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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

6.3k 內(nèi)容數(shù) 48w+ 瀏覽量 83 粉絲

QPD2060D 分立式 GaAs 芯片

型號(hào)： QPD2060D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 20,000
  • 增益（分貝） 12
  • OP1dB (dBm 28
  • 飽和度(dBm) 28
  • 噪聲系數(shù)（分貝） 1.4
  • PAE （%） 55
  • 電壓（伏） 8個(gè)
  • Idq （毫安） 97
  • 包裝（毫米） 0.41 x 0.34 x 0.10

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD2060D

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 QPD2060D 是一款分立式 600 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2060D 采用 Qorvo 經(jīng)驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn) 0.25um 功率 pHEMT 生產(chǎn)工藝設(shè)計(jì)。該工藝采用先進(jìn)技術(shù)，可在高漏極偏壓工作條件下優(yōu)化微波功率和效率。QPD2060D 通常在 P1dB 時(shí)提供 28dBm 的輸出功率，在 1dB 壓縮時(shí)具有 12dB 的增益和 55% 的功率附加效率。這種性能使 QPD2060D 適合高效應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)涂層提供了一定程度的環(huán)境穩(wěn)健性和防刮擦保護(hù)。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 20,000
增益（分貝） 12
OP1dB (dBm) 28
飽和度(dBm) 28
噪聲系數(shù)（分貝） 1.4
PAE （%） 55
電壓（伏） 8個(gè)
Idq （毫安） 97
包裝（毫米） 0.41 x 0.34 x 0.10

 

主要特征
頻率范圍：DC - 20 GHz
典型輸出功率 P1dB：28 dBm
12 GHz 時(shí)的典型增益：12 dB
12 GHz 時(shí)的典型 PAE：55%
12 GHz 時(shí)的典型 NF：1.4 dB
無過孔
技術(shù)：0.25 um GaAs pHEMT
芯片尺寸：0.41 x 0.34 x 0.10 毫米

 

相關(guān)型號(hào)
QPD2018D
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QPD2080D
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QPD0005
QPD0005M
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QPD0010
QPD0011
QPD0012

 

 

 

 

 

 

 

 

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