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東莞市中銘電子

始創(chuàng)于2006年,主力半導(dǎo)體芯片銷售、產(chǎn)品研 發(fā)、方案設(shè)計(jì)及互聯(lián)網(wǎng)支持等服務(wù)。

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高性能、滿足六級能效待機(jī)功耗交直流電源管理芯片

型號: --PN8149H

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 --PN8149H

--- 產(chǎn)品詳情 ---

高性能、滿足六級能效待機(jī)功耗交直流電源管理芯片--PN8149H

一 概述

PN8149H電源管理芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括周期式過流保護(hù)(外部可調(diào))、過載保護(hù)、過壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調(diào)節(jié)模式混合技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了的待機(jī)功耗、電壓范圍下的效率。良好的EMI表現(xiàn)由頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證。該芯片還內(nèi)置智能高壓啟動模塊。PN8149H為需要待機(jī)功耗的高性價(jià)比反激式開關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個的實(shí)現(xiàn)平臺,非常適合六級能效標(biāo)準(zhǔn)、Eur2.0、能源之星的應(yīng)用。

 

二 特性

■ 內(nèi)置800V高雪崩能力的功率MOSFET

■ Hi-mode(60kHz PWM)

■ Eco-mode(動態(tài)PFM)

■ Burst-mode(25kHz間歇工作模式)

■ 改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)

■ 空載待機(jī)功耗<75mW@230VAC

■ 軟啟動技術(shù)

■ 內(nèi)置高壓啟動電路

■ 內(nèi)置線電壓補(bǔ)償和斜坡補(bǔ)償

■ 輸出功率24W@85~265VAC開放式

■ 優(yōu)異的保護(hù)功能

 * 過溫保護(hù)(OTP)

 * 過載保護(hù)(OLP)

 * 外部電阻可調(diào)式周期過流保護(hù)(OCP)

 * 過壓保護(hù)(OVP)

 * CS短路保護(hù)
 

三 應(yīng)用

■ 開關(guān)電源適配器和電池充電器

■ 家電輔助電源

■ 智能電表
 

四 封裝

五 應(yīng)用電路圖

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