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電子發(fā)燒友網(wǎng)>市場分析>美光NAND閃存市占率新突破,首次超過20%

美光NAND閃存市占率新突破,首次超過20%

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但是,存儲芯片大企業(yè)的價格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報道說,已經(jīng)從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴大到nand閃存。
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NAND閃存市場分析 閃存控制器行業(yè)玩家分析

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奇瑞集團10月份銷售汽車200,313輛,同比增長50.8%;單月銷量首次突破20萬輛,再次刷新紀錄。近4個月以來,奇瑞集團已連續(xù)跨越15萬、17萬、19萬和20萬的單月銷量新臺階。1-10月份
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三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場,穩(wěn)定NAND閃存價格,并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標。
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逐季調(diào)漲20%!存儲巨頭NAND芯片漲至明年

值得注意的是,信達證券此前援引行業(yè)消息稱,近日三星向客戶公布Q4官價,MobileDRAM合約價環(huán)比漲幅預(yù)估將擴大至11%-25%;NAND Flash方面,UFS4.0漲幅約2%左右,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達66%。
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三星計劃明年一季度與二季度再次逐季調(diào)漲20%

根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價,移動DRAM合約價環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面,UFS4.0漲幅約2%,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達66%。
2023-11-03 15:37:32281

三星NAND擬進一步漲價,明年一、二季度將逐季調(diào)漲20%

這是國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)界多名消息人士透露的。據(jù)悉,三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10%至20%后,還決定明年第1、2季度也按季度上調(diào)20%。這是為了穩(wěn)定nand型價格和實現(xiàn)明年上半年市場逆轉(zhuǎn)目標而采取的措施。
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請問ds18b20的分辨是什么意思?

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2023-11-03 07:42:59

三星喊NAND季季漲價20% 幅度超預(yù)期有利群聯(lián)、威剛等運營

 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱,三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10至20%后,決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價格,試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場。
2023-11-02 10:35:01523

51單片機中unsigned short多少字節(jié)?

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2023-10-27 07:02:12

第四季度DRAM和NAND全面漲價,成本上漲約30%

從2024年第四季度開始,DRAM和NAND閃存的價格將全面上漲,這已經(jīng)導(dǎo)致國內(nèi)存儲器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%,而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。
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中芯國際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權(quán)

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2023-10-17 09:46:07265

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# #上海進博會 光是否能走出如今的困境?將參加上海進博會

深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-11 12:01:56

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目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
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TTL逆變器和NAND門實驗研究

20世紀60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來,各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實驗將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。
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三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

超過 300 層;采用雙層堆棧架構(gòu)。 而SK海力士則計劃在2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND 閃存
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三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

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SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
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三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價 漲幅為15%

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2023-08-02 08:15:35790

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢及應(yīng)用

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【貼片SD Card介紹】貼片式tf卡/SD NAND/SD2.0協(xié)議

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全球第一SSD誕生:QLC閃存70年寫不死

SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非?;钴S,最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖,預(yù)計2023年上半年陸續(xù)落地。
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芯科普 | 一文了解 NAND 閃存技術(shù)的發(fā)展演變

NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心,從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件, NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景愈發(fā)多樣化,各種要求也隨之出現(xiàn),常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等
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一文了解NAND閃存技術(shù)的發(fā)展演變

隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展,全球 NAND 市場正呈擴張之勢。而由于新冠疫情的爆發(fā),人們更多選擇遠程辦公和在線課程,對數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長
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拐彎突破美國禁令!長江存儲神秘閃存曝光

長江存儲已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會坐以待斃。
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2023-07-19 15:21:372102

NAND閃存加速度,推動Multi-Die驗證新范式

NAND閃存,所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本,同時創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開研究,期望能夠擴展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達到的最小節(jié)點,但開發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486

各家3D NAND技術(shù)大比拼 被壟斷的NAND閃存技術(shù)

