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      4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引腳 DIP 通用光敏達靈頓光電耦合器

      數(shù)據(jù)：

      產(chǎn)品信息

      4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發(fā)射器，光耦合至一個硅平面達林頓放大器。
      • “對于低輸入驅(qū)動電流高度敏感
      • 滿足或超過所有 JEDEC 寄存規(guī)格
      • 安全和法規(guī)認證：
      • UL1577，4170 VAC
      • （1 分鐘）
      • DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作絕緣電壓”

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關(guān)資料（6）
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