--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 操作頻率 3.1 - 3.5 GHz
- 典型輸出功率 75 W
- 功率增益 29 分貝
- 歐姆匹配 50
- 塑料表面貼裝封裝 7x7 mm QFN
--- 產(chǎn)品詳情 ---
Cree 的 CMPA3135060S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性,包括更高的擊穿率電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。該 MMIC 功率放大器包含一個兩級無功匹配放大器設計方法,使高功率和功率附加效率成為采用 7mm x 7mm 表面貼裝(QFN 封裝)實現(xiàn)。 該 MMIC 設計用于 S 波段雷達功率放大器應用。
特征
3.1 - 3.5 GHz 操作
75 W 典型輸出功率
29 分貝功率增益
50 歐姆匹配,易于使用
塑料表面貼裝封裝,7x7 mm QFN
應用
空中交通管制雷達
國防監(jiān)視雷達
火控雷達
軍用空中、陸地和海上雷達
天氣雷達
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