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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMPH3010LK3Q 175°C P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMPH3010LK3Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMPH3010LK3Q
  • 名稱 175°C P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO252 (DPAK)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMPH3010LK3Q  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMPH3010LK3Q 這種MOSFET是為滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求而設(shè)計(jì)的。它符合AEC-Q101的要求，并得到PPAP的支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMPH3010LK3Q
名稱                  175°C P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                   TO252 (DPAK)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 16 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 66 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 139 nC
CISS Typ (pF) 6807 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
額定溫度為+175°C–非常適合高環(huán)境溫度環(huán)境
生產(chǎn)中的100%無阻尼感應(yīng)開關(guān)（UIS）測(cè)試
低導(dǎo)通電阻
快速切換速度


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