MA4AGSW5
AlGaAs 反射式
MA4AGSW5 是一種鋁-鎵-砷、單刀、五擲 (SP5T)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強(qiáng)型 AlGaAs 陽極，采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與傳統(tǒng) GaAs 工藝相比，該技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更少。在 50GHz 時(shí)可實(shí)現(xiàn)多達(dá) 0.3 dB 的插入損耗降低。這些器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的，采用的工藝旨在實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低的寄生效應(yīng)。二極管本身具有低串聯(lián)電阻、低電容和快速開關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚合物層以保護(hù)劃痕。保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過程中損壞二極管結(jié)和陽極空氣橋。需要片外偏置電路。AlGaAs 的高電子遷移率和 PIN 二極管的低電容使該開關(guān)成為快速開關(guān)、高頻、多擲開關(guān)設(shè)計(jì)的理想選擇。這些 AlGaAs PIN 開關(guān)用于雷達(dá)系統(tǒng)、輻射計(jì)、測(cè)試設(shè)備和其他多組件組件的開關(guān)陣列。
特征
- 超寬帶寬：50 MHz 至 50 GHz
- 聚合物劃痕保護(hù)
- 氮化硅鈍化
- MACOM 獨(dú)特的 AlGaAs 異質(zhì)結(jié)陽極技術(shù)
- +10mA 用于隔離狀態(tài)
- -10mA 低損耗狀態(tài)
- 低電流消耗。
- 50 GHz 時(shí) 35 dB 隔離
- 50 GHZ 時(shí) 1.7dB 插入損耗
- 功能帶寬：50 MHz 至 70 GHz
- 符合 RoHS*
- 260°C 回流兼
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
MA4AGSW5
制造商
馬康
描述
SP5T 固態(tài)開關(guān)，頻率范圍為 0.05 至 50 GHz
一般參數(shù)
類型
固體狀態(tài)
配置
SP5T
終止
反光的
應(yīng)用
ISM 樂隊(duì)
應(yīng)用行業(yè)
軍事、太空
頻率
50 MHz 至 50 GHz
插入損耗
1.4 至 1.9 分貝
隔離
35分貝
P1dB
23分貝
P1dB
0.2 瓦
力量
23分貝
力量
0.2 瓦
IIP3
40分貝
IIP3 (W)
10 瓦
阻抗
50 歐姆
包裝類型
表面貼裝
連接器
SMA, SMA - 女性
RoHS
是的
相關(guān)型號(hào)
MA4SW510 MASW-000825-12770T MASW-007935-000000
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