ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基準電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正技術(shù)和外加離子注入場效應管(XFET)技術(shù)，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。
與嵌入式齊納基準電壓源相比，XFET基準電壓源能以更低的電流(800 μA)和更小的電源電壓裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基準電壓源是適合5 V系統(tǒng)的低噪聲解決方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源電流輸出最高達30 mA，最大吸電流能力為-20 mA。它還具有調(diào)整引腳，可以在±0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓，而性能則不受影響。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引腳MSOP和8引腳窄體SOIC兩種封裝。所有型號產(chǎn)品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴展工業(yè)溫度范圍。
應用
- 精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
- 高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
- 醫(yī)療儀器
- 工業(yè)過程控制系統(tǒng)
- 光學控制電路
- 精密儀器
- 低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 μV p-p（2.5 V輸出）
- 無需外部電容
- 低溫度系數(shù)
A級： 10 ppm/℃（最大值）
B級： 3 ppm/℃（最大值） - 負載調(diào)整率： 15 ppm/mA
- 線性調(diào)整率： 20 ppm/V
- 寬工作電壓范圍：
ADR430： 4.1 V至18 V
ADR431： 4.5 V至18 V
ADR433： 5.0 V至18 V
ADR434： 6.1 V至18 V
ADR435： 7.0 V至18 V - 高輸出源電流和吸電流： +30 mA和-20 mA
- 寬工作溫度范圍： -40 ℃至+125 ℃
MAX6070A-3.3
MAX6070A-4.1
MAX6070A-5
MAX6070B-1.2
MAX6070B-1.8
MAX6070B-2.1
MAX6070B-2.5
MAX6070B-3
MAX6070B-3.3
MAX6070B-4.1
MAX6070B-5
MAX6071A-1.2
MAX6071A-1.8
MAX6071A-2.1
MAX6071A-2.5
MAX6071A-3
MAX6071A-3.3
MAX6071A-4.1
MAX6071A-5
MAX6071B-1.2
MAX6071B-1.8
MAX6071B-2.1
