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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXGD3104N8 MOSFET 控制器

型號(hào)： ZXGD3104N8

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電源電壓 V CC 25伏
  • 靜態(tài)電源電流 (mA 5.16毫安
  • 漏極電壓 V D 180伏
  • 操作模式 DCM CrCM CCM
  • 開(kāi)關(guān)頻率 (kHz) ≤250 kHz
  • 比例柵極驅(qū)動(dòng)控制 是的
  • 開(kāi)啟時(shí)間 T ON 250納秒
  • 關(guān)斷閾值電壓 (mV 10毫伏
  • 關(guān)斷延遲時(shí)間 15納秒
  • 柵極源極電流 2.5安
  • 柵極灌電流 7安

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXGD3104N8 

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXGD3104 旨在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。該器件由差分放大器檢測(cè)器級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成。檢測(cè)器監(jiān)控 MOSFET 的反向電壓，這樣如果體二極管發(fā)生導(dǎo)通，就會(huì)向 MOSFET 的柵極引腳施加正電壓。一旦將正電壓施加到柵極，MOSFET 就會(huì)導(dǎo)通。然后，檢測(cè)器的輸出電壓與 MOSFET 漏源電壓成正比，并通過(guò)驅(qū)動(dòng)器施加到柵極。此操作可在零漏極電流時(shí)快速關(guān)斷 MOSFET。

 

產(chǎn)品規(guī)格
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
合規(guī)性（只有汽車(chē)支持 PPAP） 標(biāo)準(zhǔn)
電源電壓 V CC  (V) 25伏
靜態(tài)電源電流 (mA) 5.16毫安
漏極電壓 V D  (V) 180伏
操作模式 DCM CrCM CCM
開(kāi)關(guān)頻率 (kHz) ≤250 kHz
比例柵極驅(qū)動(dòng)控制 (Y|N) 是的
開(kāi)啟時(shí)間 T ON (ns) 250納秒
關(guān)斷閾值電壓 (mV) 10毫伏
關(guān)斷延遲時(shí)間 TOFF (ns) 15納秒
柵極源極電流 I SOURCE (A) 2.5安
柵極灌電流 I SINK (A) 7安

 

主要特征
5至15V VCC范圍
工作頻率高達(dá)250kHz
180V漏極額定電壓
使體二極管導(dǎo)通最小化的比例柵極驅(qū)動(dòng)
關(guān)斷傳播延遲15ns，關(guān)斷時(shí)間20ns
檢測(cè)器閾值電壓~10mV
備用電流5mA
適用于不連續(xù)模式（DCM）、臨界傳導(dǎo)
模式（CrCM）和連續(xù)模式（CCM）操作

 

相關(guān)型號(hào)
DRDC3105E6
DRDC3105F
ZXGD3101N8
ZXGD3103N8
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ZXGD3105N8
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ZXTD2090E6
ZXTD4591E6
ZXTD617MC
ZXTD618MC
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