75-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片
Wolfspeed 的 CGHV60075D5 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度；和更高的導熱率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 具有更高的功率密度和更寬的帶寬。
特征
- 4 GHz 時典型功率附加效率為 65%
- 6 GHz 時典型功率附加效率為 60%
- 75 W 典型 PSAT
- 50V 運行
- 高擊穿電壓
- 運行頻率高達 6 GHz
應用領域
- 2路私人廣播
- 寬帶放大器
- 蜂窩基礎設施
- 測試儀器
- A級；AB；適用于 OFDM 的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形
