半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，因?yàn)殡s質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
?，F(xiàn)公司代理產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、太陽能硅片的檢測裝置，包含美國FSM公司的薄膜應(yīng)力檢測、硅片翹曲度檢測、薄膜厚度檢測、硅片平整度檢測設(shè)備等；以及美國PET公司的太陽能模擬器、I-V曲線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、硅片表面質(zhì)量檢測裝置等。聯(lián)系電話：***地址:蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號(hào)
2015-04-02 17:21:04
半導(dǎo)體二極管電子教案，半導(dǎo)體二極管課件教程:2.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 2.1.1 半導(dǎo)體材料 2.1.2 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 
2009-06-22 23:12:51
一、半導(dǎo)體光電效應(yīng)傳感器1.半導(dǎo)體光電效應(yīng)傳感器工作原理半導(dǎo)體光電效應(yīng)傳感器的工作原理基于兩個(gè)效應(yīng)：光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)。光電導(dǎo)效應(yīng)：當(dāng)光投射在半導(dǎo)體上時(shí)，光子的能量在半導(dǎo)體中激發(fā)出非平衡
2017-12-22 16:29:23
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
一、中國半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體
2021-05-25 07:46:36
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
蘇州晶淼專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)清洗腐蝕設(shè)備，可根據(jù)要求定制濕法腐蝕設(shè)備。晶淼半導(dǎo)體為國內(nèi)專業(yè)微電子、半導(dǎo)體行業(yè)腐蝕清洗設(shè)備供應(yīng)商，歡迎來電咨詢。電話：***，13771786452王經(jīng)理
2016-09-05 10:40:27
摘要：半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是，通過一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之問，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)之間，實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當(dāng)處于粒、子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時(shí)，便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。
2021-01-12 10:20:39
半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管，是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。它具有體積小、壽命長的特點(diǎn)，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。
2020-08-11 07:35:44
無嚴(yán)格要求的特點(diǎn)。因此，目前檢測半導(dǎo)體材料電阻率，尤其對(duì)于薄膜樣品來說，四探針是較常用的方法?！ ∷奶结樇夹g(shù)要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面。在外邊兩根探針之間輸出電流的同時(shí)，測試中間兩根探針的電壓差。最后，電阻率通過樣品的幾何參數(shù)，輸出電流源和測到的電壓值來計(jì)算得出。
2021-01-13 07:20:44
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看
2021-09-15 07:24:56
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2017-07-28 10:17:42
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2018-02-11 09:49:21
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
半導(dǎo)體溫差致冷是建立在法國物理學(xué)家Peltien帕爾帖效應(yīng)（即溫差效應(yīng)）基礎(chǔ)上的具體應(yīng)用。當(dāng)電流流經(jīng)兩種不同性質(zhì)的導(dǎo)體形成接點(diǎn)時(shí)，其接點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生放熱和吸熱現(xiàn)象，即其兩端形成溫差而實(shí)現(xiàn)制冷和制熱。
2020-04-03 09:02:41
半導(dǎo)體材料取自于元素周期表中金屬與非金屬的交界處。常溫下半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 本征半導(dǎo)體純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。(由于不含雜質(zhì)且為晶體結(jié)構(gòu)，所以導(dǎo)電性比普通半導(dǎo)體差
2020-06-27 08:54:06
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
先說聲對(duì)不起。，這些天導(dǎo)師那邊一堆事。時(shí)間不夠。終于找到點(diǎn)時(shí)間便說下我的新發(fā)現(xiàn)。好了不說廢話了，接著上次的說。我在機(jī)智云開發(fā)者界面中添加了一個(gè)設(shè)備。為了方便我今天又加了一個(gè)用寵物屋做模板的一個(gè)
