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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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WAB300M12BM3碳化硅功率模塊

型號： WAB300M12BM3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 阻斷電壓 1200V
  • 包裹 62毫米
  • 配置 半橋
  • 電阻 4μJ
  • 模塊尺寸 105 x 62 x 31 毫米
  • 最高結(jié)溫 175°C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

WAB300M12BM3是Wolfspeed 62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關(guān)和傳導(dǎo)優(yōu)化應(yīng)用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。Wolfspeed 的 62mm 功率模塊平臺提供了碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢；同時(shí)保持穩(wěn)?。恍袠I(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 62 毫米模塊封裝。Wolfspeed 62mm BM 封裝的內(nèi)部設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了高速碳化硅開關(guān)的優(yōu)勢；由于低電感布局。BM 平臺非常適合工業(yè)測試設(shè)備中的應(yīng)用；軌道/牽引；和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施市場。

WAB300M12BM3

系統(tǒng)優(yōu)勢
? 從 62mm Si IGBT 封裝過渡所需的開發(fā)時(shí)間極短且上市時(shí)間短
? 由于 SiC 的低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，提高了系統(tǒng)效率
? 高可靠性材料選擇


技術(shù)特點(diǎn)
? 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 毫米尺寸
? 高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)
? 高結(jié)溫 (175 °C) 操作
? 實(shí)施交換優(yōu)化的第三代
碳化硅MOSFET技術(shù)
? 低電感 (10.2 nH) 設(shè)計(jì)
? 氮化硅絕緣體和銅基板


應(yīng)用
? 鐵路和牽引
? 太陽的
? 電動(dòng)汽車充電器
? 工業(yè)自動(dòng)化與測試


阻斷電壓:1200V
包裹：62毫米
配置：半橋
電阻：13μJ
模塊尺寸：105 x 62 x 31 毫米
最高結(jié)溫：175°C


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