概述副邊整流二極管的尖峰開關(guān)電源產(chǎn)生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關(guān)管，整流管，變壓器，還有輸出扼流線圈，等。不采取任何措施時(shí)輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現(xiàn)在開關(guān)脈沖
2017-09-12 17:56:16
(GND)間直接接入去耦電容。耦電容的引線不能過長，特別是高頻旁路電容不能帶引線。本篇文章對(duì)開關(guān)三極管電路進(jìn)行了簡單的介紹，并對(duì)開關(guān)三極管當(dāng)中的補(bǔ)償電容和運(yùn)放電源旁路電容進(jìn)行講解。希望在看過本篇文章之后，能對(duì)開關(guān)三極管中的這兩種常見電容使用方法有進(jìn)一步的理解。
2016-01-21 09:36:35
應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。其主要原理如圖：圖1?！ ∥覀?cè)?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通
2018-10-25 14:40:18
的屏蔽措施 （9）合理的PCB設(shè)計(jì) 4.高頻變壓器漏感的控制 高頻變壓器的漏感是功率開關(guān)管關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生的重要原因之一，因此，控制漏感成為解決高頻變壓器帶來的EMI首要面對(duì)的問題。 減小高頻變壓器漏感
2008-07-13 11:18:13
干擾源集中體現(xiàn)在功率
開關(guān)管、整流二
極管、高頻變壓器等其中一般由基本整流器
產(chǎn)生的電流高次諧波干擾和變壓器型功率轉(zhuǎn)換電路
產(chǎn)生的
尖峰電壓干擾.基本整流器的整流過程是
產(chǎn)生EMI最常見的
原因。這是因?yàn)檎也娫?/div>
2013-02-28 17:33:24
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
推挽逆變器的原理分析
2012-08-14 14:44:27
逆變電源工程師設(shè)計(jì)之首選。正是因?yàn)榭此坪唵蔚囊粋€(gè)拓?fù)洌_讓很多設(shè)計(jì)師望而卻步，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">推挽有一個(gè)最頭疼的問題，電壓尖峰。通常推挽拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而...
2021-11-16 07:30:19
并沒有通過變壓器負(fù)載。因此，在兩個(gè)控制開關(guān)K1和K2分別處于導(dǎo)通和截止的過渡期間，兩個(gè)開關(guān)器件將會(huì)產(chǎn)生很大的功率損耗。 推挽式開關(guān)電源 它不會(huì)存在這種損耗。因?yàn)?，?dāng)控制開關(guān)K1將要關(guān)斷的時(shí)候，開關(guān)
2018-10-15 15:25:55
MOSFET,以推挽方式存在于電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù),電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小,效率高。輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。 三極管的開漏
2011-11-18 22:05:24
1.推挽輸出使GPIO口輸出高電平或者低電平主要寄存器為端口配置地寄存器和端口配置高寄存器，每四個(gè)位控制一個(gè)GPIO.2 推挽輸出和開漏輸出推挽輸出結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)MOS或者三極管收到互補(bǔ)控制的信號(hào)控制
2022-02-24 07:20:13
看到書上講推完變換器的原理，說道當(dāng)MOS管開通，由于變壓器次級(jí)在整流二極管反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi)造成的短路，漏極電流將出現(xiàn)尖峰在MOS管關(guān)斷時(shí)，高頻變壓器的漏磁通下降，漏感依然將釋放儲(chǔ)能，變壓器繞組上，相應(yīng)
2017-07-22 11:57:00
實(shí)際情況調(diào)試確定,死區(qū)時(shí)間與變壓器的漏感，MOS管的結(jié)電容有關(guān)，若死區(qū)時(shí)間設(shè)置不合理會(huì)導(dǎo)致較大的尖峰電壓。特別是在逆變器啟動(dòng)時(shí)尤為明顯，那么接下來就詳細(xì)說明原因。1、為什么啟動(dòng)時(shí)會(huì)有較大的尖峰呢？因?yàn)閯倖?dòng)
2020-06-27 10:23:36
轉(zhuǎn)移導(dǎo)致大量的電流流經(jīng)二極管，從N-epi到P+區(qū)，即從漏極到源極。電感L1對(duì)于流經(jīng)Q2和Q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。Q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰，增加了在導(dǎo)通期間的開關(guān)損耗。圖4a描述了MOSFET的導(dǎo)
