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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXTN2010A 低飽和 晶體管

型號： ZXTN2010A

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 汽車
  • Polarity NPN
  • NPN 60
  • IC (A) 4.5
  • ICM (A) 15
  • PD (W) 1
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 34

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN2010A

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN2010A 這種采用 E 線輪廓封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管提供極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗，使其非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅(qū)動和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)  是的
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 汽車
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 4.5
ICM (A) 15
PD (W) 1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 55
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 130
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 34

 

主要特征
等效導(dǎo)通電阻極低；5A時(shí)RSAT=34m
4.5安培連續(xù)電流
峰值電流高達(dá)15安培
非常低的飽和電壓

 

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ZXTN2010Z
ZXTN2010ZQ
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