--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VDS 最大值(V) 1,200
- 內(nèi)徑最大值(A) 47
- 封裝 D2PAK-7L
--- 產(chǎn)品詳情 ---
Qorvo 的 UF3SC120040B7S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) SiC FET 器件,基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置,其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件. 該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MOSFET 時(shí)需要最少的重新設(shè)計(jì)。該器件采用 D2PAK-7L 封裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,非常適合開(kāi)關(guān)電感負(fù)載以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。
主要特征
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(on)):35 mohm(典型值)
- 最高工作溫度:175 °C
- 出色的反向恢復(fù):Qrr = 358 nC
- 低體二極管 VFSD:1.5 V
- 低柵極電荷:QG = 43 nC
- 閾值電壓 VG(th):5 V(典型值)允許 0 至 15 V 驅(qū)動(dòng)
VDS 最大值(V) | 1,200 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 35 |
內(nèi)徑最大值(A) | 47 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽車(chē)資質(zhì) | 不 |
包裝類(lèi)型 | D2PAK-7L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
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