Qorvo 的 QPD1017 是一款內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 3.1 至 3.5 GHz。它提供 56.6 dBm (457 W) 的飽和輸出功率，增益為 16.5 dB，PAE 為 60%。該晶體管需要 50 V 的電源電壓并消耗高達(dá) 750 mA 的電流。它是完全匹配 50 歐姆的 GaN IMFET，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝，非常適合軍用雷達(dá)、民用雷達(dá)和測試儀器。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號 QPD1017
制造商 科爾沃
描述 3.1 至 3.5 GHz 的 450 W GaN RF IMFET
一般參數(shù)
晶體管類型 HEMT
技術(shù) 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè) 雷達(dá)、航空航天與國防、測試與測量
應(yīng)用 軍隊(duì)
連續(xù)波/脈沖 脈沖，連續(xù)波
頻率 3.1 至 3.5 GHz
力量 56.53 分貝
功率(W) 449.78 瓦
飽和功率 56.6 分貝
脈沖寬度 100 我們
占空比 0.1
獲得 16.5分貝
電源電壓 28 至 55 伏
電壓 - 柵源 (Vgs) -2.8 伏
漏極偏置電流 750毫安
靜態(tài)漏極電流 750毫安
阻抗 Z 50 歐姆
包裝類型 表面貼裝
RoHS 是的
相關(guān)型號
NLB-310 RFPA1012 RF7234 RF2815
RFDA0016 S518324-44Z SGA8343Z RF2312
RFDA2025 CGB-1089Z RF3376 RF2173
RFDA0026 NBB-500 NBB-310 RF5355
SBA4086Z CGA-1518Z SXE1089Z RF3378
