--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- PAE(%) > 55
- 射頻帶寬 (GHz) 1.2 - 1.4
- 相關(guān)增益 (dB) > 14
--- 產(chǎn)品詳情 ---
CHZ015AaQEG 是一款輸入匹配封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為 L 頻段的各種射頻功率應(yīng)用提供寬帶解決方案。該電路非常適合脈沖雷達(dá)應(yīng)用。
CHZ015AaQEG 采用 0.5μm 柵極長度的 GaN HEMT 工藝。它基于準(zhǔn)MMIC技術(shù)。
它采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 SMD 封裝。
內(nèi)部匹配的 GaN 功率晶體管
參考 | 射頻帶寬 (GHz) | 小信號增益 (dB) | 功率 (瓦) | 相關(guān)增益 (dB) | P-1dB 輸出 (dBm) | PAE (%) | 直流偏置 | 案件 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
分鐘 | 最大限度 | ||||||||
CHZ015AaQEG | 1.2 | 1.4 | 17.2 | 15 | > 14 | - | > 55 | VDS 45V@ID_Q 100mA | QFN 塑料封裝 |
CHZ180AaSEB
CHZ015AaQEG
CHZ8012-QJA
CHZ9012-QFA
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