隨著密度和成本的飛速進步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:291744

NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別

閃存存儲設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495201

開放NAND閃存接口ONFI介紹

本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865

蘋果手表首次突破5000萬臺,累計銷量2.29億塊

  據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)watch faces公布的最新數(shù)據(jù)顯示,蘋果公司的蘋果手表到2022年的年銷量達5390萬部,首次突破5000萬臺。
2023-06-15 10:19:221065

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727

求助,nuc980裸機程序超過1個block如何下載到spi nand?

nuc980裸機程序超過1個block如何下載到spi nand
2023-06-13 08:18:28

SK海力士宣布量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片,生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%,成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492

NAND閃存特點及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982

今日看點丨三星醞釀 NAND 存儲晶圓漲價;臺積電先進封測六廠正式啟用

NAND 存儲器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價格提高 3%-5% 以試探市場反應(yīng),并表示 NAND 閃存的價格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒:蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114

QLC閃存 D5-P5430的基本規(guī)格、性能表現(xiàn)

SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm,就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430,可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489

SK海力士量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

sk海力士表示:“以238段nand閃存為基礎(chǔ),開發(fā)了智能手機和pc用客戶端ssd (client ssd)解決方案產(chǎn)品,并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品,在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:531564

無法將超過8K的數(shù)據(jù)寫入64k閃存扇區(qū)怎么辦?

任何人都可以幫助我面對像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無法將超過 8K 的數(shù)據(jù)寫入 64k 的問題嗎?即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。 如果我提供
2023-06-08 06:39:37

3D-NAND 閃存探索將超過300層

全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝,這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324

TTL逆變器和NAND

20世紀60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來,各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實驗將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。
2023-05-29 14:19:23395

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位,因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193

如何在帶有spi的iMX RT 1052上使用NAND閃存

我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過 NAND FLASH。 因為我試圖將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒有看到任何關(guān)于它的示例。
2023-05-18 06:53:45

MCU Boot Utility是否支持此串行NAND?

我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動。我們選擇了RT1050參考手冊中提到的這個NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。 我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18

8倍密度,像做3D NAND一樣做DRAM

Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上,除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982

imx28無法從NAND啟動并進入USB恢復(fù)模式怎么解決?

- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計板中的問題。 - imx28 無法從 NAND 啟動并進入 USB 恢復(fù)模式。 - 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存
2023-04-27 06:50:47

如何啟動IMX6ULL NAND閃存?

我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17

QSPI flash首次量產(chǎn)時推薦的編程方法是什么?

對于我們的項目,我們將 QSPI 閃存連接到以下引腳: 而我們的板子會使用qspi flash作為默認的啟動源,不會有任何其他的啟動設(shè)備。在此配置中,我們應(yīng)該如何處理 BOOT_CFG 引腳?從
2023-04-17 08:50:47

鎧俠在閃存市場的底氣

眾所周知,鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維(3D)垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH,讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時,鎧俠還是第一個設(shè)想并準備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796

Bluedroid如何使用超過20個字節(jié)的特性?

的答案。當答案超過 20 個字節(jié)長時,我收到警告消息:W (591392) BT_GATT:屬性值太長,將被截斷為 20特征是這樣定義的(超過 20 個字節(jié))。[任務(wù)藍牙
2023-04-14 07:49:06

魅族20系列發(fā)布:旗艦性能 全面突破

今天,魅族正式發(fā)布了魅族 20 系列新品,包括:魅族 20、魅族 20 Pro 以及“超大杯”魅族 20 INFINITY 無界版。此次新品全系搭載了第二代驍龍8移動平臺,不僅擁有強悍的性能,在顯示、影像、通信等方面也實現(xiàn)了全方位突破,它究竟會給我們帶來哪些驚喜呢?一起來看下。
2023-03-31 09:31:191940

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

XIP是否通過QSPI支持NAND閃存?

大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對內(nèi)存使用有一些疑問: XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動,則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44

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