1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 憑借我們的首款工業(yè)級(jí)第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續(xù)在碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位。該產(chǎn)品完全符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，具有高阻斷電壓 (1700 V) 和業(yè)界領(lǐng)先的低 R DS(ON)溫度穩(wěn)定性，可在最苛刻的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。這些設(shè)備針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如機(jī)車(chē)牽引、固態(tài)斷路器、太陽(yáng)能、不間斷電源等。
Wolfspeed 的 1700 V 裸片碳化硅 MOSFET 基于最新的第三代技術(shù)，包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇正確的部件。1700 V MOSFET 專(zhuān)為低 R DS(ON)而設(shè)計(jì)，易于并聯(lián)并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)兼容。從硅基解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求。背面金屬化為模塊設(shè)計(jì)者選擇裝配工藝和模塊布局提供了更好的解決方案。
特征
- 工業(yè)級(jí)合格
- 高阻斷電壓和業(yè)界領(lǐng)先的低 R DS(on)溫度穩(wěn)定性
- 抗閂鎖
- 驅(qū)動(dòng)器的高柵極電阻
好處
- 通過(guò)降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
- 降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求
- 實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率操作
- 易于并聯(lián)并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)兼容
應(yīng)用領(lǐng)域
- 火車(chē)牽引
- 太陽(yáng)能
- 不間斷電源系統(tǒng)（UPS）
- 風(fēng)力
MOSFET CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
CPM3-0900-0030A
CPM3-0900-0065A
EPM3-1200-R013D
CPM3-1200-0013A
EPM3-1200-0014D1
EPM3-1200-R015D
CPM3-1200-0016A
EPM3-1200-0017D1-R01
EPM3-1200-0017D-R01
CPM3-1200-0021A
CPM2-1200-0025A
CPM3-1200-0032A
CPM2-1200-0040A
CPM3-1200-0075A
CPM2-1200-0080A
CPM3-1200-0160A
CPM3-1700-R020E
CPM3-3300-R050A
