雙路、超低噪聲、低柵極電流、音頻、N 溝道 JFET
| Vn at 1 kHz (nV/rtHz) | 0.9 |
| Breakdown voltage (V) | 40 |
| VDS (V) | 40 |
| VGS (V) | -40 |
| VGSTH typ (V) | 1.2 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 超低噪聲：
- 電壓噪聲：
- 1 kHz 時(shí)為 0.9 nV/√Hz，IDS = 5 mA
- 1 kHz 時(shí)為 1.1 nV/√Hz，IDS = 2mA
- 電流噪聲：1 kHz 時(shí)為 1.6 fA/√Hz
- 電壓噪聲：
- 低 VGS 失配：4 mV（最大值）
- 低柵極電流：10 pA（最大值）
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低輸入電容：VDS = 5V 時(shí)為 13 pF
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高柵漏電壓和柵源擊穿電壓：-40 V
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高跨導(dǎo)：30 mS
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封裝：SOIC，2mm × 2mm WSON（預(yù)發(fā)布）
JFE2140 是使用德州儀器 (TI) 現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 匹配對(duì)分立式 JFET。JFE2140 具有以前較舊的分立式 JFET 技術(shù)所不具備的性能。JFE2140 在所有電流范圍內(nèi)均提供出色的噪聲性能，靜態(tài)電流可由用戶設(shè)置，范圍為 50 μA 至 20 mA。當(dāng)偏置電流為 5 mA 時(shí)，該器件會(huì)產(chǎn)生 0.9 nV/√Hz 的輸入?yún)⒖荚肼?，從而以極高的輸入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪聲性能。此外，可按照 ±4 mV 測(cè)試 JFET 之間的匹配性，確保差分對(duì)配置具有低失調(diào)電壓和高 CMRR 性能。JFE2140 還具有連接到獨(dú)立鉗位節(jié)點(diǎn)的集成二極管，無(wú)需添加高泄漏、非線性外部二極管即可提供保護(hù)。
JFE2140 可承受 40V 的高漏源電壓，以及低至 –40V 的柵源電壓和柵漏電壓。該器件額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。
