900 V、120 mΩ、22 A、TO-263-7 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 擴大了其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)低電感分立封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，具有寬爬電距離和漏極與源極之間的間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時提供適合高污染環(huán)境的額外電氣隔離。獨立的開爾文源極引腳可降低電感，從而將開關(guān)損耗降低多達 30%。設(shè)計人員可以通過從基于硅的三電平拓撲轉(zhuǎn)向更簡單的兩電平拓撲（通過改進的開關(guān)性能實現(xiàn)）來減少元件數(shù)量。
特征
- 整個工作溫度范圍內(nèi) Vbr 最低為 900V
- 帶驅(qū)動源的低阻抗封裝
- 高阻斷電壓和低 R DS(on)
- 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
- 易于并聯(lián)且驅(qū)動簡單
好處
- 通過降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
- 實現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
- 提高系統(tǒng)級功率密度
- 減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
- 支持新的硬開關(guān)拓撲（圖騰柱 PFC）
應(yīng)用領(lǐng)域
- 電機控制
- 電動汽車充電系統(tǒng)
- 不間斷電源 (UPS)
- 電池管理系統(tǒng)
- 快速電動汽車充電系統(tǒng)
- 車載充電
- 傳動系統(tǒng)
- 焊接