2021-11-18 07:00:00
ACDC電源模塊的原邊MOS管漏極尖峰電壓很高，在AC輸入270V下尖峰高達(dá)600多伏。
我調(diào)整了一下RCD電路，比如增大原來的470pf電容到1.88nf，繼續(xù)增大尖峰就不再下降了，電阻從150k
2023-09-22 11:20:23
以STM32參考手冊(cè)中的GPIO輸出配置圖為例：看到輸出驅(qū)動(dòng)器虛線框中的內(nèi)容，輸出驅(qū)動(dòng)器中的P-MOS和N-MOS兩個(gè)MOS管就是實(shí)現(xiàn)推挽輸出和開漏輸出的關(guān)鍵。推挽輸出模式下，P-MOS和N-MOS
2022-02-28 06:48:51
輸出（Push-Pull Output）推挽輸出的結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)三極管或者M(jìn)OS管受到互補(bǔ)信號(hào)的控制，兩個(gè)管子始終保持一個(gè)處于截止，另一個(gè)處于導(dǎo)通的狀態(tài)。如圖 10所示。圖10推挽輸出的最大特點(diǎn)是可以真正
2020-08-26 08:09:56
是非?？斓模梢赃_(dá)到幾十ns，一般情況下驅(qū)動(dòng)推挽電路的上管開通速度越快，門極電阻越小，di/dt就會(huì)越大，因此尖峰也會(huì)越高。搞清楚機(jī)理后，大家就應(yīng)該知道這個(gè)尖峰對(duì)IGBT是沒有什么影響的，只是內(nèi)部寄生
2021-04-26 21:33:10
來源 中國電子網(wǎng)開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)).推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)
2016-06-29 11:11:00
來源網(wǎng)絡(luò)開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)).推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制
2017-03-21 09:20:02
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件;開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)).推挽結(jié)構(gòu)一般
2022-02-08 06:50:38
即可。這樣集電極就變成了漏極，OC就變成了OD，原理分析是一樣的。另一種輸出結(jié)構(gòu)是推挽輸出。推挽輸出的結(jié)構(gòu)就是把上面的上拉電阻也換成一個(gè)開關(guān)，當(dāng)要輸出高電平時(shí)，上面的開關(guān)通，下面的開關(guān)斷;而要輸出
2017-10-12 10:41:10
來源 網(wǎng)絡(luò)開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi))。 推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)
2018-03-20 16:19:06
的MOS管，不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS.下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管
2019-07-05 08:00:00
的MOS管，不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS.下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管
2019-07-05 07:30:00
的MOS管，不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS.下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個(gè)
2019-07-03 07:00:00
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī)，負(fù)載接在漏極端；MOS+運(yùn)放組成的恒流源，負(fù)載也在漏極端。想問一下，負(fù)載可以放在源極嗎？兩者有什么區(qū)別？
2021-07-08 18:07:57
MOS管在什么情況下流過連續(xù)漏記電流？在什么情況下流過脈沖漏極電流？正常用方波脈沖驅(qū)動(dòng)MOS管通斷的話，流過MOS管的是連續(xù)漏極電流還是脈沖漏極電流？
2018-08-23 15:30:44
另一個(gè)截止。高低電平由輸出電平?jīng)Q定。 推挽電路是兩個(gè)參數(shù)相同的三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù)。電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗
2022-12-22 18:10:27
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐罚骸 《⑵骷l(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-10-29 14:07:49
