--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VDS 最大值(V) 750
- 內(nèi)徑最大值(A) 120
- 封裝 TOLL
--- 產(chǎn)品詳情 ---
Qorvo 的 UJ4SC075005L8S 是一款 750 V、5.4 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSFET 時(shí)需要最少的重新設(shè)計(jì)。該器件采用節(jié)省空間的 MO-229 封裝,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化組裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,非常適合開關(guān)電感負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。
主要特征
- 導(dǎo)通電阻 RDS(on):5.4 mohm(典型值)
- 工作溫度:175 °C(最高)
- 出色的反向恢復(fù):Qrr = 440 nC
- 低體二極管 VFSD:1.03 V
- 低柵極電荷:QG = 164 nC
- 閾值電壓 VG(th):4.7 V(典型值)允許 0 至 15 V 驅(qū)動(dòng)
- 低本征電容
- ESD 保護(hù),HBM 2 級
- MO-229 封裝可實(shí)現(xiàn)更快的切換、干凈的柵極波形
VDS 最大值(V) | 750 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 5.4 |
內(nèi)徑最大值(A) | 120 |
一代 | 第 4 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽車資質(zhì) | 不 |
包裝類型 | 收費(fèi) |
UJ3C065080K3S
UJ3C065080T3S
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