和金屬氧化物半導體場效應管（MOS-FET）。與BJT不同，FET僅由一個載流子組成，因此也稱為單極晶體管。屬于壓控半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低
2023-02-03 09:36:05
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
單相異步電機如何才能實現高效率的工作
2021-01-27 07:48:07
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
開關二極管IN4148與電阻R1的作用是當晶體管VT1截止時，為反向基極電流提供一個低阻抗的通路?！ 〖铀匐娐啡 ≡诩铀匐娐啡?，并聯在基極電阻RB兩端的高速開關二極管IN4148的作用是當晶體管VT1截止時，為反向基極電流提供通路，迅速釋放基極與發(fā)射極間電容儲存的電量，加快晶體管的關閉。
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
了所謂的頂部朝下的方法，類似于把原件精確地蝕刻并固定在晶體管上的工業(yè)流程類似，由于兼容傳統工藝，有望被業(yè)界采納。新一代硅芯片將在明天問世，屆時將采用垂直結構，而非平板設計，但由于硅的電子流動性有限，人們
2011-12-08 00:01:44
無線充電怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
650V的MOSFET。根據應用程序的要求，開發(fā)人員可以針對最高效率，最大功率密度或兩者之間的折衷?！ ∮捎谄洹?反向恢復”行為，GaN晶體管使得一些拓撲實際上可用，例如圖騰柱PFC，其需要比傳統
2023-02-27 15:53:50
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
10MHz頻率，可承受100w,48V輸入電壓的高效率的高頻驅動電路推薦。
2013-06-15 22:59:29
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
請問一下GaN器件和AMO技術能實現高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
脈沖頻率調制是什么？為什么要用脈沖頻率調制（PFM）的功率特性來提高電源效率？與PWM模式比較，PFM模式有哪些優(yōu)勢？如何保持PFM模式低負載時的高效率？PFM模式采用了哪幾種方法來提高低負載時的效率？
2021-04-15 06:37:51
怎樣去設計一種高效率音頻功率放大器？如何對高效率音頻功率放大器進行測試驗證？
2021-06-02 06:11:23
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
20 V、5.8 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS302NZ
2023-02-07 19:08:25
0 20 V、5.8 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS302NZ-Q
2023-02-07 19:08:440 150 V、1 A PNP 高壓低 VCEsat 晶體管-PBHV9115T
2023-02-07 19:10:210 20 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5320T
2023-02-07 19:16:410 40 V、2 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5240T
2023-02-07 19:18:310 100 V、1 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS8110T
2023-02-07 19:24:200 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350T
2023-02-07 19:24:370 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D
2023-02-07 19:25:420 150 V、1 A NPN 高壓低 VCEsat 晶體管-PBHV8115T
2023-02-07 19:25:530 50 伏；3 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS4350T
2023-02-07 19:27:140 100 V、1 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS9110T
2023-02-07 19:28:030 40 V 低 VCEsat PNP 晶體管-PBSS5240V
2023-02-07 19:56:260 60 V、1 A NPN 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSS4160V
2023-02-07 19:56:550 15 V低VCEsat PNP雙晶體管-PBSS3515VS
2023-02-07 19:58:010 60 V、7 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS4041NZ-Q
2023-02-07 20:16:300 60 V、5.7 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS4041PZ-Q
2023-02-07 20:16:410 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350Z-Q
2023-02-08 19:22:030 20 V、2 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5220T-Q
2023-02-09 19:21:240 20 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5320T-Q
2023-02-09 19:21:510 20 V、2 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5220T
2023-02-09 21:16:410 60 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5360Z-Q
2023-02-09 21:16:550 50 V、3 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS4350X
2023-02-09 21:21:310 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350X
2023-02-09 21:21:410 40伏；2 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS4240T
2023-02-09 21:22:070 40伏；2 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS4240T-Q
2023-02-09 21:22:240 100 V、1 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS8110T-Q
2023-02-09 21:22:410 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D-Q
2023-02-09 21:24:560 50 伏；3 A NPN 低 VCEsat 晶體管-PBSS4350T-Q
2023-02-09 21:25:150 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350T-Q
2023-02-09 21:26:280 40 V、2 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5240T-Q
2023-02-14 19:20:270 40 V 低 VCEsat PNP 晶體管-PBSS5540Z-Q
2023-02-15 18:44:480 40 V 低 VCEsat PNP 晶體管-PBSS5540Z
2023-02-20 19:37:000 30 伏；1 個 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSS5130T
2023-03-03 20:09:080 中功率負載開關應用中的低 VCEsat 晶體管-AN10909
2023-03-03 20:10:270
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