、N3的作用也不同。03 推挽（變壓器中心抽頭）式這種電路結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是：對(duì)稱性結(jié)構(gòu)，脈沖變壓器原邊是兩個(gè)對(duì)稱線圈，兩只開關(guān)管接成對(duì)稱關(guān)系，輪流通斷，工作過程類似于線性放大電路中的乙類推挽功率放大器。主要
2021-03-23 14:35:38
的反饋量。二極管D3和D4續(xù)流二極管，保護(hù)驅(qū)動(dòng)級(jí)晶體管的開關(guān)變壓器(T2)初選時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰。R14和R15限制基地的第四季度和Q7。R12和R13為第四季度和Q7防止意外的開關(guān)ON下拉電阻。C10
2021-04-29 06:00:00
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件;開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)). 推挽結(jié)構(gòu)
2015-03-08 15:32:18
前沿尖峰的一些抑制方法1、選用軟恢復(fù)特性的肖特基二極管，或采用在整流管前串聯(lián)電感的方法比較有效，或在開關(guān)管整流管的磁珠。磁芯材料選用對(duì)高頻振蕩呈高阻抗衰減特性的鐵氧體材料，等。2、在二次側(cè)接入RC
2019-03-10 06:30:00
基于三極管的特性，將邏輯取反電路的參數(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的計(jì)算，并給出了電阻取值的理由，但選型中沒有對(duì)非常重要的一個(gè)器件——三極管進(jìn)行分析。下面一起看看對(duì)于“邏輯取反”電路和常見的開關(guān)電源里面
2023-03-22 15:43:47
為什么電流源型逆變器中開關(guān)管要反串二極管呢？
2023-04-24 14:10:19
電壓較高；由于變壓器原邊漏感的存在，功率開關(guān)管關(guān)斷的瞬間，漏源極會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰，另外輸入電流的紋波較大，因而輸入濾波器的體積較大。推挽電路圖推挽電路（一）推挽電路（二）推挽電路（三）`
2011-11-02 10:27:38
最近在學(xué)STM32，看正點(diǎn)原子視頻中對(duì)開漏輸出和推挽輸出的講解視頻時(shí)，發(fā)現(xiàn)原子哥對(duì)電路的講解有一些錯(cuò)誤，主要說關(guān)于MOS管的開關(guān)問題，查了一晚上資料，終于想明白了，特意發(fā)個(gè)文章分享一下。這是
2022-02-17 07:15:10
通轉(zhuǎn)向截止時(shí)的關(guān)斷時(shí)間相比很小，其對(duì)開關(guān)速度的影響很小，在分析討論中主要考慮關(guān)斷時(shí)間的影響。二極管開關(guān)時(shí)間延遲原因分析在半導(dǎo)體中存在兩種電流，因載流子濃度不同形成的電流為擴(kuò)散電流，依靠電場作用形成
2021-04-19 10:10:12
決定漏感大小的因素漏感是指沒有耦合到磁心或者其他繞組的可測量的電感量.它就像一個(gè)獨(dú)立的電感串入在電路中.它導(dǎo)致開關(guān)管關(guān)斷的時(shí)候DS之間出現(xiàn)尖峰.因?yàn)樗拇磐o法被二次側(cè)繞組匝鏈。對(duì)于固定的已經(jīng)制作
2011-08-09 11:48:52
壓之和約為2UI.在實(shí)際中，變壓器的漏感會(huì)產(chǎn)生很大的尖峰電壓加在S2 兩端，從而引起大的關(guān)斷損耗，變換器的效率因受變壓器漏感的限制，不是很高。在S1和S2 的漏極之間接上RC緩沖電路，也稱為吸收電路
2018-09-29 16:43:21
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件;推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制,總是在一個(gè)三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止.開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉
2021-11-24 07:22:11
1.單片機(jī)IO口開漏輸出和推挽輸出有什么區(qū)別？開漏輸出：開漏輸出只能輸出低電平，如果要輸出高電平必須通過上拉電阻才能實(shí)現(xiàn)。就類似于三極管的集電極輸出。推挽輸出：推挽輸出既可以輸出低電平，也可以輸出
2021-12-07 06:13:45
可以輸出高電平，可以直接驅(qū)動(dòng)功耗不大的數(shù)字器件。推挽電路是由兩個(gè)三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小、效率高、既提高電路的負(fù)載能力，又提高開關(guān)速度。其原理圖如下：當(dāng)內(nèi)部輸出1電平時(shí)，上邊的MOS管導(dǎo)通同時(shí)下邊的MOS管截
2021-12-13 07:10:15
單片機(jī)端口的推挽方式和漏極方式的區(qū)別
2014-06-04 08:11:04
電容，Cj為輸出二極管的結(jié)電容。圖5為反激變換器工作在DCM工作模式時(shí)，開關(guān)管分別工作在(a)開通瞬間、 (b)開通階段、 (c)關(guān)斷瞬間和(d)關(guān)斷階段時(shí)，所對(duì)應(yīng)的等效分析電路，Rds為開關(guān)管的漏源極
