Qorvo 的 QPD0007 是一款單路徑分立式 GaN 晶體管，工作頻率范圍為 DC 至 5 GHz。它是一個單級晶體管，提供 43 dBm 的飽和輸出功率，效率高達(dá) 73%。這種符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的晶體管需要 48 V 的直流電壓并消耗 32.5 mA 的電流。它采用 GaN on SiC HEMT 工藝制造，采用尺寸為 4.5 x 4.0 mm 的 DFN 封裝。該晶體管可用于 WCDMA/LTE、宏蜂窩/微蜂窩基站、小型蜂窩、有源天線、5G 大規(guī)模 MIMO 和通用應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號 QPD0007
制造商 科爾沃
描述 20 W GaN on SiC HEMT，從直流到 5 GHz
一般參數(shù)
晶體管類型 HEMT
技術(shù) 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè) 無線基礎(chǔ)設(shè)施，蜂窩
應(yīng)用 5G Massive MIMO、W-CDMA / LTE、Microcell 基站、Small Cell、有源天線
頻率 直流至 5 GHz
飽和功率 43分貝
獲得 19分貝
電源電壓 48 V（漏極）
排水效率 73%
漏電流 32.5 毫安
無鉛 是的
包裝類型 表面貼裝
包裹 東風(fēng)
方面 4.5 x 4.0 毫米
RoHS 是的
年級 商業(yè)，空間合格
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