2015-10-19 22:12:27
市場的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來較為快速的增長。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:08:33
0010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件現(xiàn)貨熱賣，汕頭市羅克自動(dòng)化科技有限公司歡迎您前來咨詢！聯(lián)系人郭經(jīng)理：*** 0010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件 汕頭羅克自動(dòng)化科技有限公司是專業(yè)
2020-03-26 15:40:25
我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請(qǐng)聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管
2021-05-25 08:01:53
市場的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來較為快速的增長。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:13:35
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中
可承載非本征
半導(dǎo)體。它們是正（P）型
半導(dǎo)體或負(fù)（N）型
半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的
半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
給大家介紹個(gè)新發(fā)現(xiàn)的單片機(jī)內(nèi)存調(diào)試工具M(jìn)CUMonitor,其界面簡單，操作方便。對(duì)于調(diào)試內(nèi)存數(shù)據(jù)的連續(xù)變化，有很大的好處。開發(fā)人員移植也很方便，只要在串口通訊端口對(duì)接開發(fā)的庫。即可實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存變量
2018-01-16 17:27:58
在現(xiàn)實(shí)生活中，冗余服務(wù)器問題一直都很讓人糾結(jié)。有時(shí)我們甚至想過要用4臺(tái)exchange2010實(shí)現(xiàn)CAS和MAILBOX全冗余，真是絞盡腦汁啊！現(xiàn)在你可以輕松了。偶的新發(fā)現(xiàn)就是新型的19英寸
2012-07-10 16:36:11
光敏傳感器的物理基礎(chǔ)是光電效應(yīng):在不同的情況下的光輻射作用下電子逸出材料的表面會(huì)產(chǎn)生光電子發(fā)射稱為外光電效應(yīng)、或光電子發(fā)射效應(yīng)、基于這種效應(yīng)的光電器件有光電管、光電倍增管等。電子并不逸出材料表面
2013-04-03 14:21:23
半導(dǎo)體材料受光照射時(shí)，會(huì)產(chǎn)生光電效應(yīng)。 下圖是本征半導(dǎo)體能帶簡圖。光入射到本征半導(dǎo)體材料后，處干滿帶中被束縛的電子吸收光子的能量，可由滿帶躍過禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶成為自由電子(如黑點(diǎn)所示），而在原來的滿帶中
2018-01-09 11:43:11
，入射光子的能量E0應(yīng)大于禁帶寬度Eg。基于光電導(dǎo)效應(yīng)的光電器件有光敏電阻。圖8—1 光電導(dǎo)效應(yīng)光生伏特效應(yīng) 光生伏特效應(yīng)是半導(dǎo)體材料吸收光能后，在PN結(jié)上產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的效應(yīng)。為什么PN結(jié)會(huì)因光照產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)
2012-10-20 08:13:22
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
擬的優(yōu)勢(shì)?！蓖跷撵o表示，作為制作半導(dǎo)體器件和集成電路的主要材料，硅已經(jīng)在工業(yè)生產(chǎn)中運(yùn)用了幾十年。這些年來，大量問題被發(fā)現(xiàn)和解決，硅材料工藝日臻完美。反觀薄膜型太陽能光伏電池的主要材料“鎘”，則是毒性很強(qiáng)
2012-07-19 15:33:28
，以及還有半導(dǎo)體材料的其他選定產(chǎn)業(yè)。在其核心業(yè)務(wù)是光伏產(chǎn)業(yè)。公司為客戶可同全面的解決方案，整個(gè)價(jià)值鏈的互補(bǔ)技術(shù)，包括硅片，太陽能電池，太陽能電池組件和太陽能系統(tǒng)的制造工藝。公司目前在三大洲聘請(qǐng)的員工數(shù)量
2012-07-19 14:54:15
太陽能電池。有機(jī)太陽能電池，顧名思義，就是由有機(jī)材料構(gòu)成核心部分的太陽能電池。主要是以具有光敏性質(zhì)的有機(jī)物作為半導(dǎo)體的材料，以光伏效應(yīng)而產(chǎn)生電壓形成電流, 實(shí)現(xiàn)太陽能發(fā)電的效果。有機(jī)薄膜太陽能電池具有
2016-01-29 15:46:43
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
`我司專業(yè)生產(chǎn)制造半導(dǎo)體包裝材料。晶圓硅片盒及里面的填充材料一批及防靜電屏蔽袋。聯(lián)系方式：24632085`
2016-09-27 15:02:08
`一、系統(tǒng)背景測試半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段。我們可以根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)來判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型，是N型還是P型；霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作
2020-06-08 17:04:49
circuit technique ）（百度百科）電子集成技術(shù)按工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 半導(dǎo)體工藝是集成電路工藝