2018-10-10 20:44:59
2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調(diào)大一點(diǎn)，也會(huì)使得漏極開機(jī)瞬間尖峰稍微減小，但也會(huì)導(dǎo)致低壓無法啟動(dòng)。
請(qǐng)問是什么原因導(dǎo)致MOS管漏極開機(jī)瞬間電壓很大？如何解決？
2023-10-09 23:06:47
承受這個(gè)額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了
2018-11-08 14:13:40
流過電阻，并且沒有電壓。通過以1 kHz的頻率向MOSFET施加脈動(dòng)信號(hào)，漏極輸出遵循與柵極相同的波形，但具有反相。對(duì)于許多類型的開關(guān)設(shè)備，即使連接到電阻性負(fù)載，也會(huì)產(chǎn)生輸出峰值，其特點(diǎn)是持續(xù)時(shí)間非常短
2020-09-09 16:04:44
的最后一步是決定MOS管的開關(guān)性能 影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開關(guān)速度因此
2016-01-26 10:30:10
在開關(guān)電源中如何消除開關(guān)mos管漏極產(chǎn)生的振蕩成份呢？
2023-05-09 14:56:25
，也稱為吸收電路，用來抑制尖峰電壓的產(chǎn)生。并且為了給能量回饋提供反饋回路，在S1和S2 兩端都反并聯(lián)上續(xù)流二極管FWD. 2開關(guān)變壓器的設(shè)計(jì) 采用面積乘積（AP）法進(jìn)行設(shè)計(jì)。對(duì)于推挽逆變工作開關(guān)
2018-09-29 16:55:57
開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，我們常常使用到一個(gè)電阻串聯(lián)一個(gè)電容構(gòu)成的RC電路， RC電路性能會(huì)直接影響到產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性。如何設(shè)計(jì)既能降低開關(guān)管損耗，且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路？
2019-01-10 14:07:18
甚至繼電器，但電阻的驅(qū)動(dòng)是有限的，最大高電平輸出電流=(vcc-Vh)/r; 另一種是互補(bǔ)推挽輸出，采用2只晶體管，一只在上一只在下，上面的一只是n型，下面為p型(以三極管為例)，兩只管子的連接為
2019-05-24 09:07:33
高頻逆變器推挽方式前級(jí)升壓mos尖峰問題怎么解決驅(qū)動(dòng)是sg3525，開環(huán)的時(shí)候波形很好， 當(dāng)變壓器副邊升壓到420V開始穩(wěn)壓的時(shí)候，sg3525就開始調(diào)整占空比這時(shí)候就有尖峰
2023-10-08 10:59:26
上的漏感尖峰電壓應(yīng)力及EMI輻射問題。圖2常見的RCD吸收電路結(jié)構(gòu)如圖2(D1一般用快恢復(fù)二極管)。如果變壓器設(shè)計(jì)不合理，漏感大的話，開關(guān)管管斷時(shí)，漏感電壓較大，振蕩時(shí)間較長，導(dǎo)致MOS電壓應(yīng)力比較
2021-06-09 06:00:00
剛接觸ATX電源部分，這個(gè)推挽電路是放大主開關(guān)管的，不明白為什么有方波發(fā)生時(shí)，三極管就會(huì)截止呢？
2023-04-28 14:50:37
概述副邊整流二極管的尖峰開關(guān)電源產(chǎn)生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關(guān)管，整流管，變壓器，還有輸出扼流線圈，等。不采取任何措施時(shí)輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現(xiàn)在開關(guān)脈沖
2019-05-13 05:57:38
概述副邊整流二極管的尖峰開關(guān)電源產(chǎn)生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關(guān)管，整流管，變壓器，還有輸出扼流線圈，等。不采取任何措施時(shí)輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現(xiàn)在開關(guān)脈沖
2019-04-08 08:30:00
現(xiàn)有的自激推挽式變換器由輸入濾波電路、雙極性推挽式電路和耦合變壓器組成，由于輸入端的電壓通過電阻R、電容C′直接加在兩個(gè)晶體管上。當(dāng)電壓較低時(shí)，晶體管能正常運(yùn)行；而當(dāng)輸入電壓較高時(shí)，因?yàn)榕c電阻R并聯(lián)
2020-10-26 14:32:24
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
：吸收是對(duì)電壓尖峰而言。電壓尖峰的成因：電壓尖峰是電感續(xù)流引起的。引起電壓尖峰的電感可能是：變壓器漏感、線路分布電感、器件等效模型中的感性成分等。引起電壓尖峰的電流可能是：拓?fù)潆娏?、?b class="flag-6" style="color: red">極管反向恢復(fù)
2021-06-02 16:18:47
