概述描述:
這些HEXFET國雙SO-8封裝的功率MOSFET
利用最新的加工技術(shù)達(dá)到極致
單位硅面積的低導(dǎo)通電阻。的附加功能
這些HEXFET功率MOSFET是一個(gè)150°C結(jié)
工作溫度，開關(guān)速度快，提高
重復(fù)雪崩額定值。
這些優(yōu)勢結(jié)合起來可以使得這種設(shè)計(jì)成為非常有效和可靠設(shè)備用于各種各樣的應(yīng)用。
高效的S0-8封裝增強(qiáng)了散熱性能
特性和雙MOSFET芯片能力使其成為可能非常適合各種電源應(yīng)用。
這個(gè)雙重的表面安裝SO-8可以顯著減少電路板空間也有以磁帶和卷軸形式。
- 先進(jìn)加工技術(shù)
- 超低導(dǎo)通電阻
- 雙P溝道MOSFET
- 表面黏著方式
- 提供磁帶和卷軸
- 150°C工作溫度
- 無鉛的
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