TPS25940ARVCR，2.7V - 18V，電子熔絲 (eFuse)，具有真正反向阻斷和針對固態(tài) 硬盤 (SSD) 的 DevSleep 支持
TPS25940ARVCR，2.7V - 18V，電子熔絲 (eFuse)，具有真正反向阻斷和針對固態(tài) 硬盤 (SSD) 的 DevSleep 支持
TPS25940ARVCR，2.7V - 18V，電子熔絲 (eFuse)，具有真正反向阻斷和針對固態(tài) 硬盤 (SSD) 的 DevSleep 支持
TPS25940ARVCR，2.7V - 18V，電子熔絲 (eFuse)，具有真正反向阻斷和針對固態(tài) 硬盤 (SSD) 的 DevSleep 支持
1 特性 3 說明 1? 2.7V - 18V 工作電壓，最大絕對值 20V TPS25940 eFuse 電源開關(guān)是一款緊湊且特性豐富的 ? 42mΩ RON（典型值） 電源管理器件，此器件具有一整套的保護功能，其中包 ? 0.6A 至 5.3A 可調(diào)電流限值 (±8%) 括一個低功率 DevSleep? 模式，此模式支持與 ? IMON 電流指示器輸出 (±8%) SATA? 器件睡眠標準的兼容性。 寬工作范圍可實現(xiàn) ? 200μA 工作 IQ（典型值） 對很多常用直流總線電壓的控制。 集成背靠背場效應 ? 95μA DevSleep 模式 IQ（典型值） 晶體管 (FET) 提供雙向電流控制，從而使得器件非常 ? 被禁用時，15μA IQ（典型值） 適合于那些具有負載側(cè)保持能量，而這些能量又一定不 ? ±2% 過壓、欠壓閾值 能回流至故障電源總線的系統(tǒng)。 ? 反向電流阻斷 負載、電源和器件保護由很多可編程特性提供，其中包 ? 1μs 反向電壓關(guān)閉 括過流，dVo /dt 斜率和過壓、欠壓閾值。 為了實現(xiàn)系 ? 可編程 dVo /dt 控制 統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)視和下游負載控制，此器件提供 ? 電源正常和故障輸出 PGOOD，F(xiàn)LT 和精密電流監(jiān)視輸出。 精密可編程欠 ? -40°C 至 125°C 的結(jié)溫范圍 壓、過壓閾值和低 IQ DevSleep 模式簡化了 SSD 電源 ? UL2367 認證正在處理中 管理設(shè)計。 ? UL60950 - 單點故障測試期間安全
TPS25940 監(jiān)視 V(IN) 和 V(OUT)，以便在 V(IN) < (V(OUT) 2 應用范圍 - 10mV) 時提供真正反向阻斷。 這個功能在后備電壓 ? PCIe/SATA/SAS 硬盤 (HDD) 和 SSD 硬盤 大于總線電壓的系統(tǒng)中支持快速切換至一個升壓儲能元 ? 企業(yè)級和微型服務器 件。 ? 智能負載開關(guān) 器件信息(1) ? 機頂盒 (STB)，數(shù)字電視 (DTV) 和游戲控制臺 產(chǎn)品型號(2) 封裝 封裝尺寸（標稱值） ? RAID 卡 - 保持電源管理 TPS25940A 超薄四方扁平無引線 3.00mm x 4.00mm TPS25940L (WQFN) (20) ? 電信交換機和路由器 ? 適配器供電器件
