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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

6.3k 內(nèi)容數(shù) 48w+ 瀏覽量 83 粉絲

C2M1000170J碳化硅MOSFET

型號(hào)： C2M1000170J

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1700V
  • 柵極 - 源極電壓 -10/+25
  • 柵極 - 源極電壓 -5/+20
  • 脈沖漏極電流 15A
  • 功耗 69W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -55to+150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C2M0045170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉(zhuǎn)換提供更快的開關(guān)和更高的可靠性。Wolfspeed 1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實(shí)現(xiàn)更小、更高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比；Wolfspeed 碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開關(guān)頻率；較小的設(shè)計(jì)；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。

C2M0045170D


優(yōu)點(diǎn)
? 更高的系統(tǒng)效率
? 平滑的開關(guān)波形
? 降低冷卻要求
? 最小門振鈴
? 提高系統(tǒng)可靠性

特征
? 高阻斷電壓和低 RDS(on)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動(dòng)
? 低寄生電感
? 低阻抗封裝
? 獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳
? 超低漏柵電容
? 無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)

 

應(yīng)用
? 輔助電源
? 開關(guān)模式電源
? 高壓容性負(fù)載

 

漏源電壓:1700V
柵極-源極電壓動(dòng)態(tài):-10/+25V
柵極-源極電壓靜態(tài)：-5/+20V
脈沖漏極電流：15A
功耗：60W
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度:-55to+150?C
焊接溫度:260?C


相關(guān)型號(hào)
C2M1000170J C3D08060G
CSD01060E C3D08060A
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C3D02060E C3D10060A
C3D02060F C3D16060D
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C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060A C3D04065E
C3D04060E C3D04065A
C3D04060F C6D04065E
C3D04060A C6D04065A
C3D06060G C6D06065Q
C3D06060F C6D06065G
C3D06060A C3D06065E
 

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