2009-09-16 11:51:34
摘要：介紹了氧化物半導(dǎo)體甲烷氣體敏感元件的工作機(jī)理，論述了改善氧化物半導(dǎo)體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細(xì)結(jié)構(gòu)、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術(shù)可提高氧化物半導(dǎo)體
2018-10-24 14:21:10
測試半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段。我們可以根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)來判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型，是N型還是P型；霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而引起的偏轉(zhuǎn)
2020-05-12 13:54:52
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
`半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用
2016-11-27 22:34:51
有效期至2010-01-01公司名稱中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:10:18
有效期至2010-01-01公司名稱中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:15:49
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
霍爾式轉(zhuǎn)速傳感器是利用霍爾效應(yīng)的原理制成的?；魻?b class="flag-6" style="color: red">效應(yīng)是指在一個(gè)矩形半導(dǎo)體薄片上有一電流通過，此時(shí)如有一磁場也作用于該半導(dǎo)體材料上，則在垂直于電流方向的半導(dǎo)體兩端，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很小的電壓，該電壓就稱為霍爾電壓。
2019-10-15 09:00:07
中子束于半導(dǎo)體薄膜材料之運(yùn)用Applications of neutron beam on semiconductor thin films一、緣起與目的本計(jì)劃于清華水池式反應(yīng)器（THOR）中子束，建立一條多功能之儀器測試中子
2009-03-06 13:57:25
25 半導(dǎo)體器件HPM損傷脈寬效應(yīng)機(jī)理分析:HPM能量在半導(dǎo)體器件損傷缺陷區(qū)的熱量沉積以及向周圍材料的熱量擴(kuò)散，是造成半導(dǎo)體器件損傷脈寬效應(yīng)的機(jī)理；分別得到了全脈
2009-10-29 13:57:0515 半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途： 半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱特點(diǎn)：1．圓幅內(nèi)襯，不銹鋼圓幅型內(nèi)襯設(shè)計(jì)，可避免蒸氣潛熱直接沖擊試品。2．實(shí)驗(yàn)開始前之真空動(dòng)作可將原來箱內(nèi)之空氣抽出并吸入
2023-07-18 10:37:12
彩電自動(dòng)搜臺(tái)露存的新發(fā)現(xiàn) 作者： 王記鎖 春節(jié)剛過，親戚一臺(tái)康佳T5429E型彩電
2006-04-17 22:26:01
865 半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷？新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在
美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的研究人員近日發(fā)出警告稱，傳統(tǒng)上對(duì)晶體管噪聲的理解存在根本上的缺陷，并
2009-05-27 09:27:43956 半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半
2010-03-04 10:28:035544 低維半導(dǎo)體材料, 低維半導(dǎo)體材料是什么意思
實(shí)際上這里說的低維半導(dǎo)體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個(gè)詞，主要是不想
2010-03-04 10:31:425083 什么是半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可
2010-03-04 10:36:173395 科學(xué)家新發(fā)現(xiàn):碳納米管產(chǎn)生大電流(新型發(fā)電方式)
麻省理工學(xué)院科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種新發(fā)電方式，利用碳納米管產(chǎn)生出大電流，可為超小型設(shè)備提供電能，而且納米管產(chǎn)生
2010-03-15 08:44:171052 德國制成有機(jī)薄膜半導(dǎo)體新材料
德國研究人員16日宣布他們研制出一種新的有機(jī)分子，可以用來制造高性能有機(jī)薄膜半導(dǎo)體。
2010-03-20 09:05:53914 本文將著重介紹氧化物無機(jī) 半導(dǎo)體材料 的光電化學(xué)研究領(lǐng)域的一些新進(jìn)展. 本文簡述了二氧化鈦薄膜、氧化鋅薄膜、ZnO/TiO 復(fù)合涂層、SnO2: F 薄膜的發(fā)展概況及應(yīng)用
2011-11-01 17:49:4847 曼大研究人員本月宣布，已成功制成只有幾原子厚的硒化銦材料。它擁有比石墨烯更好的半導(dǎo)體屬性，是未來替代硅制作電子芯片的理想材料。
2016-11-30 16:04:302416 近期，一種可應(yīng)用于未來超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦(InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。 石墨烯之父又有新發(fā)現(xiàn) 超級(jí)半導(dǎo)體材料浮出水面 近十年來，全世界對(duì)石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒有白費(fèi)。
