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UCC27322-EP 具有使能端的增強(qiáng)型單路 9A 高速低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

數(shù)據(jù):

描述

UCC27322在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列中提供9 A的峰值驅(qū)動(dòng)電流。由于高dV /dt躍遷,這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)最大的MOSFET用于需要極端米勒電流的系統(tǒng)。這消除了額外的外部電路,可以替代多個(gè)元件,以減少空間,設(shè)計(jì)復(fù)雜性和裝配成本。

采用本質(zhì)上最小化直通電流的設(shè)計(jì),這些輸出可以提供高柵極驅(qū)動(dòng)電流在MOSFET開關(guān)轉(zhuǎn)換期間,米勒高原地區(qū)最需要它。獨(dú)特的混合輸出級(jí)并聯(lián)雙極和MOSFET晶體管(TrueDrive),可在低電源電壓下實(shí)現(xiàn)高效的電流輸送。憑借這種驅(qū)動(dòng)架構(gòu),UCC27322可用于工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)6-A,9-A和許多12-A驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。還包括閂鎖和ESD保護(hù)電路。最后,UCC27322提供了一個(gè)使能(ENBL)功能,可以更好地控制驅(qū)動(dòng)程序應(yīng)用程序的運(yùn)行。 ENBL在引腳3上實(shí)現(xiàn),之前在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳輸出中未使用。它在內(nèi)部上拉至V DD 以獲得高電平有效邏輯,并且可以保持開路以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)操作。

特性

  • 增加使能功能的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳
  • 米勒的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力為±9 A
    Plateau Region使用TrueDrive
  • 使用獨(dú)特的雙極和CMOS輸出級(jí)實(shí)現(xiàn)高效恒流源
  • TTL- /CMOS兼容輸入,與電源電壓無關(guān)
  • 20-ns典型上升和15-ns典型下降時(shí)間,10-nF負(fù)載
  • 典型傳輸延遲時(shí)間為25 ns,輸入下降,35 ns,輸入上升
  • 4 V至15 V電源電壓
  • 無鉛表面處理(NiPdAu)
  • 應(yīng)用
    • 受控基線
    • 一個(gè)裝配/測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)
    • 一個(gè)制造現(xiàn)場(chǎng)
    • 額定從-55°C到125°C
    • 延長(zhǎng)產(chǎn)品生命周期
    • 擴(kuò)展產(chǎn)品更改通知
    • 產(chǎn)品可追溯性
  • 應(yīng)用
    • 開關(guān)電源
    • DC /直流轉(zhuǎn)換器
    • 電機(jī)控制器
    • 線路驅(qū)動(dòng)器ers
    • D類開關(guān)放大器
    • 脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器

?
Number of Channels (#)
Power Switch
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
UCC27322-EP
1 ? ?
MOSFET
IGBT ? ?
9 ? ?
4 ? ?
15 ? ?
20 ? ?
20 ? ?
25 ? ?
CMOS
TTL ? ?
Enable Pin ? ?
HiRel Enhanced Product ? ?
-40 to 105
-55 to 125 ? ?
SOIC
VSSOP ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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