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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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CMPA5259080S氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

型號： CMPA5259080S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 典型功率附加效率 >48%
  • 小信號增益 29 dB
  • 典型 PSAT 110 W工作電壓高達(dá) 40 V
  • 擊穿電壓 高擊穿電壓
  • 操作環(huán)境 高溫操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Cree 的 CMPA5259080S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與此相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬到 Si 和 GaAs 晶體管。 該 MMIC 包含一個兩級無功匹配放大器設(shè)計方法可實現(xiàn)高功率和功率附加效率可在 7 mm x 7 mm 表面貼裝（QFN 封裝）中實現(xiàn)。

CMPA5259080S

 

特征
>48% 的典型功率附加效率
29 dB 小信號增益
110 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 40 V
高擊穿電壓
高溫操作

 

應(yīng)用
民用和軍用脈沖
雷達(dá)放大器

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