--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VDS 最大值(V) 650
- RDS(on) 80
- 內(nèi)徑最大值(A) 31
- 一代 第 3 代
- Tj 最大值(°C) 175
- 汽車資質(zhì) 是的
- 包裝類型 TO-220-3L
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝,以生產(chǎn)當今市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷,而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復特性。這些器件采用 TO-220-3L 封裝,與推薦的 RC 緩沖器一起使用時非常適合開關電感負載,以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 80
內(nèi)徑最大值(A) 31
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-220-3L
主要特征
導通電阻 (RDS(on)):80 mohm(典型值)
最高工作溫度:175 °C
優(yōu)秀的反向恢復
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護,HBM 2 級
相關型號
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