很小。另外,功率開關(guān)管在截止期間,高頻變壓器繞組漏感引起的電流突變,也會(huì)產(chǎn)生 尖峰干擾。
2009-10-13 08:33:24
的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率
2021-11-10 07:00:00
以是另一個(gè)開關(guān)三極管）總是交替地導(dǎo)通或者截止，圖1中KQ和KD并非是理想器件，兩種狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要一定的時(shí)間，這就產(chǎn)生了尖峰干擾。在狀態(tài)轉(zhuǎn)變過程中，該導(dǎo)通的開關(guān)沒有完全導(dǎo)通，而該截止的開關(guān)卻又沒有截止的瞬間
2011-09-02 11:26:54
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件; 開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)). 推挽
2018-06-28 10:32:42
推挽輸出了，大家說說推挽和漏極輸出各有什么優(yōu)劣嗎？還有單片機(jī)輸出到數(shù)字三極管是不是用PNP數(shù)字三極管更好些呢？希望用過的給個(gè)建議，小弟在此謝過了
2019-09-26 04:49:55
網(wǎng)上基本都是說，當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí)，漏感會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓。那我想問下，當(dāng)MOS管開通時(shí)，這個(gè)漏感就不會(huì)對(duì)MOS管產(chǎn)生影響嗎？
2018-12-20 14:12:20
輸入電壓與二極管導(dǎo)通壓降之和，因此和推挽電路相比，理論上半橋電路的開關(guān)管無電壓尖峰。全橋電路也具備半橋電路的上述優(yōu)點(diǎn)，但它需要數(shù)量較多的開關(guān)管，結(jié)構(gòu)較復(fù)雜。本文利用半橋電路作為超聲電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路，分析了
2022-09-06 16:15:17
最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開關(guān)過程中器件的總損耗，要計(jì)算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。`
2019-01-10 11:52:27
使S2在關(guān)斷時(shí)承受的電壓是輸入電壓與感應(yīng)電壓之和約為2UI.在實(shí)際中，變壓器的漏感會(huì)產(chǎn)生很大的尖峰電壓加在S2兩端，從而引起大的關(guān)斷損耗，變換器的效率因受變壓器漏感的限制，不是很高。在S1和S2的漏極
2018-10-10 17:00:06
高頻變壓器漏感的控制 高頻變壓器的漏感是功率開關(guān)管關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生的重要原因之一，因此，控制漏感成為解決高頻變壓器帶來的EMI首要面對(duì)的問題?！ p小高頻變壓器漏感兩個(gè)切入點(diǎn)：電氣設(shè)計(jì)、工藝
2011-07-11 11:40:21
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)存在弊端。
2011-09-13 15:29:57
4735 
推挽式逆變器原理推挽式逆變器原理推挽式逆變器原理
2015-12-30 16:11:44
0 的死區(qū)處都長了一個(gè)長長的尖峰，這個(gè)尖峰對(duì)逆變器/UPS性能的影響和開關(guān)管Q1，Q2的威脅是不言而喻的，這里就不多說了。 二 Q1，Q2兩管漏極產(chǎn)生尖峰的成因分析 從圖1中可以看出，主電路功率元件是開關(guān)管Q1，Q2和變壓器T1。 Q1，Q2的漏極引腳到TI初級(jí)兩邊走線存在分布電感，
2017-12-11 10:50:238 上上期我們提到了buck電路的開關(guān)的振鈴波形，本質(zhì)原因是LC的阻尼振蕩。文章偏理論，那BUCK到底是怎么產(chǎn)生尖峰振蕩呢？ 問題 本期主要分析以下這兩個(gè)問題： 1、死區(qū)時(shí)間是什么？這里有個(gè)小臺(tái)階
2021-07-06 08:56:3318617 
逆變電源工程師設(shè)計(jì)之首選。正是因?yàn)榭此坪唵蔚囊粋€(gè)拓?fù)?，確讓很多設(shè)計(jì)師望而卻步，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">推挽有一個(gè)最頭疼的問題，電壓尖峰。通常推挽拓?fù)渲泄β使苓x用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而...
2021-11-09 12:51:0025 產(chǎn)生尖峰電流的另一個(gè)原因是負(fù)載電容的影響。與非門輸出端實(shí)際上存在負(fù)載電容 CL，當(dāng)門的輸出由低轉(zhuǎn)換到高時(shí)，電源電壓由 T4 對(duì)電容 CL 充電，因此形成尖峰電流。
2023-04-21 14:53:411764 
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