Automotive 40-V H-bridge smart gate driver with offline diagnostics & inline current sense am
| Number of full bridges | 1 |
| Vs (Min) (V) | 4.5 |
| Vs ABS (Max) (V) | 40 |
| Sleep current (uA) | 2.5 |
| Control mode | Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM |
| Control interface | Hardware (GPIO), SPI |
| Features | Inline Current Sense Amplifier, Smart Gate Drive |
| Rating | Automotive |
| TI functional safety category | Functional Safety-Capable |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
- 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，TA
- 提供功能安全
- 有助于進(jìn)行功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
- H 橋智能柵極驅(qū)動器
- 4.9V 至 37V（絕對最大值為 40V）工作電壓范圍
- 倍增電荷泵可實現(xiàn) 100% PWM
- 半橋和 H 橋控制模式
- 引腳對引腳柵極驅(qū)動器型號
- DRV8106-Q1：具有直列式放大器的半橋
- DRV8705-Q1：具有低側(cè)放大器的 H 橋
- 智能柵極驅(qū)動架構(gòu)
- 可調(diào)壓擺率控制
- 0.5 mA 至 62 mA 峰值拉電流輸出
- 0.5 mA 至 62 mA 峰值灌電流輸出
- 集成死區(qū)時間握手
- 寬共模電流分流放大器
- 支持直列式高側(cè)或低側(cè)
- 可調(diào)增益設(shè)置（10、20、40、80 V/V）
- 集成反饋電阻
- 可調(diào) PWM 消隱方案
- 提供多個接口選項
- SPI：詳細(xì)配置和診斷
- H/W：簡化的控制和更少的 MCU 引腳
- 展頻時鐘可降低 EMI
- 具有可潤濕側(cè)翼的緊湊型 VQFN 封裝
- 集成保護(hù)特性
- 專用驅(qū)動器禁用引腳 (DRVOFF)
- 電源和穩(wěn)壓器電壓監(jiān)控器
- MOSFET VDS 過流監(jiān)控器
- MOSFET VGS 柵極故障監(jiān)控器
- 用于反極性 MOSFET 的電荷泵
- 離線開路負(fù)載和短路診斷
- 器件熱警告和熱關(guān)斷
- 故障條件中斷引腳 (nFAULT)
DRV8706-Q1 是一款高度集成式 H 橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增電荷泵（針對高側(cè)）和線性穩(wěn)壓器（針對低側(cè)）生成合適的柵極驅(qū)動電壓。
該器件通過使用智能柵極驅(qū)動架構(gòu)來降低系統(tǒng)成本并提高可靠性。柵極驅(qū)動器可優(yōu)化死區(qū)時間以避免出現(xiàn)擊穿問題，通過可調(diào)柵極驅(qū)動電流對減少電磁干擾 (EMI) 進(jìn)行控制，而且可通過 VDS 和 VGS 監(jiān)控器來防止漏源極和柵極短路問題。
寬共模分流放大器具有內(nèi)聯(lián)電流感測功能，即使在再循環(huán)期間也可持續(xù)測量電機電流。如果不需要進(jìn)行內(nèi)聯(lián)感測，放大器可用于低側(cè)或高側(cè)感測配置。
DRV8706-Q1 提供了一系列保護(hù)功能，可確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。此類功能包括適用于電源和電荷泵的欠壓和過壓監(jiān)控、適用于外部 MOSFET 的 VDS 過流和 VGS 柵極故障監(jiān)控、離線開路負(fù)載和短路診斷，以及內(nèi)部熱警告和熱關(guān)斷保護(hù)功能。
