--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號(hào) ID2006
--- 產(chǎn)品詳情 ---
高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片-ID2006
一、概述
ID2006是-款基于P襯底、P外延工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片,具有獨(dú)立的高低邊參考輸出通道。該浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET,工作電壓高達(dá)200V。輸入信號(hào)可以兼容CMOS和LSTTL信號(hào),邏輯輸入電平低至3.3V。具有大電流輸出能力。
二、產(chǎn)品特診
高側(cè)浮動(dòng)偏移電壓200V
輸入邏輯兼容3.3V/5V
dV/dt抗干擾能力*50V/nsec
柵驅(qū)動(dòng)電壓范圍6V~18V
拉/灌電流能力典型值1A/1A
VS負(fù)偏壓能力典型值-9V
三、應(yīng)用領(lǐng)域
中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)
功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
半橋功率逆變器
全橋功率逆變器
任意互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器
四、封裝訂購(gòu)信息
五、典型電路
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