Qorvo 的 QPD1006 是一款 GaN-on-SiC HEMT 晶體管，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz。它提供 313 瓦的 CW 輸出功率，增益為 17.5 dB，脈沖功率為 468 瓦，增益為 17.8 dB，漏極效率超過(guò) 55%。
該器件內(nèi)部匹配 50 歐姆，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝。這種符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 GaN IMFET 晶體管非常適合軍用和民用雷達(dá)應(yīng)用，并且可以支持脈沖和 CW 操作。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào) QPD1006
制造商 科爾沃
描述 GaN-on-SiC HEMT 晶體管從 1.2 到 1.4 GHz
一般參數(shù)
晶體管類(lèi)型 HEMT
技術(shù) 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè) 航空航天與國(guó)防，雷達(dá)
連續(xù)波/脈沖 脈沖，連續(xù)波
頻率 1.2 至 1.4 GHz
力量 54.96 dBm（CW，3dB 壓縮），56.7 dBm（脈沖
功率(W) 313 W（CW，3dB 壓縮），468 W（脈沖
脈沖寬度 100 我們
占空比 10%
獲得 17.5 分貝（連續(xù)），17.8 分貝（脈沖）
電源電壓 45 V（CW），50 V（脈沖）
當(dāng)前的 750毫安
包裝類(lèi)型 陶瓷制品
RoHS 是的
工作溫度 -40 至 85 攝氏度
貯存溫度 -65 至 150 攝氏度
相關(guān)型號(hào)
CMD161 CMD119P3 CMD160 CMD163
CMD167 CMD171P4 CMD132 CMD159
CMD169P4 CMD157P3 CMD162 CMD157
QPQ4900 QPQ1028 QPQ3500 QPQ3501
880272 QPQ1298 QPQ1906 QPQ1905
