企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

深圳市驪微電子科技

芯朋、士蘭、啟臣、富滿、銓力、超致、芯控源等代理，提供電源芯片/驅動芯片、MOS、IGBT、二三極管等電子料，免費試樣，提供技術支持！

1.2k 內容數(shù) 67w+ 瀏覽量 263 粉絲

IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC電路igbt

型號： SGT30T60SD1FD

--- 產品參數(shù) ---

  • 品牌 士蘭微
  • 型號 SGT30T60SD1FD
  • 封裝 TO-220F
  • 電壓 600V
  • 電流 30A

--- 產品詳情 ---


供應IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC電路igbt，提供SGT30T60SD1FD關鍵參數(shù) ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 
電子申請。>>

為你推薦

  • 65w氮化鎵充電器2c1a方案| 過認證、低成本！2024-11-01 17:06

    驪微電子65w氮化鎵充電器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降壓芯片NDP1460PQB和PD協(xié)議芯片XPD737+XPD767套片組合，2C1A接口配置，USB-C1/C2接口均支持65W快充，USB-A口也支持快充，并支持功率自動分配，能夠滿足手機，筆記本電腦以及老式設備的快速充電需求。PN8783內部集成電流模
    144瀏覽量

  • 逆變器mos管常用型號，60-80v低內阻mos管系列！2023-06-26 16:30

    MOS管可以用作可變電阻也可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關，驪微電子60-80V低壓mos系列，常用于光伏儲能、BMS、逆變器等領域，是光伏儲能、BMS、逆變器專用mos管！耐壓60Vmos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5
    3648瀏覽量

  • 富滿常用PD快充協(xié)議芯片匯總，覆蓋18W-100W！2023-04-23 16:48

    PD快充協(xié)議是一種高速充電技術，能夠快速給移動設備充電，并且不會產生過熱等安全問題。而這種協(xié)議需要配合芯片才能實現(xiàn)快速充電，因此，在選擇PD快充協(xié)議芯片時需要根據(jù)具體的使用場景以及需求進行選型，驪微電子推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd協(xié)議芯片方案。常用pd協(xié)議芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W選型36W和36W以
    2965瀏覽量

  • p型mos管-30V/-100V/-150V選型，士蘭微mos管代理2022-11-11 15:17

    P型MOS管是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件，P-MOSFET的柵極是絕緣的，屬于電壓控制器件，因而輸入阻抗高，驅動功率小，電路簡單。和N溝道MOSFET產品相比，P溝道MOSFET產品需求遠小，但在某些應用領域，P溝道MOSFET因其本身的電性特點，有其不可替代性，目前驪微電子可提供-30~-150V，-3~-46A的P溝道MOSFET解決方案，封裝
    2290瀏覽量

  • 高壓MOS管4N65/7N65/10N65/12N65，士蘭微mos代理商!2022-09-15 17:11

    MOS管是一種金屬—氧化物—半導體場效應晶體管，或稱金屬—絕緣體—半導體，具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，是中小功率應用領域的主流開關器件，廣泛應用于通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、計算機及外設設備、電源管理等。驪微電子低壓MOSFET主要用于消費電子領域，中高壓MOSFET則主要用于工業(yè)、通訊、電動車等領域。4n65高壓mos管參數(shù)型號：SVF4
    MOS
    2267瀏覽量

  • 驪微電子續(xù)簽2022-2023年無錫芯朋微深圳代理商！2022-08-16 17:28

    芯朋微電子成立于2005年，于2020年7月登陸上交所科創(chuàng)板，產品主要包括AC-DC、DC-DC、MotorDriver等，應用于家用電器、手機及平板的充電器、機頂盒及筆記本的適配器、移動數(shù)碼設備、智能電表、工控設備等領域，與深圳市驪微電子科技有限公司建立了長期穩(wěn)定的合作關系，代理銷售Chipown品牌系列產品，包括家電電源、標準電源、消費數(shù)碼、半橋驅動等，
    972瀏覽量

  • IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士蘭微MOS代理2022-06-27 14:57

    MOSFET作為功率半導體廣泛應用于汽車、家電、光伏、風電、軌交等領域，長期以來一直被國外廠商占據(jù)著大部分市場份額，受益于龐大的終端消費需求，國內終端廠商推進進口替代，驪微電子推出SVT20240NTN溝道增強型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220場效應管。irfb4227場效應管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(
    MOS
    1126瀏覽量

  • viper12a芯片代換料AP8012H電源控制芯片，降低成本！2022-06-21 17:14

    VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8兩種封裝，是ST，VIPer產品系列，應用功率5W-10W，典型應用于電池充電器的壁掛式適配器，以及電視和監(jiān)視的待機電源領域，隨著缺貨漲價以及國內芯片產業(yè)生態(tài)發(fā)展的完善，國產替代勢在必行，AP8012H在不改PCB及外圍參數(shù)下可兼容替代viper12a芯片，實現(xiàn)進口替代！viper12a替代芯片ap8012h特征■

  • 杭州士蘭微mos有哪些型號及mos代理商2022-06-01 15:43

    士蘭微mos管產品主要包括低高壓、超結mos管，實現(xiàn)了溝槽柵低壓MOS，溝槽屏蔽柵SGT-MOS，超級結MOS和IGBT等多個產品的量產，廣泛應用于家電、工業(yè)、LED照明、汽車、消費類電子、影音設備等，缺貨漲價潮助力國產替代加速，士蘭微不斷推進產品開發(fā)和升級，不僅在產能端實現(xiàn)了擴增，而且產品結構也在從低階產品向更高價值量產品升級，實現(xiàn)進口替代。高壓超結MOS
    MOS
    2090瀏覽量

