Qorvo 的 QPD0006 是一種單路徑高電子遷移率晶體管 (HEMT)，工作頻率范圍為 2.5 至 5 GHz。它提供 13.5 W (~41.3 dBm) 的輸出功率，增益為 16 dB，漏極效率為 75%。該晶體管使用碳化硅 (SiC) 上的氮化鎵 (GaN) 工藝制造。它需要 48 V 的直流電源并消耗 40 mA 的電流。該晶體管采用表面貼裝 DFN 封裝，尺寸為 4.5 x 4 mm，非常適合 WCDMA / LTE、宏蜂窩基站、微蜂窩基站、小型蜂窩、有源天線、5G 大規(guī)模 MIMO 和通用應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號 QPD0006
制造商 科爾沃
描述 2.5 至 5 GHz 的 13.5 W GaN-on-SiC HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型 HEMT
技術(shù) 碳化硅上的氮化鎵
應(yīng)用行業(yè) 蜂窩
應(yīng)用 5G Massive MIMO、通用、宏蜂窩基站驅(qū)動器、微蜂窩基站、小型蜂窩和有源天線、WCDMA
頻率 2.5 至 5 GHz
飽和功率 41.3 分貝
OIP3 13.5分貝
獲得 16分貝
電源電壓 48 伏
排水效率 75 %
靜態(tài)漏極電流 40毫安
包裹 DFN 封裝
方面 4.5 x 4.0 毫米
RoHS 是的
年級 商業(yè)的
相關(guān)型號
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