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東莞市中銘電子

始創(chuàng)于2006年,主力半導(dǎo)體芯片銷售、產(chǎn)品研 發(fā)、方案設(shè)計(jì)及互聯(lián)網(wǎng)支持等服務(wù)。

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超低待機(jī)功耗原邊反饋24W電源管理芯片

型號: PN6795C

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 PN6795C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

超低待機(jī)功耗原邊反饋24W電源管理芯片-PN6795C

 

一、概述

 

PN6795C電源管理芯片集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN6795C為原邊反饋工

作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM兩種工作模式。內(nèi)置高壓啟動電路,可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準(zhǔn)諧振、多模式技術(shù)與PWM頻率切

換技術(shù)共同提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn),頻率抖動技術(shù)可實(shí)現(xiàn)較好的EMI特性;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全

面的智能保護(hù)功能,包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。

 

二、應(yīng)用領(lǐng)域

 

  開關(guān)電源適配器

  機(jī)頂盒等外置電源

 

三、產(chǎn)品特征

 

內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET

內(nèi)置高壓啟動電路,小于50mW空載損耗(230VAC)

支持CCM和DCM兩種工作模式

采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率,滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)

全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度

原邊反饋可省光耦和TL431

恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)

無需額外補(bǔ)償電容、無音頻噪聲

智能保護(hù)功能
 過溫保護(hù) (OTP)
 VDD欠壓&過壓保護(hù) (UVLO&OVP)
 逐周期過流保護(hù) (OCP)
 CS開/短路保護(hù) (CS O/SP)
 開環(huán)保護(hù) (OLP)

 

四、輸出特性、封裝訂購信息

五、典型應(yīng)用

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