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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP4013LFGQ 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMP4013LFGQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP4013LFGQ
  • 名稱 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP4013LFGQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP4013LFGQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，受 PPAP 支持，非常適合用于：反極性保護(hù)、電源管理功能和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP4013LFGQ
名稱                  40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  POWERDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 13 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 18 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 32.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 68.6 nC
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
低 R DS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高
密度最終產(chǎn)品
占據(jù) SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品


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