--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 GD32(兆易創(chuàng)新GD32)
- 型號 GD5F4GQ6UEYIGR
- 類型 存儲IC
- 封裝 WSON8
--- 產(chǎn)品詳情 ---
SPI(串行外圍接口)NAND閃存基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存核心,為嵌入式系統(tǒng)提供了一種超經(jīng)濟(jì)高效的高密度非易失性存儲器存儲解決方案。它是SPI-NOR和標(biāo)準(zhǔn)并行NAND閃存的有吸引力的替代品,具有高級功能:
1、總引腳數(shù)為8,包括VCC和GND
2、密度4Gb
3、優(yōu)于SPI-NOR的寫入性能和每比特成本
4、比并行NAND成本低得多
這種低引腳數(shù)NAND閃存遵循行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍接口,從一個密度到另一個密度始終保持相同的引腳輸出。命令集類似于常見的SPI-NOR命令集,經(jīng)過修改以處理NAND特定的功能并添加了新功能。GigaDevice SPI NAND是一款易于集成的NAND閃存,具有特定的設(shè)計(jì)功能,便于主機(jī)管理:
1、用戶可選擇的內(nèi)部ECC。ECC奇偶校驗(yàn)在頁面編程操作期間在內(nèi)部生成。當(dāng)頁面被讀取到緩存寄存器時,檢測ECC奇偶校驗(yàn),并在必要時糾正錯誤。設(shè)備輸出校正數(shù)據(jù)并返回ECC錯誤狀態(tài)。
2、使用內(nèi)部ECC移動或復(fù)制內(nèi)部數(shù)據(jù)。該設(shè)備可以輕松地刷新和管理垃圾收集任務(wù),而無需移入和移出數(shù)據(jù)。此命令字符串只能用于具有相同奇偶校驗(yàn)屬性的塊。
3、通電讀取,內(nèi)部ECC。開機(jī)后,設(shè)備會自動將第一個區(qū)塊的第一頁讀取到緩存中,然后主機(jī)可以直接從緩存中讀取數(shù)據(jù),以方便啟動。當(dāng)啟用ECC時,內(nèi)部ECC也保證數(shù)據(jù)正確。
它在基于頁面的操作中編程和讀取,在基于塊的操作中擦除。數(shù)據(jù)被逐頁地傳送到數(shù)據(jù)寄存器和高速緩存寄存器,或從NAND閃存陣列傳送數(shù)據(jù)。高速緩存寄存器最接近I/O控制電路,并充當(dāng)I/O數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)緩沖器;數(shù)據(jù)寄存器最接近存儲器陣列,并且充當(dāng)NAND閃存陣列操作的數(shù)據(jù)緩沖器。高速緩存寄存器用作緩沖存儲器,以啟用頁面和隨機(jī)數(shù)據(jù)讀/寫和復(fù)制回操作。這些設(shè)備還使用SPI狀態(tài)寄存器來報告設(shè)備操作狀態(tài)。
功能特征
1、 4Gb SLC NAND閃存
2、 頁面大小
(1) 內(nèi)部ECC開啟(ECC_EN=1,默認(rèn)值):
頁面大?。?048字節(jié)+64字節(jié)
(2) 內(nèi)部ECC關(guān)閉(ECC_EN=0):
頁面大?。?048字節(jié)+128字節(jié)
3、 標(biāo)準(zhǔn)、雙、四SPI、DTR
(1) 標(biāo)準(zhǔn)SPI:SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
(2) -雙SPI:SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#
(3) 四路SPI:SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
(4) DTR(雙傳輸速率)讀?。篠CLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
4、 高速時鐘頻率
(1) 3.3V:104MHz,用于30pF負(fù)載的快速讀取
(2) 1.8V:80MHz,用于30pF負(fù)載的快速讀取
(3) 3.3V:四路I/O數(shù)據(jù)傳輸高達(dá)416Mbit/s
(4) 1.8V:四路I/O數(shù)據(jù)傳輸敢達(dá)320Mbit/s
5、 軟件/硬件寫入保護(hù)
(1) 通過軟件對所有/部分內(nèi)存進(jìn)行寫保護(hù)
(2) 使用WP#引腳注冊保護(hù)
6、 單電源電壓
(1) 1.8V的全電壓范圍:1.7V~2.0V
(2) 3.3V的全電壓范圍:2.7V~3.6V
7、 高級安全功能
(1) 8K字節(jié)OTP區(qū)域
8、 編程/擦除/讀取速度
(1) 頁面程序時間:典型300us
(2) 塊擦除時間:典型3ms
(3) 頁面讀取時間:最大60us
9、 低功耗
(1) 30mA最大有功電流
(2) 85℃時最大待機(jī)電流為50uA
10、 增強(qiáng)的訪問性能
(1) 用于快速隨機(jī)讀取的2Kbyte緩存
(2) 緩存讀取和緩存程序
11、 NAND的高級功能
(1) 工廠良好區(qū)塊0
12、 可靠性
(1) 帶ECC的P/E周期:100K
(2) 數(shù)據(jù)保留期:10年
13、 內(nèi)部ECC
(1) 4位/528字節(jié)
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