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4N55 / 883B是一款高可靠性H級(jí)雙通道密封光電耦合器,采用16引腳陶瓷DIP封裝。還提供鍍金引線,焊接浸漬引線和各種引線形式選項(xiàng)。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參見數(shù)據(jù)表。
該產(chǎn)品可在整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)運(yùn)行和存儲(chǔ),也可以商品級(jí)購買,并通過MIL-PRF-38534 Class K級(jí)測(cè)試,或來自DLA SMD 5962-87679。該設(shè)備在MIL-PRF-38534認(rèn)證生產(chǎn)線上制造和測(cè)試,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微電路。
每個(gè)通道都包含一個(gè)GaAsP LED,它是光學(xué)耦合到集成光子探測(cè)器。通過降低基極 - 集電極電容,光電二極管和輸出晶體管集電極的單獨(dú)連接可將速度提高到傳統(tǒng)光電晶體管耦合器的百倍。
該器件適用于寬帶模擬應(yīng)用程序,以及TTL與LSTTL或CMOS的接口。在IF = 16mA時(shí),電流傳輸比(CTR)為9%min。 18V Vcc功能將使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⑷魏蜹TL系列與CMOS接口?;鶚O引線的可用性允許在模擬應(yīng)用中優(yōu)化增益/帶寬調(diào)整。 IC光電二極管的淺深度提供比傳統(tǒng)光電晶體管耦合器更好的輻射抗擾度。
這些產(chǎn)品也可與晶體管基極節(jié)點(diǎn)相連,以提高共??箶_度和ESD敏感性。此外,特殊要求可提供更高的CTR最小值。
該模具在一個(gè),兩個(gè)或四個(gè)通道中的封裝形式為8和16引腳DIP通孔,16引腳表面安裝DIP扁平封裝,以及20焊盤無鉛陶瓷芯片載體。大多數(shù)器件都有各種引線形式和電鍍選項(xiàng)。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參見數(shù)據(jù)表。
由于數(shù)據(jù)表中列出的每個(gè)器件的每個(gè)通道都使用相同的芯片,因此絕對(duì)最大額定值,建議的工作條件,電氣規(guī)格和性能特征如下所示。所有部件的數(shù)據(jù)表數(shù)字幾乎相同。由于包裝的變化和限制而存在偶然的例外,并且如上所述。另外,在所有設(shè)備中使用相同的包裝組裝過程和材料。這些相似性為使用從一個(gè)部件獲得的數(shù)據(jù)來表示其他部件的可靠性和某些有限的輻射測(cè)試結(jié)果提供了理由。