2016-12-01 09:34:111064 路虎的全新一代發(fā)現(xiàn)（以下稱全新發(fā)現(xiàn)為發(fā)現(xiàn)5，現(xiàn)款則稱發(fā)現(xiàn)4）終于上市了。由于造型和平臺(tái)相對(duì)于發(fā)現(xiàn)4的“顛覆”，發(fā)現(xiàn)5自發(fā)布以來也確實(shí)引發(fā)了相當(dāng)大的爭議。不過在這里車云菌想說的是，如果到現(xiàn)在你還在罵發(fā)現(xiàn)5（的設(shè)計(jì)師），那只能說明你真的不懂路虎。因?yàn)閺娜魏谓嵌瓤矗?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)現(xiàn)5的這種轉(zhuǎn)變都是一種必然。
2017-03-03 16:54:411034 硅太陽能電池的原理 太陽能電池是利用太陽光和材料相互作用直接產(chǎn)生電能的器件。 能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種， 如： 硅系材料（ 單晶硅、多晶硅、非晶硅） ， 化合物半導(dǎo)體
2017-09-27 18:56:4116 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119659 半導(dǎo)體材料的早期應(yīng)用：半導(dǎo)體的第一個(gè)應(yīng)用就是利用它的整流效應(yīng)作為檢波器，就是點(diǎn)接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個(gè)金屬探針接觸在一塊半導(dǎo)體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導(dǎo)體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導(dǎo)體的四個(gè)效應(yīng)都用到了。
2018-03-08 10:16:1957821 最新研究發(fā)現(xiàn)金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí)，可以擁有類似硅等半導(dǎo)體的特性。
2018-08-13 16:55:323413 關(guān)鍵詞：石墨烯 , 半導(dǎo)體材料 來源：DeepTech深科技 目前，絕大多數(shù)的計(jì)算機(jī)設(shè)備均是由硅材料制備而來。硅元素是地球上既氧元素之后，儲(chǔ)量第二豐富的元素。它以各種不同的形式，廣泛存在于巖石、砂礫
2018-10-17 15:43:01229 材料科學(xué)的進(jìn)展對(duì)于此時(shí)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是及時(shí)雨，而且從科學(xué)變成技術(shù)的速度也令人嘆為觀止。前幾年還在《Nature》、《Science》這些頂級(jí)科學(xué)期刊當(dāng)成科學(xué)新發(fā)現(xiàn)的議題，有很多已經(jīng)至少被展示在納米級(jí)元件的應(yīng)用。
2019-01-18 09:18:304815 半導(dǎo)體材料的獨(dú)特性質(zhì)之一是它們的導(dǎo)電性和導(dǎo)電類型（N型或P型）能夠通過在材料中摻入專門的雜質(zhì)而被產(chǎn)生和控制。
2019-03-29 15:16:575503 近年來，鈣鈦礦半導(dǎo)體材料的發(fā)展對(duì)光轉(zhuǎn)換應(yīng)用的進(jìn)展產(chǎn)生了明顯的積極影響，目前已在場發(fā)射晶體管、太陽能電池、光通訊、X射線探測、激光器等領(lǐng)域嶄露頭角。
2020-02-08 19:19:01786 
我國第一顆空間X射線天文衛(wèi)星慧眼衛(wèi)星又有新發(fā)現(xiàn)！ 22日，記者從中國科學(xué)院高能物理研究所（以下簡稱中科院高能所）獲悉，來自該所等國內(nèi)外單位的研究人員利用慧眼衛(wèi)星在高于200千電子伏特(keV
2020-09-29 15:07:011671 所謂光生伏打效應(yīng)就是當(dāng)物體受光照時(shí)，物體內(nèi)的電荷分布bai狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)和電流的一種效應(yīng)。當(dāng)太陽光或其他光照射半導(dǎo)體的PN結(jié)時(shí)，就會(huì)在PN結(jié)的兩邊出現(xiàn)電壓，叫做光生電壓。這種現(xiàn)象就是著名的光生伏打效應(yīng)。使PN結(jié)短路，就會(huì)產(chǎn)生電流。
2021-02-25 14:54:5010436 半導(dǎo)體單晶和薄膜制造技術(shù)說明。
2021-04-08 13:56:5138 針對(duì)半導(dǎo)體材料光電特性的初期研究過程中，光子到電子的轉(zhuǎn)換過程是半導(dǎo)體材料對(duì)光子的吸收以及由此產(chǎn)生的一系列的效應(yīng)，例如光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)等。之后通過對(duì)半導(dǎo)體材料光吸收效應(yīng)的深入研究，將其應(yīng)用在
2021-08-16 10:45:179619 
常見的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:084538 氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代
2023-02-12 11:07:49599 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
將詳細(xì)討論半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)，包括其起源、機(jī)制、應(yīng)用和未來研究方向。 一、壓阻效應(yīng)的起源 壓阻效應(yīng)是指半導(dǎo)體材料在外力或應(yīng)力作用下，導(dǎo)電性能的變化。它最早被發(fā)現(xiàn)于20世紀(jì)60年代，當(dāng)時(shí)主要研究的對(duì)象是Ge和Si等材料。
2023-09-19 15:56:551582 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 
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