LMG5200 LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)

LMG5200器件集成了80V，10A驅(qū)動(dòng)器和GaN半橋功率級(jí)，采用增強(qiáng)模式氮化鎵（GaN）FET提供了一套集成功率級(jí)解決方案。該器件包含兩個(gè)80V GaNFET，它們由采用半橋配置的同一高頻GaN FET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。

GaN FET在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢(shì)顯著，因?yàn)槠浞聪蚧謴?fù)電荷幾乎為零，輸入電容C _ISS 也非常小。所有器件均安裝在一個(gè)完全無(wú)鍵合線的封裝平臺(tái)上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù).LMG5200器件采用6mm×8mm ×2mm無(wú)鉛封裝，可輕松安裝在PCB上。

該器件的輸入與TTL邏輯兼容，無(wú)論VCC電壓如何，都能夠承受高達(dá)12V的輸入電壓。專有的自舉電壓鉗位置技術(shù)確保了增強(qiáng)模式GaN FET的柵極電壓處于安全的工作范圍內(nèi)。

該器件配有用戶友好型接口并更為出色，進(jìn)一步提升了分立式GaN FET的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于具有高頻，高效操作及尺寸要求的應(yīng)用而言，該器件堪稱理想的解決方案。與TPS53632G控制器搭配使用時(shí)，LMG5200能夠直接將48V電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載點(diǎn)電壓（0.5-1.5V）。