Qorvo 的 UF3C120400B7S SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)電感負(fù)載以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。
主要特征
- 導(dǎo)通電阻 RDS(on)：410 mohm（典型值）
- 工作溫度：175 °C（最高）
- 出色的反向恢復(fù)：Qrr = 51 nC
- 低體二極管 VFSD：1.5 V
- 低柵極電荷：QG = 22.5 nC
- 低本征電容
- ESD 保護(hù)：HBM 2 級(jí)和 CDM C3 級(jí)
VDS 最大值(V) | 1,200 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 410 |
內(nèi)徑最大值(A) | 7.6 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽車資質(zhì) | 是的 |
包裝類型 | D2PAK-7L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
UF3C065080T3S
UF3C120040K3S
UF3C120040K4S
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
UF3C120080K4S
UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
UF3C120400B7S
UF3C120400K3S
UF3C170400B7S
UF3C170400K3S
UF3SC065007K4S
UF3SC065030B7S
UF3SC065040B7S
UF3SC120009K4S
UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
UF4C120053K3S
UF4C120053K4S
UF4C120070K3S
UF4C120070K4S
UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S
UJ3C065030B3
UJ3C065030K3S
UJ3C065030T3S
UJ3C065080B3