  • ncp1252a芯片代替料啟達啟臣微CR1252A2022-05-20 11:19

    受多重因素影響，芯片的供應緊張仍未緩解，在缺“芯”困局之下，國產替代的呼聲愈發(fā)高漲，許多國產廠商選擇“PINtopin”的替代模式入局，驪微電子代理的啟達啟臣微CR1252A電源驅動芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封裝■內置軟啟動■內置斜波補償■峰值電流限制■內置輸入欠壓自動恢復■內置LEB前沿消隱功能
    3978瀏覽量

  • ir2104驅動芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預驅方案2023-03-29 09:24

    ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片，可兼容代換IR2104，應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅動逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
    1.3k瀏覽量

  • 20W A+C雙口pd快充充電器方案|一站式服務2023-03-09 16:41

    自iPhone8開始，后續(xù)的蘋果手機都支持快充，然而隨著iPhone12系列手機的推出以及取消多部機型標配充電器這一傳統(tǒng)，從iPhone的全球出貨量來看，已經造成了上億規(guī)模的快充市場空缺，深圳市驪微電子科技有限公司專注于電源方案設計開發(fā)，順勢推出20WA+C雙口pd快充充電器方案，提供一站式服務。20WA+C雙口pd快充充電器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，該芯片內部集成了準諧振工作的電流
    1.2k瀏覽量

  • 5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充電器芯片方案2022-10-19 15:59

    充電器常用的芯片方案有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多種功率類型，充電器中的核心元器件為充電器ic芯片，在充電環(huán)境中起到了至關重要的作用，選擇合適的充電器電源芯片將大大延長電路壽命，也可以減少充電器的故障，下面驪微電子介紹幾款充電器常用的芯片方案?；赑N8366的5V1A充電器電源應用方案■輸入電壓：90~264Vac；■輸出功率：5W(5V1A)；■待機
    1.5k瀏覽量

  • 30V超低內阻mos管系列，鋰電池專用mos管方案2022-08-30 13:54

    30V超低內阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是N溝道增強型功率MOS場效應晶體管，采用士蘭的LVMOS工藝技術制造。具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。30v大電流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，漏極電流Tc=25℃：282A，導通電阻RDs(on)
    2k瀏覽量

  • 30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管選型方案2022-08-01 14:35

    MOS管有兩種結構形式，即N溝道型和P溝道型，結構不一樣，使用的電壓極性也會不一樣，選擇到一款正確的MOS管，可以很好地控制生產制造成本，確保設備得到高效、穩(wěn)定、持久的應用效果，充分發(fā)揮其“螺絲釘”的作用，30V-200Vmos管廣泛應用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領域。30Vmos管常用型號：SVG030R7NL5封裝PDFN56，導通內阻0.7mΩSVG031R1NL5封裝PDFN56，
    2.6k瀏覽量

  • IR2110國產替代芯片ID7S625高壓逆變器驅動芯片方案2022-07-30 16:06

    常見的MOS管驅動方式有非隔離的直接驅動、自舉驅動，和有隔離的變壓器驅動、光耦隔離驅動等，ir2110驅動芯片替代料ID7S625高壓高低側柵極驅動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅動器，廣泛應用于DCDC轉換器、功率MOSFET和IGBT驅動、DC/AC轉換器等領域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作電壓范圍10V~20V■輸入邏輯兼容3.3
    1.9k瀏覽量

  • 65W PD快充方案PN8213+PN8307小體積低功耗2022-06-10 17:06

    65WPD快充方案不但可以支持手機的大功率快速充電還可以支持20V輸出，可以為電腦充電，具有通用性好的優(yōu)點，搭配氮化鎵，體積可以做到很小，驪微電子推出65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080，具有小體積、大功率、高效率、超低待機功耗等特點，足以應對目前市場對65WPD快充的需求。PN8213內置800V高壓啟動管和X電容放電功能，專用于高性能的快速充電開關電源，待機功耗小于50mW
    1.3k瀏覽量

  • ob3353代換料AP3160液晶電視常用背光驅動芯片方案2022-05-31 16:57

    OB3353是一款具有成本效益的LED驅動器，廣泛應用于LCD顯示器和LCDTV背光，隨著國際市場芯片缺貨及疫情等外部因素的影響下，加速了半導體行業(yè)國產替代的步伐，驪微電子推出OB3353國產替代料AP3160高性能異步升壓LED驅動器，可兼容代換背光芯片OB3353。ob3353代換芯片AP3160特性■寬范圍工作電壓：9V~35Vl■寬范圍PWM調光(1kHz~200kHz)l■120kHz開
    1.9k瀏覽量

  • 30W pd快充方案PN8165+PN8307H兼容20W PD方案2022-05-24 16:02

    自從iPhone12系列手機取消標配充電器以來，各大手機品牌紛紛跟進，目前Apple手機/平板電腦等多種數(shù)碼產品充電功率需求進一步提升，20W快充已經無法滿足快速充電需求，30WPD快充成了繼20WPD快充之后的另一大潛力市場，驪微電子推出基于PN8165+PN8307H的30W小體積PD快充參考設計，以滿足快充市場需求！30WPD套片方案：主控芯片采用PN8165，次級同步采用PN8307H(A
    1.2k瀏覽量

  • pn8015 5V0.2A非隔離開關電源風扇方案 2022-01-12 11:44

    PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，輸出電壓可通過FB電阻調整3.3V~24V，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。PN80155V0.2A風扇方案：■輸入電壓：90~265V■輸出功率：≤1W■輸出電壓電流:5V/0.2A■擁有可恢復短路保護，輸出過載保護。在啟動階段，內部高壓啟動管提供2.5mA電流對外部VDD電容進行充電；當VDD電壓達到13.5V，
    2.1k瀏覽量