DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP, D-CAP2, S3, S4/S5 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 20 |
| Iout VTT (Max) (A) | 2 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.6 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support |
| Rating | Catalog |
- 同步降壓控制器 (VDDQ)
- 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3V 至 28V
- 輸出電壓范圍：0.7V 至 1.8V
- 0.8% VREF精度
- 可選控制架構(gòu)
- D-CAP?模式，可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
- D-CAP2?針對陶瓷輸出電容器的模式
- 可選 300kHz、400kHz、500kHz 或 670kHz 開關(guān)頻率
- 自動跳過功能優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載時的效率
- 支持 S4 和 S5 狀態(tài)下的軟關(guān)閉
- 過流 (OCL) / 過壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù)
- 電源正常輸出
- 2A LDO (VTT)，緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
- 2A（峰值）灌電流和拉電流
- 經(jīng)緩沖的，低噪聲，10mA VTTREF 輸出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 支持高阻抗 (S3) 和軟關(guān)閉（S4、S5）
- 熱關(guān)斷
- 20 引腳，3mm x 3mm，四方扁平無引線 (QFN) 封裝
- 創(chuàng)建 WEBENCH 設(shè)計
TPS51916 器件能夠以最少總成本和最小空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存儲器系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流和 2A 拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 集成在一起。
該器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 頻率的 D-CAP? 模式，以實(shí)現(xiàn)易于使用且快速的瞬態(tài)響應(yīng)，或采用耦合了更高的 500kHz 或 670kHz 頻率的 D-CAP2? 模式，以在無需外部補(bǔ)償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度優(yōu)于 0.8%。能夠提供 2A 灌電流和 2A 拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容。提供專用的 LDO 電源輸入。
該器件還可以提供卓越的電源性能。它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于高阻抗?fàn)顟B(tài)（處于 S3）并在 S4 或 S5 狀態(tài)下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進(jìn)行放電（軟關(guān)閉）。它還提供具有低側(cè) MOSFET RDS(on) 檢測功能的可編程 OCL、OVP、UVP、UVLO 以及熱關(guān)斷保護(hù)。
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