--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號(hào) PN8143T
--- 產(chǎn)品詳情 ---
6-8W內(nèi)置1000V-MOS管超低待機(jī)功耗交直流電源管理芯片
一、概述
PN8143T電源管理芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括周期式過流保護(hù)(外部可調(diào))、過載保護(hù)、過壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調(diào)節(jié)模式混合技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。良好的EMI表現(xiàn)由頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證。該芯片還內(nèi)置智能高壓?jiǎn)?dòng)模塊。PN8143T為需要超低待機(jī)功耗的高性價(jià)比反激式開關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個(gè)先進(jìn)的實(shí)現(xiàn)平臺(tái),非常適合智能電表、Eur2.0、能源之星的應(yīng)用。
二、特性
內(nèi)置1000V高雪崩能力的功率MOSFET
Hi-mode(60kHz PWM)
Eco-mode(動(dòng)態(tài)PFM)
Burst-mode (25kHz間歇工作模式)
改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)
空載待機(jī)功耗<50mW@230VAC
軟啟動(dòng)技術(shù)
內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路
內(nèi)置線電壓補(bǔ)償和斜坡補(bǔ)償
優(yōu)異全面的保護(hù)功能
過溫保護(hù)(OTP)
過載保護(hù)(OLP)
外部電阻可調(diào)式周期過流保護(hù)(OCP)
過壓保護(hù)(OVP)
CS短路保護(hù)
三、應(yīng)用領(lǐng)域
開關(guān)電源適配器
白色家電、個(gè)人電腦、音響等輔助電源
智能電表
四、封裝訂購(gòu)信息
五、典型電路
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