英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命

2010年5月6日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會（2010年5月4日至6日）上，推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求，并為提高功率密度和實現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。

英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計和制造領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。英飛凌在功率循環(huán)周次方面，樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，可實現(xiàn)更高的工作結(jié)溫。這些全新技術(shù)可滿足各種要求苛刻的應(yīng)用的需求，例如商用車、工程車和農(nóng)用車或風(fēng)力發(fā)電。”

全新.XT技術(shù)相對于現(xiàn)有技術(shù)，可使IGBT模塊的使用壽命延長10倍，或者使輸出功率提高25％。這種新技術(shù)可支持高達(dá)200°C的結(jié)溫。

功率循環(huán)會造成溫度變化，并導(dǎo)致IGBT模塊內(nèi)部連接部位產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。芯片各層的熱膨脹系數(shù)不同，會造成熱應(yīng)力，導(dǎo)致材料疲勞和損壞。全新.XT技術(shù)涵蓋IGBT模塊內(nèi)部有關(guān)功率循環(huán)功能的所有關(guān)鍵點：芯片正面的鍵合線、芯片背面的焊接（芯片至DCB）和DCB（直接鍵合銅）至基板的焊接。

這種全新的連接技術(shù)經(jīng)過精心開發(fā)，可滿足英飛凌現(xiàn)有的多數(shù)封裝和全新的模塊封裝的要求。全部三種新連接技術(shù)都可是基于標(biāo)準(zhǔn)工藝，十分適用于批量生產(chǎn)。

供貨

采用全新.XT技術(shù)的第一款產(chǎn)品是PrimePACK 2模塊FF900R12IP4LD。該模塊采用半橋配置，具備900Arms的電流，基于IGBT4芯片，最大工作結(jié)溫為150°C。

關(guān)于英飛凌

總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、連通性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。2009財年（截止到9月份），公司實現(xiàn)銷售額30.3億歐元，在全球擁有約25,650名雇員。英飛凌科技公司的業(yè)務(wù)遍及全球，在美國苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場（OTCQX）International Premier（股票代號：IFNNY）掛牌上市。